阻抗

大量电网正常运行数据和各种异常状态下电网的数据，建立数学模型，融合AI自学习算法，通过大数据分析、训练智能并网算法，并且增加了阻抗重塑技术，大幅提升智能光伏控制器的控制算法的鲁棒性，保障智能光伏

。 AI增强并网算法，从适应电网走向支持电网 华为基于大量电网正常运行数据和各种异常状态下电网的数据，建立数学模型，融合AI自学习算法，通过大数据分析、训练智能并网算法，并且增加了阻抗

系列产品支持直流拉弧检测AFCI功能，能够检测并判断电弧的产生，并及时报警，消除电弧，防患于未燃，安全更可靠。 支持端子温度检测 直流和交流端子松动都会导致接触点阻抗增大，容易引发火灾，端子温度

隐裂、断栅、破裂等容忍度更高，在组件的持续工作当中造成的损失更小。主栅数越多，电阻值分布越低且越均匀，在每个主栅和焊带上流过的电流也会相应越低，从而降低焊带上的阻抗损失。多主栅设计，主栅线数增多，明显

MPPT 最大功率点跟踪控制(MPPT)策略实时监测光伏阵列的输出功率，采用干扰观测控制算法预测当前工况下阵列可能的最大功率输出，通过改变当前阻抗情况来满足最大功率输出的要求。当温度和光照强度一定

二极管不导通。MOSFET的导通损耗可根据导通阻抗RDS(ON)来计算，对于给定的MOSFET系列，这与有效裸片面积成比例关系。当额定电压从600V 变化到1200V时，MOSFET的传导损耗会大大
MOSFET在工作温度下导通阻抗RDS(ON) 为100毫欧。因此在11A时，具有和IGBT的VCE(SAT) 相同的VDS。由于这种IGBT基于较旧的击穿技术，VCE(SAT) 随温度的变化不大

，还必须始终考虑体二极管的影响：在升压级的情况下并没有什么问题，因为正常工作模式下体二极管不导通。MOSFET的导通损耗可根据导通阻抗RDS(ON)来计算，对于给定的MOSFET系列，这与有效裸片面
电压VCE(SAT)只有1.1V的30A/600V IGBT。其关断损耗EOFF非常高，达10mJ，故只适合于低频转换。一个50毫欧的MOSFET在工作温度下导通阻抗RDS(ON)为100毫欧。因此在

有最小的偏移和漂移。 另一个安全问题是对地漏电。无变压器的配置下，任何情况下太阳能电池板漏电容或人体阻抗都有接地通路。需要采用剩余电流装置(RCD)探测不安全的入地电流，或者再次采用适当规格的电流

并与p区的空穴重新结合。 太阳能电池的研究人员和用户主要关注的问题是如何提高电池效率并且最大程度地提取能量。这需要用I-V测量分析性能并确定与太阳能电池的源阻抗最匹配的负载阻抗。在图3中，最佳匹配
有越来越多的能量被传输至负载。 当电池安装进太阳能电池板阵列之后，负载阻抗至源阻抗的匹配变得更为重要。如果按照电池I-V特性的匹配程度排列太阳能电池，特定电池盒中的太阳能电池可以安装进同一个阵列。这样