表面钝化

，一般都采用表面织构化、发射区钝化、分区掺杂等技术，开发的电池主要有平面单晶硅电池和刻槽埋栅电极单晶硅电池。提高转化效率主要是靠单晶硅表面微结构处理和分区掺杂工艺。在此方面，德国夫朗霍费费莱堡太阳能系统

（San Jose），分析太阳能材料成为一项日益增长的业务。控制表面粗糙度、叠层的掺杂分布、钝化层中氢的含量，以及表面污染，是四项主要的挑战。SVTC Analytical的商务开发经理Julian

，Jsc为36.8mA/cm2，FF为0.76。采用了减小单元表面电极的背接触式（Back Contact）结构。该公司表示，如果采用背面钝化结构等，转换效率可超过18％。 （编辑：xiaoyao)
，该公司通过应用降低单元表面反射率的蜂窝结构（Honeycomb Texture）等，使转换效率达到了18％。开放电压（Voc）为643mV，短路电流密度（Jsc）为38.03mA/cm2，曲线因子（FF

　　中科院电工研究所 王文静 一 引言 　　为了降低晶体硅太阳电池的效率，通常需要减少太阳电池正表面的反射，还需要对晶体硅表面进行钝化处理，以降低表面缺陷对于少数载流子的复合作用。 　　硅的

、钝化膜激光开孔、激光刻边技术，甚至用激光技术实现选择性扩散等。 干法刻蚀技术应用在多晶硅制绒方面，能有效降低表面反射进而提高电池效率，是很有发展前途的工艺技术之一，已有多家厂商正在开发
专用生产设备，几年后将实现大规模应用。 先进的高质量钝化膜将取代当前单一的氮化硅膜。随着选择性发射结工艺的广泛应用，更迫切地需要有先进的钝化膜进一步将上表面的载流子复合速度降低一个

线的导电率可由硅晶圆来决定。相较下，利用化学气相沉积法制作的硅纳米线，不只成本昂贵、产量小，且需要掺入杂质才能提升导电率。 研究团队目前计划研究表面改质(如表面钝化)，对效应电化学
(Shuit-Tong Lee)等人所制作的电池在整个太阳光频谱范围(300-1000 nm)都有优异的抗反射性，以及杰出的表面缺陷诱发(defec-induced)导电性。此外，硅纳米线具有很大的表面

的硅晶圆上制作出30-50μm厚度的硅箔。 以这种硅箔一步加工成为1cm2的太阳能电池，即使无背面的钝化，或是刻意的表面处理，也能得到10％转换效率。IMEC表示，如果进行适当的表面处理，应可实现更高的转换效率。IMEC制成的太阳能电池用硅箔将硅箔与金属薄膜剥离时的仿真图像

高效硅太阳电池厚度为100μm，也被称为NRS/BSF（典型效率为17%）和NRS/LBSF（典型效率为18%）,其特征是正面具有倒金子塔绒面的选择性发射结构，前后表面均采用钝化结构来降低表面复合，背面

,增强光的有效吸收,对电池表面进行钝化和通过改进电极的结构。在增强对太阳光 的有效吸收方面采用了多种方法:如多层减反射膜,倒金字塔结构,机械和化学刻槽等。而随
文 摘:通过对MOS结构电容的测量分析,计算出太阳电池表面积的变化,实现对电池绒面制作 工艺的控制与分析。实验数据与理论计算结果

表面轮廓分析仪测量的刻痕形貌。1064nm激光刻划的刻槽边缘有高达4微米的“脊状峰”，这不利于后续沉积的背电极接触层及金属背电极与透明导电薄膜之间形成连续的具有良好欧姆特性的连接
。 图5 CdTe薄膜激光刻划刻痕形貌 2． 碲化镉薄膜的表面腐蚀技术 刚沉积的碲化镉薄膜载流子浓度低，需要在含氧、氯的气氛下进行380