钝化设备

多晶电池的单片瓦数更低，非硅成本更高一些，假设为0.30元;单晶Perc电池由于新增了背钝化、激光开槽等设备，在常规电池的基础上，每瓦会增加0.05元左右的非硅成本，即0.33元;单面Perc改为双面
设备：背面钝化处理和激光开槽设备。 背钝化方面，有PECVD和ALD两种技术路线，PECVD的代表厂商是梅耶博格;ALD的代表厂商是国内的江苏微导以及理想能源。PECVD路线的优势是在同一

12月5日, 全球领先的薄膜沉积和蚀刻设备制造商江苏微导纳米装备科技有限公司和澳大利亚新南威尔士大学宣布联合开发采用新型原子层沉积(ALD)技术的下一代高效太阳能电池。这项工作是在新型原子级表面
调控及接触钝化层工艺在先进高效晶硅太阳能电池的应用的ARENA项目下展开的。先导集团董事长王燕清先生， 微导CTO黎微明博士，新南威尔士大学知识转移中心主任Warwick Dawson 先生

百分点。从溢价角度看，PERC技术对于单晶电池的收益更为明显，多晶电池的溢价基本被新增设备的折旧所抵消。 2、N型电池的PERT技术 PERT电池是发射结钝化全背场扩散电池，其结构特点是背表面扩散
and Rear Cell的简称 PERC技术：采用Al2O3膜对背表面进行钝化，可以有效的降低背表面复合，提高开路电压，增加背表面反射，提高短路电流，从而提高电池效率。 (单面PERC电池结构

将全铝背场改为局部铝背场，把背面铝浆全覆盖改为用铝浆在背面印刷与正面类似的细栅格，并对钝化膜中的氮化硅膜层及激光开孔部分做一些优化。设备方面，需提高背面电极栅格印刷设备及激光设备的精度。发电增益方面，P

，会因为跟花篮托齿摩擦造成划痕;硅片在传输过程中，会因为卡片、碎片等造成划痕。第二，后道工序自动化设备对Al2O3钝化层造成的划痕。本文将从第二方面分析造成Al2O3钝化层划痕的几大因素，并通过试验找出

PECVD目的 在硅片表面沉积一层氮化硅减反射膜，以增加入射在硅片上的光的透射，减少反射，氢原子搀杂在氮化硅中附加了氢的钝化作用。 镀膜原理 光照射在硅片表面时，反射会使光损失约三分之一
: 从裸露的硅表面和从覆盖有折射率为1.9 和2.3 的减反射膜的硅表面反射 的正常入射光的百分比与波长的关系： 2、氮化硅膜的钝化效果 PECVD 沉积SixNy 薄膜有一定

技术已占据市场数十年，而最佳平均效率几乎未超过20%。 在谈及衰减时, 我们不确定是否所有PERC生产商都了解设备可能会遭遇额外衰减效应的挑战。本篇博文介绍的就是这一方面的相关内容： 了解PERC
太阳电池的主导衰减机制 在参观展会或拜访业内厂家时，我们常常会发现，那么多有责任心的PERC生产科学工作者竟从未听说过PERC设备可能会出现严重衰减，尤其是热辅助光致衰减(以下简称LeTID，又名电

。 UNSW(新南威尔士大学)认为(光致)再生过程的机理在于促使P型硅中存在的H+转化为H0，H0可以钝化BO+缺陷乃至金属离子如Fei+、Cri+，商业化的光致再生设备因需要高生产速率，因此需要
衰减可保持在3%以内，P型多晶组件的首年衰减则一般按 2.5%来质保，电池均无需经过再生处理。 2.PERC组件的光衰 P型PERC技术对晶硅电池背面做钝化，电子需要扩散更长的距离经过

(ALD)技术形成的Al2O3层被用于进行背面钝化。沉积形成的Al2O3层还要进行一次后沉积退火，这一步被集成在随后的背 面SiNx减反射膜(ARC)沉积工艺上，采用的是管式等离子增强化学 气相沉积
，特别是与金属电极相关的工艺，以抑制缺陷复合体的形成并增强多晶硅硅块内氢钝化效果。 3. 采用先进的恢复工艺以解除引起LID的缺陷中心。 4. 一套增强型线上工艺控制体系以制造可靠的LID可控