钝化层

技术和热沉积源技术，同时还需用到芯片制造过程中所必需的合适的量测工具。光伏企业可能对此较为陌生，但半导体公司却驾轻就熟。再比如，就太阳能光伏材料而言，目前主要面临着控制表面粗糙度、叠层的掺杂分布、钝化层中

研究所保持着世界领先水平。该研究所采用光刻照相技术将电池表面织构化，制成倒金字塔结构。并在表面把一13nm。厚的氧化物钝化层与两层减反射涂层相结合．通过改进了的电镀过程增加栅极的宽度和高度的比率：通过

（San Jose），分析太阳能材料成为一项日益增长的业务。控制表面粗糙度、叠层的掺杂分布、钝化层中氢的含量，以及表面污染，是四项主要的挑战。SVTC Analytical的商务开发经理Julian

背面形成p＋层、SiNx层及Al蒸镀电极的背面钝化（Passivation）结构。Voc为638mV，Jsc为37mA/cm2，FF为0.765。该公司在09年1月的学会上宣布，转换效率达到了17.5

　　近日，伊藤油墨涂料化工技研有限公司(伊藤技研)向全球最新推出一款薄膜太阳能涂层。 　　这款薄膜太阳能涂层具有背反射（钝化发射极、背面点扩散），运用高分子原理、光源特性，涂料技术，扩散物性
等基材面上的印刷或涂布工艺。成功运用在硅基薄膜太阳能电池、叠层薄膜太阳能电池、CdTe非晶硅薄膜太阳能电池。

　　中科院电工研究所 王文静 一 引言 　　为了降低晶体硅太阳电池的效率，通常需要减少太阳电池正表面的反射，还需要对晶体硅表面进行钝化处理，以降低表面缺陷对于少数载流子的复合作用。 　　硅的
酸腐蚀液，如果腐蚀过深，会影响到PN结的漏电流，因此其对表面反射降低的效果不明显。因此，考虑在硅表面与空气之间插一层折射率适中的透光介质膜，以降低表面的反射，在工业化应用中，SiNx膜被选择作为硅表面

提高其电池转换效率并降低制造成本。活性硅层的厚度将从150m降到40m。为了达到20%的转换效率，超薄硅片将使用钝化发射极和背面定域扩散硅法，即PERL模式，同时还将在生产过程中引进可替换背板电解质和

)吸收层，形势尚不明朗。Sulfurcell正在试验不同的I-III-VI2族半导体材料，Meyer表示，镓（Gallium）也被测试用过，并且公司打算在今后一段时间转向硒（selenium）材料。我们
年前开始生产，那时他们的转换效率只有5%。对于业界专家来说，改变吸收层材料的决定并不令人奇怪。然而，理论上讲，基于铜、铟和硫的黄铜矿组件与采用铜铟镓硒(CIGS)的组件相比，会有稍高的吸收效率（30%对

Disulfide)吸收层，形势尚不明朗。Sulfurcell正在试验不同的I-III-VI2族半导体材料，Meyer表示，镓（Gallium）也被测试用过，并且公司打算在今后一段时间转向硒
线上的转换效率为8%。该公司在5年前开始生产，那时他们的转换效率只有5%。 对于业界专家来说，改变吸收层材料的决定并不令人奇怪。然而，理论上讲，基于铜、铟和硫的黄铜矿组件与采用铜铟镓硒(CIGS)的

://www.appliedmaterials.com/products/maxedge_3.html 应用材料公司已经通过生产验证的超薄晶体硅太阳能电池制造系列产品包括用于切片的MaxEdge系统，用于防反射和钝化层沉积的Applied ATON