钝化层

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新方案可提高硅太阳能电池效率来源:新华社 发布时间:2019-07-05 16:16:15

据新华社5日消息,美国研究人员设计出一种新型硅太阳能电池方案,通过改变钝化材料提高硅电池能量转化效率的上限,可从目前的约29%提升到35%。 美国麻省理工学院日前发布公报称,新电池由该校人员和美国普林斯顿大学等机构同行设计,利用单线态激子裂变原理,加强对高能光子能量的利用。

半切片电池光伏组件: 光伏行业的新标准?来源:PV-Tech每日光伏新闻 发布时间:2019-07-05 09:32:45

工艺会导致材料出现结构损伤,划槽操作通常会从电池背面进行,以避免p-n结出现分流通路;如果背面金属层有一道小的开口,激光工艺可以采用更为高效的方式进行。对于采用完整背面金属化的钝化发射极和背电极
(PERC)太阳能电池,在背面金属层开一道小口完全不会引起任何功率损失。因此,弗劳恩霍夫CSP开发了一种更为先进的LSC工艺版本,并申请了专利。该弗劳恩霍夫CSP版本依赖于对轻微弯曲太阳能电池应用激光工艺

1.4倍效率!新的太阳能电池转化方法被提出来源:能源一号 发布时间:2019-07-05 09:28:34

,三重态激子不能通过辐射的方式返回基本状态。该限制延长了它们的寿命,但是抑制了共同的能量转移机制,否则该能量转移就能够通过例如厚的钝化(保护太阳能电池表面免受污染的惰性材料)进行激发的长程转移
,而在分子层可以把高能激发效应转化为两个低能激发效应,然后通过精心设计的界面转移到硅太阳能电池中,在那里进一步转化成电能。整个过程不需要额外的电流接触,也无需改变太阳能电池本身的操作内容。这将大大减少

浅析p型PERC双面双玻光伏组件PID现象来源:光伏测试网 发布时间:2019-07-03 09:20:20

, Al2O3/S i接触面具有较高的固定负电荷密度, 背面玻璃中析出的Na+使氧化铝内的电荷发生再分布, 导致钝化效果恶化。同时, 双面PERC电池片正面含有一层氧化硅减反射层, 可以起到抗PID效应

nTOPCon领跑双面技术时代来源:光伏测试网 发布时间:2019-07-01 09:28:50

本文摘要 在晶体硅太阳能电池中,金属-半导体接触区域存在严重的复合,成为制约晶体硅太阳能电池效率发展的重要因素。隧穿氧化钝化金属接触结构由一层超薄的隧穿氧化层和掺杂多晶硅层组成,可以显著降低金属

澳大利亚科学家利用氢原子提高太阳能电池效率来源:pv-magazine 发布时间:2019-06-30 23:22:29

掺磷多晶硅层中,氢原子可以被操纵用来提高钝化接触结构的质量,因而他们将氢原子应用于电池的表皮层,这一层的厚度比人类的头发薄1000倍,能发出非常独特的光。研究人员很快意识到,氢原子的存在极大地改变
澳大利亚国立大学(Australian National University)的研究人员正在研究如何利用氢原子来改善钝化接触太阳能电池掺磷多晶硅(poly-si)薄膜的性能。 科学家们相信,在

锂电池界面电化学过程原位研究获得进展来源:中科院之声 发布时间:2019-06-30 21:03:50

电化学AFM及谱学分析表征,实现了在锂硫充放电过程中还原产物硫化锂和过硫化锂在界面形貌演变及生长/溶解过程的原位监测(图1),并提出过硫化锂在循环过程中不可逆反应产生的界面聚集是导致电极钝化及电池性能
Edition上。 近日,科研人员利用电化学AFM进一步探究了在高温条件下锂硫电池在LiFSI基电解液中的界面行为与反应机制(图2)。研究发现,在高温60℃时,阴极/电解质界面在放电过程中会原位形成一层由

P型单晶电池转换效率达26.1%,创下新记录来源:PV-tech 发布时间:2019-06-30 20:13:04

极上使用钝化电子选择n +型多晶硅氧化(POLO)触点,在正接触极上使用孔选择P+型POLO触点。 POLO触点的高选择性是实现高效率的一个关键因素,背部叉指模式使用了这种触点,能够最大限度地减少
了项目合作伙伴Centrotherm和瓦克化学的贡献。 Centrotherm在低压化学气相沉积反应器中沉淀了多晶硅层,瓦克化学贡献了硅片的高温加工知识。 ISFH的研究获得了德国联邦经济和能源部

P型硅电池效率超过26%详解德国POLO-IBC技术来源:PV兔子 发布时间:2019-06-30 19:58:51

效率最高的电池。 该电池采用交错背接触结构(IBC),正负电极均采用多晶硅氧化层(POLO)技术实现钝化接触。普通双面电极的电池在使用钝化接触(包括HIT在内)时,虽然提高了钝化效果和电压,但由于钝化

黑硅技术将量产高效多晶电池标配来源:亚化咨询 发布时间:2019-06-30 17:42:47

不低于19%和21%。 此前工信部发布的2017年我国光伏产业运行情况显示,P型单晶及多晶电池技术持续改进,常规产线平均转换效率分别达到20.5%和18.8%,采用钝化发射极背面接触技术(PERC
切片技术在硅片端可显著降低成本,但金刚线切多晶硅片后,硅片表面损伤层减少,不利于使用传统酸腐蚀方案对硅片进行绒面制备,因此需解决多晶金刚线切割硅片的绒面制绒问题。 黑硅技术是解决该问题的主要路径。该