钝化层

出首批单晶硅棒；2006年开始制造硅片，同年在纽交所上市；2008年，天合光能在德国TUV组织的光伏发电量竞赛中超越12家国际一流光伏企业，取得全球第二的好成绩；2009年，天合光能利用独有的金属化和钝化技术
提升。已有6000多名光伏园区企业职工入住出口加工区的青年公社和龙虎塘街道的新市民公寓，正在装修的11层白领公寓7—11层也被协鑫光伏预定一空。 　　天合太阳城将依托龙虎塘道口区位优势，规划建设

标准化前表面技术，同时启用了拥有不同绝缘层的钝化背表面，该结构可实现在使用传统丝网印刷技术制造触点的同时使用了电池局部触点。肖特太阳能北美区首席执行官格里.法恩(Gerry Fine)表示，目前光伏产业

支出创下新高。　　　　SolarBuzz统计数据显示，全球三季度晶体硅与薄膜太阳能电池的资金支出超过29亿美元，主要晶体硅工艺设备如蚀刻、扩散、钝化层沉积与印刷等项目季度支出均超过了1.2亿美元

太阳能电池正面进行钝化和电浆镀膜，并在反面进行钝化和铝接触层镀膜。SOLARIS占地面积极小（3.3 x 2.2米），并能方便地集成到现有生产线中，从而具有极低的“占有成本”。 欧洲太阳能光电展览会

提高了转换效率。 　　PERC技术通过在硅晶圆和背面电极之间形成钝化(Passivation)层实现局部接触(Contact)。由于有着可减少背面的载流子再结合等优点，有关开发日趋活跃

有选择性地改变太阳能电池特定部分的电学特性。电介质是可以用作绝缘体的配方化学品，能够防止电流通过 PV 电池的某些区域。这些电介质材料还具有其他优点，例如，可以用作钝化层以防止有害的复合效应，或用
作扩散阻挡层以防止掺杂剂扩散到某些不必要的区域，还可用作掩膜材料。由于杂质会降低光伏电池的质量，霍尼韦尔在设计这些新材料时将杂质的含量控制在了极低的水平上。可使用霍尼韦尔新型材料的晶硅电池结构包括选择性

TPV电池在具有优化表面的锗基片上进行组合，老锗基电池是在为其它物质的单晶体层生长做准备的锗基片上进行组合，而新工艺将省去外延沉积的环节。而在新的工艺中，发射器是通过非晶硅传播和钝化所得到。 Imec
对此研究的锗片进行生产和研究。通过频谱计量方法得知，新基片比传统运用外延沉积层的电池有更好的量子效率，也即是说，进行光电转换效率的温度更高。

。. 硅片的背面和正面的印刷要求是不同的，技术上也不那么严格。背面印刷的第一步工序是淀积一层以铝为基础的导电材料，而不是非常细的导电栅。同时，能够将没有捕捉到的光反射回电池上。这一层也能“钝化

载流子浓度低，需要在含氧、氯的气氛下进行380℃～450℃的热处理。该工艺同时也促进CdS/CdTe的界面扩散，减少界面的格子失配程度和钝化了薄膜的晶界势垒。但该工艺在碲化镉膜面形成了一高阻氧化层
。 　　 大面积碲化镉薄膜太阳能电池组件制造的关键技术 　　 与小面积单元电池相同，硫化镉、碲化镉、复合背接触层等三层薄膜的沉积和后处理是获得高效率的技术关键。不同的是，需要在电池的制备过程中对在

130微米厚， 156×156mm的晶片上采用了介电层钝化（dielectric passivation）等先进工艺，在低成本Mono材料上实现了18％的转换效率，与目前商业化产品效率基本相同。 从