迁移

迁移,索比光伏网为您提供迁移相关内容,让您快速了解迁移最新资讯信息。关于迁移更多相关信息,可关注索比光伏网。

向PID say:NO!来源:特变电工新疆新能源股份有限公司 发布时间:2014-08-11 23:59:59

诱导衰减,是电池组件的封装材料和其上表面及下表面的材料,电池片与其接地金属边框之间的高电压作用下出现离子迁移,而造成组件性能衰减的现象。下表为组件PID效应测试前后的参数及I-V曲线对比【1】,通过

大阪大学提出新原理太阳能电池方案,无pn结转换效率有望达到70~80%来源:日经电子 发布时间:2014-08-05 07:56:32

提出的新型太阳能电池的光活性层使用的InGaN的厚度为300nm~350nm。据江村介绍,InGaN不同于Si,属于直接迁移型,光吸收率高,只需100nm左右的厚度就能吸收照射光线的1/2,300

大阪大学太阳能电池方案,无pn结转换效率有望达到70~80%来源:日经BP社 发布时间:2014-08-04 23:59:59

,关系到单结太阳能电池的最大性能。 而此次提出的新型太阳能电池的光活性层使用的InGaN的厚度为300nm~350nm。据江村介绍,InGaN不同于Si,属于直接迁移型,光吸收率高,只需

PID,蜗牛纹,降本,品质什么才是光伏组件商最该关注的?来源:中国光伏测试网 发布时间:2014-07-29 08:35:59

改善能够解决PID。其实根本解决PID的问题要从电站接地方式和电池片制造工艺去解决,在没有办法改变接地方式的情况下,改善电池片的生产工艺,阻隔钠离子迁移至电池片电极,才是根本解决PID问题的方法,组件

PID,蜗牛纹,降本,品质,谁才是光伏组件商最该关注的?来源:世纪新能源网 发布时间:2014-07-28 23:59:59

情况下,仅仅依靠封装材料的改善能够解决PID。其实根本解决PID的问题要从电站接地方式和电池片制造工艺去解决,在没有办法改变接地方式的情况下,改善电池片的生产工艺,阻隔钠离子迁移至电池片电极,才是根本

历数2014年上半年20大能源新技术来源: 发布时间:2014-07-18 00:37:59

、高效率、易操作、低成本的特点,可以有效降低土壤及其它介质中各种重金属的迁移性能,对土壤结构特性、肥力影响较小。其原理是,用土壤修复剂通过与污染土壤中以不稳定的形式存在的重金属离子发生矿化反应,生成多种

国家战略新高地:高效太阳能电池技术来源: 发布时间:2014-07-16 09:01:59

太阳能电池、高性能硅基柔性薄膜电池等特别受到各国研究人员的普遍重视并迅猛发展。第一,HIT太阳能电池。HIT电池集中了非晶硅薄膜电池和晶体硅高迁移率的优势,而且制备工艺相对简单,双面结构在任何角度

巧妙设计分子,提高薄膜太阳能电池性能来源:日经技术在线 发布时间:2014-07-14 07:58:15

基于分子设计的高分子半导体高阶结构控制。 一般来说,作为应用于有机薄膜太阳能电池和有机晶体管的半导体材料,低分子材料的载流子迁移率更高,容易使器件表现出高性能。与非晶硅相比,低分子有机半导体的
载流子迁移率要高出一位数,达到了10cm2/Vs。 而高分子有机半导体的载流子迁移率目前仅为0.1~0.5cm2/Vs。应用于薄膜太阳能电池时只能实现5~7%的较低水平发电效率。因此,尾坂等人的小组一直

薄膜太阳能电池新突破 开发控制高分子半导体来源:日经技术在线 发布时间:2014-07-13 23:59:59

基于分子设计的高分子半导体高阶结构控制。一般来说,作为应用于有机薄膜太阳能电池和有机晶体管的半导体材料,低分子材料的载流子迁移率更高,容易使器件表现出高性能。与非晶硅相比,低分子有机半导体的载流子迁移
率要高出一位数,达到了10cm2/Vs。而高分子有机半导体的载流子迁移率目前仅为0.1~0.5cm2/Vs。应用于薄膜太阳能电池时只能实现5~7%的较低水平发电效率。因此,尾坂等人的小组一直致力于利用

中科院新型高效有机太阳电池研究通过验收来源: 发布时间:2014-07-07 09:24:59

吸收,高空穴迁移率(最高达1.110-2cm2/V/s)的新型聚合物给体光伏材料,基于该材料的实验室小面积(0.040.1cm2)光伏器件在模拟太阳光下能量转化效率最高可达8.79%;设计合成了多种