钝化层

VON.ARDENNE公司的大型真空磁控溅射镀膜生产线，年产200万平方米低辐射（LOW-E）太阳镀膜玻璃，这种太阳膜技术可应用到所有太阳能产品中，通过控制膜层的性质，可使热量传不出去，提高集热效率
微结构处理、电池扩散吸杂、电池体钝化及抗反射等核心技术。晶体硅电池产品的平均转换率已达17.5%，在国内同行中处于领先水平。公司目前光伏电池年产能175MW，未来产能将扩张至275MW。 42恒星科技

生产线，年产200万平方米低辐射（LOW-E）太阳镀膜玻璃，这种太阳膜技术可应用到所有太阳能产品中，通过控制膜层的性质，可使热量传不出去，提高集热效率。10.有研新材，公司处在多晶硅（半导体集成电路和硅
开发的电池表面微结构处理、电池扩散吸杂、电池体钝化及抗反射等核心技术。晶体硅电池产品的平均转换率已达17.5%，在国内同行中处于领先水平。公司目前光伏电池年产能175MW，未来产能将扩张至275MW

电池背钝化结合太阳能电池正面和背面的氮化硅层。 Meyer Burger指出，截至2015年十二月三十一日，其订单储备增长35.5%达2.575亿瑞士法郎，而2014年底为1.901亿瑞士法郎
，约3.42亿美元关于光伏产业。 该公司指出，其2015年获得大量大订单，总价值约1.42亿瑞士法郎(1.464亿美元)，其中包括主要的新技术购买，如该公司的钝化发射极背面电池(PERC)技术

反射涂层的存在，所产生的电场抵消了钝化工艺，从而增加了表面重组、降低了功率输出。离子还可能扩散至硅层，造成发射区域反型，导致电池分流，如图一所示。同样地，在一些薄膜组件中，PID被与金属离子在边框和
电池间的迁移相联系，并且在使用了钠涂层基底的组件上可观察到较为明显的衰减现象。 Fraunhofer ISE实验室进行了相关实验，以分析反型层在太阳能电池中的作用，并同时建立理论模型。实验结果表明

的关键特性在于其优越的钝化层，可弥补硅衬底表面区域的诸多瑕疵。*6 利用太阳能电池背面的电极消除正面电极阴影损失的技术，可更有效地利用太阳光。
同时保持着晶体硅太阳能电池和晶体硅光伏组件的转换效率世界记录。松下开发出一种独特的硅异质结结构*5，该结构由晶体硅衬底和非晶硅层组成，而且自投入商业生产以来，松下一直致力于利用硅异质结改进其光伏组件

。工艺流程如图4所示。电池正面采用双层SiNx膜钝化，有效地起到减反射和钝化的作用；背面采用3层膜钝化，既能有效提高少子寿命，还能增加对长波的反射，起到背反射器的作用，增加硅片对长波的吸收。图5为制作

%（Voc=699mV，Jsc=41.3mA/cm2，FF=80.5%），电池结构如图6所示。基体材料为N型CZ单晶硅，正面通过离子注入形成硼掺杂p+发射结，正面采用ALD工艺沉积Al2O3钝化层钝化

"光伏前沿技术领域的热点，主要是在电池的背表面通过原子层沉积的方法生长一层氧化铝膜，通过氧化铝膜富含负电荷的特性对背表面实现良好的钝化作用，同时通过激光开槽的方法对背表面生长的叠层膜进行定位开孔，从而

的原因在于： （1）双面钝化：电池正面和背面都覆盖着热生长的SiO2层。发射极的表面钝化，一方面降低了表面态，另一方面减少了前表面的少子复合。而背面钝化的增加，使反向饱和电流密度Jo下降，同时

原因主要为人为操作不规范导致的，1）人为的擦片破坏Si3N4膜面，使Si3N4钝化效果失效；2）绒面凸起部分在人为摩擦过程中极易受损，使电池片p型裸露，印刷后直接与金属电极导通发生短路；3）即使擦片后
可能造成漏电如图9所示，Si3N4颗粒主要来源：1）铸造多晶硅时在坩埚表面喷涂的Si3N4脱落融入硅锭所致；2）镀膜时SiH4的含量偏高，形成Si3N4颗粒。Si3N4颗粒的晶粒贯穿电池片的层错，使PN