钝化边缘
0.027元/W。
降本：无金属边框设计，降低组件成本约0.05元/W。双玻组件可采用无金属边框设计，免接地，安装更快捷，节省人力成本，有效降低度电成本;使用过程中减少边缘积灰，降低日常维护保养成本。铝框
的细栅格，并对钝化膜中的氮化硅膜层及激光开孔部分做一些优化。设备方面，需提高背面电极栅格印刷设备及激光设备的精度。发电增益方面，p-PERC双面因子仅60%-80%，略低于其他技术路线，主要是因为铝栅格
扩散炉;三是边缘刻蚀和去磷硅玻璃，此环节需要仪器SCHMID刻蚀机、SCHMID自动动化仪器;四是背钝化在硅片背面沉积三氧化二铝膜和氮化硅膜，此环节需仪器MeyerBurger的一体机式镀膜机、罗博特科
生产过程中，PERC电池钝化膜损伤及各种EL缺陷等造成成品率下降颇为严重。本文通过对PERC电池片生产工艺、设备、生产管理上探究一定优化解决方案。
1PERC电池片与常规电池片简介
常规电池采用
电池片的目的。烧结过程中有利于PECVD工艺所引入的-H向体内扩散，可以起到良好的体钝化作用。烧结是一个扩散、流动和物理化学反应综合作用的过程。在印刷状况稳定的前提下，温区温度、气体流量、带速是烧结的
效率低的电池进行EL检测，发现有边缘或整面发黑的现象，怀疑浆料污染或电池正面在生产过程中被与履带接触的地方污染或烧结炉内部有污染点与电池正面有接触，污染了电池片。针对此问题，一方面，清洗烘干炉履带和机台
的不同而异。因此，钝化膜沉积设备和膜开口设备(既可以使用激光也可以运用化学蚀刻)都需要在传统的电池生产线上额外增加加工设备。对于较少应用的激光边缘隔绝处理工艺生产线，需要增加一个化学湿式工作台进行背面
PERC(Passivated Emitter and Rear Cell)，即钝化发射极和背面电池技术，最早在1983年由澳大利亚科学家Martin Green提出，目前正在成为太阳电池新一代的
劣化、H2O会加剧硅表面的腐蚀。清洗硅片不仅要除去硅片表面的杂质而且要使硅片表面钝化，从而减小硅片表面的吸附能力。高规格的硅晶片对表面的洁净度要求非常严格，理论上不允许存在任何颗粒、金属离子、有机粘附
、水汽、氧化层，而且硅片表面要求具有原子级的平整度，硅片边缘的悬挂键以结氢终止。目前，由于硅片清洗技术的缺陷，大规模集成电路中因为硅材的洁净度不够而产生问题甚至失效的比例达到50%，因此优化硅片的清洗
Tempress扩散炉、R2D自动化、捷佳创低压扩散炉;三是边缘刻蚀和去磷硅玻璃，此环节需要仪器SCHMID刻蚀机、SCHMID自动动化仪器;四是背钝化在硅片背面沉积三氧化二铝膜和氮化硅膜，此环节需
以下。达到金属铝背层红外辐射光仅60%-70%能反射回去。
PERC电池采用PERC技术需在常规背电场(BSF)技术基础上增加背面钝化解决方案。在具体实施中，需要沉积一层背面钝化膜，然后在这层膜上开槽
狙击在电池片表面，使得电池表面的钝化效果恶化，导致组件性能低于设计标准。PID现象严重时，会引起一块组件功率衰减50%以上，从而影响整个组串的功率输出。高温、高湿、高盐碱的沿海地区最易发生PID现象
。
产生PID效应后有部分电池出现出现了高电阻造成组件PID现象的原因主要有以下三个方面：
一是系统设计原因：光伏电站的防雷接地是通过将方阵边缘的组件边框接地实现的，这就造成在单个组件和边框之间形成
存在漏电流，大量电荷狙击在电池片表面，使得电池表面的钝化效果恶化，导致组件性能低于设计标准。PID现象严重时，会引起一块组件功率衰减50%以上，从而影响整个组串的功率输出。高温、高湿、高盐碱的沿海地区最
易发生PID现象。
产生PID效应后有部分电池出现出现了高电阻造成组件PID现象的原因主要有以下三个方面：
一是系统设计原因：光伏电站的防雷接地是通过将方阵边缘的组件边框接地实现的，这就造成在单个
PERT，HJT，HBC等等。 原则上电池只要正反面都采用透光介质膜钝化或减反基本都可以做出双面电池。接下来小固就目前市场上应用比较多的P型PERC，N 型PERC 和N 型HIT 介绍下其主要技术路线
图3 组件边缘檀条安装图
安装双面电池时，檀条一定要位于组件边缘，避免檀条对组件背面的遮挡，同时需要减少其他构件(譬如逆变器)对组件背面的遮挡。
解读：背面和周边环境会严重影响背面的发电增益
成像无缺陷)，组件的电池上表面颜色均匀一致，无机械损伤，焊点无氧化斑。
4)组件的每片电池与互连条应该排列整齐，组件的框架应整洁无腐蚀斑点。
5)组件的封装层中不允许气泡或脱层在某一片电池与组件边缘
等级》(GB8923-88) 的相关规定。
b. 除锈方法：钢构件可采用喷砂或喷丸的除锈方法，若采用化学除锈方法时，应选用具备除锈、磷化、钝化两个以上功能的处理液，其质量应符合现行国家标准《多功能钢铁
