钝化接触
独特的化学特性可在低温侧实现更宽的烧结窗口，这也使该系列在背钝化（PERC）电池上展现出优异的性能。而且在c-Si光伏产业中ULDE技术的驱动下，SOL9641B成功的克服了电池接触表面的磷掺杂浓度低至
10-19的挑战。这一浆料基于对微观结构的研究成果和深刻认知，具有均衡的金属化接触性能并可有效减少钝化层的损伤。优越的接触电阻（RohC）将ULDE的优势（如更高的Isc和Voc）发挥得淋漓尽致，因此
Hi-MO2。该产品具有高功率、高发电量、低LCOE等3大亮点，将开启高效单晶PERC双面发电技术新时代。
隆基股份总裁李振国与隆基乐叶总裁李文学共同开启新品Hi-MO2
PERC(钝化发射极及背
接触)技术是晶硅太阳电池近年来最具性价比的效率提升手段，与常规电池产线兼容性高，并且产线改造投资成本低。PERC技术是未来3-5年内的主流电池技术，而双面PERC电池仅略微改变电池结构，成本与单面
、N 型电池、黑硅、无网结网板和 PERC 电池(钝化发射极及背局域接触电池)等新的电池工艺技术。此外，还包括 1 项扩散工艺咨询服务以及 2 款新的生产工艺产品坩埚杂质防扩散涂层
、黑硅、无网结网板和PERC电池（钝化发射极及背局域接触电池）等新的电池工艺技术。此外，还包括1项扩散工艺咨询服务以及2款新的生产工艺产品——坩埚杂质防扩散涂层HeraGlaze以及红外线发射器。此次
提高到2022年的30%左右。“在黑硅、PERC（钝化发射极背面接触）、N型单晶双面发电技术突飞猛进的情况下，高效光伏产品正在成为市场主流趋势。全球光伏行业正在面临一场以技术为竞争焦点的革新大潮
材料协会（SEMI）发布的国际光伏技术路线图（ITRPV）预测，N型单晶硅电池比例将从2016年的7%左右提高到2022年的30%左右。在黑硅、PERC（钝化发射极背面接触）、N型单晶双面发电
青睐。他们提出了一种简易的双面掺杂(正面BBr3热扩散，背面P离子注入)及薄层Al2O3(~4nm)/SiNx:H (~75nm)的复合膜层钝化p+发射极的方法，经优化峰值烧结温度及精细丝网印刷后，在
技术，沈文忠研究组的另一项工业化高效晶体硅背结背接触(BJBC)太阳电池研究成果也已经在《光伏研究及应用进展》在线发表【Prog. Photovoltaics: Res. & Appl. 2017
晶体硅太阳电池实际上是一个大的平面二极管，就n型电池而言，电池的基体是n-Si，基体的前表面通过扩散重掺杂形成p+发射极，p+发射极与n-Si基体接触形成p+-n结，基体的背表面通过扩散或者
离子注入重掺杂形成n+背场，n+背场与n-Si基体接触形成n+-n高低结。p+-n结和n+-n高低结内部都存在内建电场，可以分离光照产生的电子-空穴对，被分离的电子通过背场上面的背电极、空穴通过发射极上面
索比光伏网讯:晶体硅太阳电池实际上是一个大的平面二极管，就n型电池而言，电池的基体是n-Si，基体的前表面通过扩散重掺杂形成p+发射极，p+发射极与n-Si基体接触形成p+-n结，基体的背表面通过
扩散或者离子注入重掺杂形成n+背场，n+背场与n-Si基体接触形成n+-n高低结。p+-n结和n+-n高低结内部都存在内建电场，可以分离光照产生的电子-空穴对，被分离的电子通过背场上面的背电极、空穴通过
狙击在电池片表面，使得电池表面的钝化效果恶化，导致组件性能低于设计标准。PID现象严重时，会引起一块组件功率衰减50%以上，从而影响整个组串的功率输出。高温、高湿、高盐碱的沿海地区最易发生PID现象
600-1000V，由于光伏组件接头接点松脱，接触不良、电线受潮、绝缘破裂等原因而极易引起直流拉弧现象。直流拉弧会导致接触部分温度急剧升高，持续的电弧会产生3000-7000℃的高温，并伴随着高温碳化周围器件
