镉薄膜光伏
，碲化镉、铜铟镓硒及砷化镓薄膜电池等)、有机和染料敏化太阳能电池三类。其中，碲化镉薄膜电池是一种以P型碲化镉(CdTe)和N型硫化镉(CdS)的异质结为基础的太阳能电池。碲化镉为Ⅱ-Ⅳ族化合物，是直接带隙
半导体，光吸收强，其禁带宽度与地面太阳光谱有很好的匹配，最适合于光电能量转换，可吸收95%以上的太阳光，是一种良好的太阳能电池材料。在各类薄膜光伏电池中，硅基薄膜光伏电池的转换效率最低，且存在光致衰减
优势。但近年来，原料价格的急剧降低让晶硅电池的价格已经低于薄膜的平均售价。晶硅光伏电池与薄膜光伏电池对比两大阵营的代表公司汉能董事局主席李河君坚定的认为薄膜代表了光伏的发展方向，而晶硅是没落的光伏技术
刚刚宣布，已经在较小面积上创造了19.7%的无镉CIGS新转化效率。高成本仍然是对其产品的最大考验。在廉锐看来，薄膜技术在短期内实现跨越式发展的可能性不大。一方面，他认为薄膜技术不同于晶硅技术技术线路
85%的薄膜光伏组件都是由FirstSolar和SolarFrontier公司生产的。两公司都是镝化镉和铜铟镓硒薄膜技术的市场领导者。高级P级多晶硅市场将增长Solarbuzz还预计标准P级多晶硅电池将占据35%的市场份额，而先进的P级多晶硅电池将会占到总份额的27%。
，总部位于美国亚利桑那州坦普市，是全球最大的薄膜太阳能电池组件生产商。1999年，First Solar在美国俄亥俄州匹兹堡市建设自己的第一条试生产线。到2002年，First Solar商用碲化镉薄膜光伏
电池组件的年产量已达到1.5MW。在市场的巨大需求下，First Solar将其试生产线扩建为更自动化的生产线，生产能力大幅上升。目前，First Solar公司已经成为全球最重要的碲化镉薄膜光伏
成本的材料。非晶硅薄膜太阳能电池具有诸多优点使之成为一种优良的光电薄膜光伏器件。(1)非晶硅的光吸收系数大，因而作为太阳能电池时，薄膜所需厚度相对其他材料如砷化镓时，要小得多；(2)相对于单晶硅
缓冲层，但使用CdS缓冲层也存在一些缺点。从恢复短波光生电流的观点来看，应该使用禁带宽度更宽的缓冲层，从环境的观点来看，镉的毒性将对环境产生负面影响。因此近年来研究使用的缓冲层材料有ZnS、In2S3
及砷化镓薄膜电池等）、有机和染料敏化太阳能电池三类。其中，碲化镉薄膜电池是一种以P型碲化镉（CdTe）和N型硫化镉（CdS）的异质结为基础的太阳能电池。碲化镉为Ⅱ-Ⅳ族化合物，是直接带隙半导体，光吸收
强，其禁带宽度与地面太阳光谱有很好的匹配，最适合于光电能量转换，可吸收95%以上的太阳光，是一种良好的太阳能电池材料。在各类薄膜光伏电池中，硅基薄膜光伏电池的转换效率最低，且存在光致衰减的固有
，通过对微型电池片0.5cmx0.5cm的测量，日本薄膜制造商Solar Frontier宣称其已经打破无镉CIGS电池效率记录。19.7％的效率是经日本国家产业技术综合研究所测量所得，而此前的纪录
的进程类似于批量生产中的镀膜和硒化过程。同蒸发过程相反宣称目前的CIGS电池效率达到创纪录的20.3%。来自Solar Frontier的CIS薄膜光伏组件在实际发电功率中赢得了良好性能的声誉，因为
市场份额80%以上；第二类是薄膜电池，又细分为非晶硅电池，其工艺简单，成本低，但效率低，有衰退迹象；碲化隔薄膜太阳能电池，其成本低，易于大量生产，但效率低且镉有**，会对环境造成严重的污染；CIGS
薄膜电池，其效率高，成本低，性能良好，是今后发展太阳能电池的一个重要方向。CIGS模块具有很大的发展优势，是因为CIGS在各种薄膜光伏技术中效率最高，成本却只有晶体硅太阳电池的1/3。此外，CIGS
太阳电池型号命名方法-2001GBT14009-92太阳电池组件参数测量方法GBT18210-2000晶体硅光伏（PV）方阵I-V特性的现场测量GBT18911-2002地面用薄膜光伏组件设计鉴定和定型
地方标准。 与光伏系统相关的蓄电池国家标准GB 13337.1-91 《固定型防酸式铅酸蓄电池技术条件》;GB 5008.1-85 《起动用铅酸蓄电池技术要求和试验方法》;GB 9368-88 《镉镍
