非微晶

微晶硅叠层电池解决方案，尽管先前已经在薄膜非晶市场处于领先水平。此项最新的发展阶段和前期非晶硅相比显著提高了效率，预计2010年能达到两位数字以上的转换效率。微晶硅叠层是减少太阳能能源

据天威保变公告，4月23日，公司设立的项目公司天威薄膜与欧瑞康太阳能公司签订了非晶薄膜硅光伏生产组件生产线采购合同，合同总价款约7600万欧元。根据合同，欧瑞康太阳能公司将为天威薄膜提供一条新的非晶

微晶硅太阳能电池生产线。微晶硅制程是透过气相沈积，利用薄膜材质为基础，以高压方式改变非硅晶材料的结构，使其具有类传统硅晶材料太阳能电池结构的技术，结合薄膜与硅晶两大新旧产品的优势。 旭能成

涉及以下几个方面：非晶硅光致退化机理和稳定性改进；薄膜多晶硅低温成核及晶化机理；微晶硅生长机制、结构控制及电性能调制；特定光伏薄膜材料，特别是纳米技术微结构与光伏性能及制备新技术的研究，拓宽光谱响应的
世纪80代中后期，非晶硅太阳能电池产量份额曾一度达到20%。但由于其受本征及非本征衰减大等问题累加的困扰，加之市场规模很小，发展受到限制。科学家们开始研究开发转换效率高的化合物薄膜电池，一般在10

(dual junction) 非晶/微晶硅薄膜太阳能电池，而非仅局限在传统单藕合(single junction) 非晶硅薄膜太阳能电池。

领域。去年末，夏普推出了两款薄膜太阳能电池板，据说转换效率达8.5%，功率可达90W。这些产品基于串连电池设计，把单独的非晶与单晶层结合在一起。它的一个关键特点是能够在玻璃基板上面形成厚度只有2微米
左右的硅原材料层。夏普表示，这样的厚度大约是传统多晶硅太阳能电池的百分之一，降低了消费者的总体成本。夏普声称，已开发出了一种堆叠式三结薄膜太阳能电池，可实现大量生产。这种三结结构把两个非晶硅层和一个微

相之间的界面将以1～2m/s的速度回到表面，冷却之后薄膜晶化为多晶，随着激光能量密度的增大，晶粒的尺寸增大，当非晶薄膜完全熔化时，薄膜晶化为微晶或多晶，若激光能量密度小于域值能量密度Ec，即所吸收的

较致密的多晶硅薄膜。但由于作为籽晶层的微晶层中晶粒较小，其上生长的多晶硅薄膜中的晶粒也不大，影响了电池的效率，目前我们正在研制ＺＭＰ设备，以增大晶粒尽寸。 采用ＣＶＤ法必须有再结晶步聚，而
： （１）低成本 （２）导电（或绝缘，依结构设计而定） （３）热膨胀系数与硅匹配 （４）非毒性 （５）有一定机械强度 比较合适的衬底材料为一些硅或铝的的化合物，如SiC，Si3N4

缺陷（如空位、填隙原子、替位原子），此外还与非本征掺杂和晶界有关。 2.3.1 导电类型 对材料的元素组份比接近化学计量比的情况，按照缺陷导电理论，一般有如下的结果：当Se不足时，Se
所有的非晶有机半导体或掺杂的高分子聚合物的一个突出问题是，低的载流子迁移率，即迁移率仅约10-8到10-2cm2／Vs。一般电子迁移率低于空穴迁移率。无序有机材料荷电粒子的传输主要是通过跳跃式过程进行的

材料第一次在光电子器件领域崭露头角是在1950年。当时人们在寻找适用于电视摄像管和复印设备用的光电导材料时找到了无定形硒（a一Se）和无定形三硫化锑（a一SbS3）。当时还不存在非晶材料的概念及有关的
的大产业，非晶材料的这第一次挑战十分成功，还启动了对非晶材料的科学技术研究。1957年斯皮尔成功地测量了a一Se材料的漂移迁移率；1958年美国的安德松第一次在论文中提出，无定形体系中存在电子局域化