西门子法

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太阳能光伏蓝海时代将至 降低成本应三管齐效来源: 发布时间:2011-11-21 15:18:24

是晶体硅组件的上游环节,占到光伏组件成本的30~40%。近年来,国内一些企业引进、消化和吸收欧美国家的改良西门子多晶硅提纯技术,在生产实践中自主创新,取得多项具有自主知识产权的技术,多晶硅原材料自给

成本消融 光伏产业如何东成西就?来源: 发布时间:2011-11-21 14:54:59

光伏组件成本的30~40%。近年来,国内一些企业引进、消化和吸收欧美国家的改良西门子多晶硅提纯技术,在生产实践中自主创新,取得多项具有自主知识产权的技术,多晶硅原材料自给率由几乎为零提高至50%左右
为2.5-3万吨左右,40%-50%需要外供,产量并未过剩。目前全国有16个省仅多晶硅项目就有约40家公司正在建设、扩建和筹建以西门子改良法为技术路线的多晶硅生产线,总建设规模超过10万吨,总投资超过

西门子创新 转向扩产多晶硅来源: 发布时间:2011-11-18 11:19:56

产能替代低效产能;2)高效产能满足需求。当光伏市场在平网电价预期刺激下逐渐恢复,迎来新一波浪潮时,高效产能厂商将获得一个更大的发展空间。改良西门子法经过产业界的努力,在以下几个方面得到创新:1、优化还原

多晶硅业务生不逢时 盾安环境延长折旧年限来源:Solarbe.com 发布时间:2011-11-16 08:48:39

巴彦淖尔市乌拉特后旗工业园区,2010年4月正式开工建设,项目共分两期,一期规模为3000吨/年,采用的是改良西门子,总投资18.82亿元。   项目可行性研究报告显示,设备分生产设备、运输设备以及电子设备,投资

盾安环境多晶硅生产线延长折旧年限来源:Solarbe.com 发布时间:2011-11-16 08:37:43

巴彦淖尔市乌拉特后旗工业园区,2010年4月正式开工建设,项目共分两期,一期规模为3000吨/年,采用的是改良西门子,总投资18.82亿元。   项目可行性研究报告显示,设备分生产设备、运输设备以及电子设备
。”公司今日依然决定延长多晶硅业务机器设备折旧年限。《每日经济新闻》记者采用平均年限法估算,此次会计变更预计2011年可为盾安环境带来约5207.38万元的账面利润。   延长设备折旧

环境保护法对多晶硅行业的影响来源: 发布时间:2011-11-15 11:20:28

对生产过程的安全要求很高,副产品回收方面也需很高的工艺水平,技术风险、环境风险都非常大。目前,国内在建多晶硅生产厂所用改良西门子生产法是向俄罗斯购买的技术,而该技术与美国、日本等国企业还有相当差距,没有经过
20000吨,那么四氯化硅的产生量将超过16万吨,对四氯化硅的无害化处理将成为制约多晶硅发展的瓶颈。这正是中国太阳能产业所不得不面临的现实。多晶硅核心技术三氯氢硅还原法垄断在美国、德国、日本等六七家企业手中

2011年江苏中能硅业科技发展有限公司公司债券募集说明书来源: 发布时间:2011-11-14 23:59:59

: 资料来源:公司数据、上市公司年报 3、技术优势 公司通过引进、消化和吸收欧美等国家改良西门子的先进技术,并在生产实践中不断集成创新,目前高纯度多晶硅提纯技术处于国内领先、国际先进
采用改良的西门子工艺生产多晶硅。西门子是被现有多晶硅生产商和许多行业新进入者广泛接纳和公认的技术。西门子工艺采用三氯氢硅最初原料,并通过化学气相沉积(CVD)将其转化为多晶硅。江苏中能一方面采用了冷

太阳能光伏产业何时才能回归正常来源: 发布时间:2011-11-10 14:36:40

量产中,因为市场不景气、规模化的脚步放缓,但长期来看,其在生产成本上仍较主流的西门子来得有竞争力,约低2~3成;幸而有法国Total的投入,才得以有效地度过这些大环境的波动。事实上,台南市虽贵为名列台湾「5都

我国太阳能极多晶硅技术装备取得巨大进步来源: 发布时间:2011-11-07 13:22:16

技术装备水平仍亟待提升。近年来我国多晶硅行业技术装备取得的进步主要有以下几个方面:其一是改良西门子多晶硅工艺设备实现了自主设计制造。目前,我国自主设计制造的SiHCl3合成炉单台设备年产量达5000吨;可
大约2000千克/炉,个别炉次甚至达3400千克/炉,24对棒还原炉炉产量个别炉次超过4000千克/炉,使我国西门子装置系统综合电耗不断下降,2005年平均电耗300~400千瓦时/千克硅,降低到目前

饲料大亨刘汉元的光伏理想国来源: 发布时间:2011-11-04 09:51:59

全球通行的"改良西门子"大相径庭,而且号称不产生污染。这怎么可能?!没有人相信他,还被同行甚至有关部门斥为"骗子"。但是这个倔强的老头子一见到刘汉元就信誓旦旦:"我的方法可以让多晶硅成本大大降低,不污染
,由于用传统的"改良西门子"生产1公斤多晶硅,耗电量高达200度左右,同时会产生10公斤有污染的四氯化硅。 8 9 10