被钝化设备

形成电路或电极。典型的晶体硅太阳能电池从头到尾整个生产工艺流程中需要进行多次丝网印刷步骤。通常，有两种不同的工艺分别用于电池正面(接触线和母线)和背面（电极/钝化和母线）的丝网印刷。【表1】 表
1：晶体硅太阳能电池的制造需要进行多次丝网印刷步骤。应用材料公司Baccini产品可以帮助实现绿色框中的步骤。 多年来，太阳能丝网印刷设备在精度和自动化方面有了很大进步，具备了在微米级尺寸上

。因此，材料成本达到或低于每峰瓦5元人民币是可能的。 　　 考虑工资、管理、电力和设备折旧等其他成本，碲化镉薄膜太阳能电池的成本大约是每峰瓦13.64元人民币或更低。因此，即使销售价格为每峰瓦20~22
意外事故造成组件损毁时镉的污染进行了研究。他们将双玻璃封装的碲化镉薄膜太阳能电池组件在模拟建筑物发生火灾的情况下进行试验，实验温度高达1100℃。结果表明，高温下玻璃变软以至于熔化，化合物半导体薄膜被包

作用，减少了表面不饱和的悬挂键，减少了表面能级。 　　综合来看，SiNx膜被制备在硅的表面起到两个最用，其一是减少表面对可见光的反射；其二，表面钝化作用。 　　二 PECVD技术的分类 　　用来制备
　　中科院电工研究所 王文静 一 引言 　　为了降低晶体硅太阳电池的效率，通常需要减少太阳电池正表面的反射，还需要对晶体硅表面进行钝化处理，以降低表面缺陷对于少数载流子的复合作用。 　　硅的

)吸收层，形势尚不明朗。Sulfurcell正在试验不同的I-III-VI2族半导体材料，Meyer表示，镓（Gallium）也被测试用过，并且公司打算在今后一段时间转向硒（selenium）材料。我们
还不知道，这些努力将把我们带向何方，他补充说。改变现有设备的生产工艺可以提供效率，我们的目标是到2010年获得10%的效率。目前，Sulfurcell组件在3MW试量产线上的转换效率为8%。该公司在5

Disulfide)吸收层，形势尚不明朗。Sulfurcell正在试验不同的I-III-VI2族半导体材料，Meyer表示，镓（Gallium）也被测试用过，并且公司打算在今后一段时间转向硒
（selenium）材料。“我们还不知道，这些努力将把我们带向何方，”他补充说。改变现有设备的生产工艺可以提供效率，“我们的目标是到2010年获得10%的效率。”目前，Sulfurcell组件在3MW试量产

网管理系统等多项先进的关键技术。同市场上竞争对手的系统相比， MaxEdge大幅提升了硅片产量和荷载能力，并大大降低了每兆瓦产出的设备占地面积和所需操作人员数量。 硅片越薄，每一片使用的硅原料就越
://www.appliedmaterials.com/products/maxedge_3.html 应用材料公司已经通过生产验证的超薄晶体硅太阳能电池制造系列产品包括用于切片的MaxEdge系统，用于防反射和钝化层沉积的Applied ATON

技术。设备主要依赖进口。丝网印刷工艺主要分正面和背面金属化工艺。其中正面栅状电极的设计思路主要从有效收集电流、减小遮光面积以及组件焊接方便来考虑；背面金属化的目标是在背面形成一层铝背场钝化层来提高开路
专用生产设备，几年后将实现大规模应用。 先进的高质量钝化膜将取代当前单一的氮化硅膜。随着选择性发射结工艺的广泛应用，更迫切地需要有先进的钝化膜进一步将上表面的载流子复合速度降低一个

太阳能。太阳内部的这种核聚变反应可以维持几十亿至上百亿年的时间。太阳向宇宙空间发射的辐射功率为3.8×1023kW的辐射值，其中20亿分之一到达地球大气层。到达地球大气层的太阳能，30%被大气层反射
，23%被大气层吸收，其余的到达地球表面，其功率为8×1013kW，也就是说太阳每秒钟照射到地球上的能量就相当于燃烧500万吨煤释放的热量。广义上的太阳能是地球上许多能量的来源，如风能，化学能，水的势能

的应用却一直未得到广泛重视，直到７０年代世界出现“石油危机”，地面大规模应用太阳电池发电才被列上许多国家的议事日程。当时太阳能发电主要使用的是单晶硅太阳电池。进入８０年代中期，环境继能源之后，又成
薄膜电池由于所使用的硅量远较单晶硅少，又无效率衷减问题，并用有可能在廉价底材上制备，其成本预期要远低于体单晶硅电池，实验室效率已达１８％，远高于非晶硅薄膜电池的效率。因此，多晶硅薄膜电池被认为是最有可能

、硫化铜薄膜太阳电池中的任意一种就能获得生产成本低于1欧元／瓦的无框架光伏组件，如果采用晶体硅技术实现上述同样的目标，就需要建成一家年产量达500Mw太阳电他的生产厂。因此，整个光伏市场将会逐渐被薄膜
备CdS薄膜，其方法主要是将含有3和Cd的化合物水溶液，用喷涂设备喷涂到玻璃或具有SnO2导电膜的玻璃及其它材料的衬底上，经热分解沉积成CdS薄膜。 各国不同学者采用的工艺都基于如下热分解效应