,目前多晶硅主要采用化学提纯、物理提纯两种方法进行生产,其中化学提纯方法主要有西门子法(气相沉淀反应法)、甲硅烷热分解法、流态化床法,而物理提纯方法主要有区域熔化提纯法(FZ)、直拉单晶法(CZ)、定向
多晶硅超大规模绿色清洁生产的关键设备和技术上加大了自主创新力度。公司的大型高效化学气相沉积反应器设备和工艺和大规模高效、低成本氯氢化等核心工艺不断取得进步,经济技术已达国际先进水平,成本优势进一步得到巩固
技术上加大了自主创新力度。公司的大型高效化学气相沉积反应器设备和工艺和大规模高效、低成本氯氢化等核心工艺不断取得进步,经济技术已达国际先进水平,成本优势进一步得到巩固。 采访中,总经理蒋文武博士
生产的关键设备和技术上加大了自主创新力度。公司的大型高效化学气相沉积反应器设备和工艺和大规模高效、低成本氯氢化等核心工艺不断取得进步,经济技术已达国际先进水平,成本优势进一步得到巩固。采访中,总经理蒋
发展,世界各国均对该技术进行二次创新,如中硅高科突破了大型低温氢化技术、大型节能还原炉技术、高效加压精馏提纯技术、高效加压三氯氢硅合成技术、尾气干法回收技术、四氯化硅生产气相白碳黑技术和热能综合利用
,直接天生太阳能级多晶硅。 下一页 2)气液沉积法生产粒状太阳能级多晶硅据资料报导以日本Tokuyama公司为代表,目前10吨
,伴随光伏产业的发展,世界各国均对该技术进行二次创新,如中硅高科突破了大型低温氢化技术、大型节能还原炉技术、高效加压精馏提纯技术、高效加压三氯氢硅合成技术、尾气干法回收技术、四氯化硅生产气相白碳黑技术和
融解炉中往除硼杂质,再进行第二次水平区熔单向凝固成硅锭,往除第二次区熔硅锭中金属杂质聚集的部分和外表部分,经粗粉碎与清洗后,在电子束融解炉中往除磷和碳杂质,直接天生太阳能级多晶硅。
2)气液沉积
得到高纯的三氯氢硅,高纯三氯氢硅与氢气最后在西门子反应器中气象沉积形成U形多晶硅,最后压碎形成小块供应市场。 从技术工艺的角度讲,多晶硅生产是综合化学、化工、冶金、半导体、机械、电气和自动化等
北京市太阳能研究所赵玉文等报道了以SiH2Cl2为原料气体,采用快速热化学气相沉积(RTCVD)工艺在石英反应器中沉积多晶硅薄膜。气源为H2和SiH2Cl2的混合物,石英管内配有石墨样品托架,采用程控
包履石墨为衬底,用快速热化学气相沉积(RTCVD)技术沉积多晶硅薄膜,硅膜经过区熔再结晶(ZMR)后制备太阳电池,两种衬底的电池效率分别达到9.3%和11%。 北京市太阳能研究所自1996年开始