非晶硅太阳能
Passivating Contact)太阳能电池技术，简称TOPCon技术，能够有效降低表面复合和金属接触复合，为N型电池转换效率提升提供了更大的空间。
TOPCon电池技术优势
钝化优势
表面钝化性能主要
(POPAID)的新型TOPCon技术的开发，利用链式平台传输载板，能够在不破真空情况下同时完成隧穿氧化层和掺杂非晶硅沉积，做到真正意义上的无绕镀，将TOPCon 1.0中的12道制造工序缩短到9道
电磁相位匹配的非线性设计，设计能产生负折射率的非电子材料，减少电子跃迁的固有损失。
4. 能源材料、催化材料和极端环境材料领域
持续研发非晶硅、有机光伏、钙钛矿材料等太阳能转换为电能的材料，开发新
。钙钛矿材料未来的潜在研究方向是基于甲基铵的钙钛矿太阳能电池的稳定性以及有毒元素的替代研究。
2. 聚合物、生物材料和其他软物质
在能源和自然资源应用领域，研究方向包括：
①提高能量存储系统的
事件：
11月10日上午，中国科学院发布，由其宁波材料技术与工程研究所硅基太阳能及宽禁带半导体团队开发的新型高效隧穿氧化硅钝化接触(TOPCon)概念验证电池经福建计量科学研究院国家光伏产业计量
TOPCon光伏电池核心材料超薄氧化硅+原位掺杂非晶硅的制备，同时在抑制非晶硅爆膜、防止电场导通、实现高效电池全工艺集成等关键技术方面取得重大突破，可实现TOPCon电池关键制程的大幅优化和制造成本的显著
型技术产线建设。面对目前巨大的PERC电池产能，TOPCon和PERC电池技术和产线设备兼容性较强，以PERC产线现有设备改造为主，主要新增设备在非晶硅沉积的LPCVD/PECVD设备以及镀膜设备环节
40%;
3)设备方面降本：目前单GW成本低于4亿元，未来仍有40%降本空间。HJT制作工艺流程大幅简化，制绒清洗、非晶硅薄膜沉积、TCO薄膜沉积、电极金属化四个步骤，分别对应制绒清洗、PECVD
。
HWCVD技术自1979年由Wiesmann发明后并未引起人们的关注，直至20世纪80年代后期Doyle和Matsumura等人才开始对HWCVD制备氢化非晶硅(a-Si:H)进行研究，在1991年
，Mahan等人首次证明了HWCVD技术可生产器件级质量的a-Si:H材料。在1993年Kaiserslautern大学和NREL首次用HWCVD技术成功制备了薄膜硅太阳能电池，而到1995年，乌得勒支
1. TOPCon技术介绍
隧穿氧化层钝化接触太阳能电池(Tunnel Oxide Passivated Contact solar cell,TOPcon)是2013年在第28届欧洲
PVSEC 光伏大会上德国 Fraunhofer太阳能研究所首次提出的一种新型钝化接触太阳能电池，首先在电池背面制备一层 1～2nm 的隧穿氧化层，然后再沉积一层掺杂多晶硅，二者共同形成了钝化接触结构，为
不正常，正常供应链情况下初步测算有2毛利润。
问题五：HJT规模起来后，铟会涨价吗?
答：传统的太阳能非晶硅电池用的是不含铟的透明导电膜。异质结为了高转化效率，采用的是氧化铟做成的透明导电膜。实际上
。
我们的整体规划是22GW，但是我们需要分阶段执行。因为异质结的技术还未到头，还在持续改进中，设备也在持续修改。目前异质结是做非晶硅，但是未来可能会改叠加微晶硅，所以未来设备需要做一些变动。所以着眼于
在距离青海省西宁市150多公里的海南藏族自治州，高原湛蓝的天空下，一片片太阳能光板整齐划一，在阳光下熠熠生辉;在山西省大同市以西的土坡上，成千上万片太阳能光板汇聚成蓝色的海洋，波光粼粼这些蓝色太阳能
太阳能电池生产和研发的核心工艺设备。
3) 低压水平化学气相沉积镀膜系统 LPCVDLLP370/05：可应用于 N-TOPCon 电池的隧穿 氧化层与非晶硅生长工艺，为下一代高效 N-TOPCon 电池
电池片技术
晶体硅异质结太阳电池(HJT)是在晶体硅上沉积非晶硅薄膜，它综合了晶体硅电池 与薄膜电池的优势，具有转换效率高、工艺温度低、稳定性高、衰减率低、双面发 电等优点，技术具有颠覆性
请美国太阳能行业协会(SEIA)等23个国际机构和组织联合主办的2022国际太阳能光伏与智慧能源(上海)大会暨展览会(简称SNEC光伏大会暨(上海)展览会)将于2022年5月24-26日在中国上海
)：
太阳能光伏
A. 光伏生产设备：
硅棒硅块硅锭生产设备：全套生产线、铸锭炉、坩埚、生长炉、其他相关设备
硅片晶圆生产设备： 全套生产线、切割设备、清洗设备、检测设备、其他相关设备
电池生产
