薄膜

薄膜,索比光伏网为您提供薄膜相关内容,让您快速了解薄膜最新资讯信息。关于薄膜更多相关信息,可关注索比光伏网。

百佳年代模切材料荣登权威人气榜TOP10来源:百佳年代 发布时间:2024-01-24 10:32:51

了产业链超600+企业代表出席探讨,共话行业发展。伴随国家“双碳”战略深入推进,储能、动力电池、新能源汽车等领域迅速升温,带动产业链上游高分子材料、功能性薄膜、功能性胶带、材料制成中的涂布模切加工等行业的

广东: 推进光伏+农业融合发展 拓展分布式光伏应用来源:广东省发改委 发布时间:2024-01-24 07:22:02

高效晶硅太阳能电池片及CdTe(碲化镉)光伏发电玻璃的生产和关键设备制造;推动钙钛矿及叠层电池、柔性薄膜电池等先进技术研发和设备制造,以及光伏组件回收利用技术研发及产业化应用。加快光伏产业补链强链,重点聚焦

11.6%!钙钛矿发光二极管外量子效率再刷新来源:中国科学报 发布时间:2024-01-23 11:09:36

-纳米技术》。锡基钙钛矿具有环境友好、维度可调和光电特性优异等优点,是替代传统铅基钙钛矿的理想材料之一。然而,目前锡基钙钛矿光电器件性能远落后于铅基钙钛矿器件。“三维钙钛矿结晶速度过快导致薄膜缺陷密度高,而准
方法可获得低缺陷、单一界面的高质量二维/三维钙钛矿异质结,但是复杂、苛刻的制备工艺限制了其在大面积钙钛矿薄膜及器件中的应用。”为此,该研究团队开发了简便的一步溶液外延生长方法,通过简单旋涂,制备出可大

长三角BIPV研究院院长卞水明:2025年建筑光伏有望从50GW跨越到200GW,年增在50GW左右来源:索比光伏网 发布时间:2024-01-23 09:54:24

案例。首先看一下目前市场上的材质。一种是铜铟镓硒的,它可以做成彩色组件,实现建筑立面的镀彩化、美观化。第二种是薄膜碲化镉产品,可以做彩色组件。第三种是单晶硅产品。这些市场都已经很成熟了。第四种是隆基的隆

山西中来光能张耕:公司n型TOPCon电池量产效率可达25%以上来源:索比光伏网 发布时间:2024-01-23 09:00:08

,可以看到银浆成分的分布。我们知道,在电池片印刷之前要进行镀膜,一般镀的是氮化硅薄膜,它是一个绝缘膜,我们需要首先将绝缘膜打开,将金属浆料与半导体材料进行接触。怎么打开?我们一般使用的是铅材料,也就

捷佳伟创陈麒麟:2023年钙钛矿效率突破26%,异质结+钙钛矿成为叠层电池发展主流来源:索比光伏网 发布时间:2024-01-23 08:50:28

提供商。不管是叠层还是薄膜太阳能电池,从第一道工序到最后一道工序,都是捷佳伟创的产品。目前捷佳伟创在这样的技术中,还没办法做到所谓的“交钥匙”方案,包括技术的交付保证效率。因为现在每家的结构层、钝化层
通过激光的方式,让上面100多个电池自动串联在一起,需要有激光设备从P1做到P4的去边、清边设备。这是去年钙钛矿薄膜电池发展的效率,到去年底,其实进展有点快,包括极电、纤纳、协鑫,在不同的尺寸上都有

东方日升赵国镱:异质结+钙钛矿叠层未来功率有希望突破1000W来源:索比光伏网 发布时间:2024-01-22 16:39:46

,异质结作为单p/n结的技术终点,拓展性比较好,未来它和钙钛矿、薄膜技术结合起来形成叠层电池,相率将达到30%以上。我们也知道,异质结和其他类型的电池技术已经共存了很多年,但一直得不到很大的普及,原因是
将进一步摊薄,目前异质结设备从两三年前的5亿元/GW下降到现在的3.5亿元/GW。除了设备问题之外,传统的异质结还受到两方面问题的制约。一是非晶硅薄膜不耐受高温。这方面的问题,日升通过自有专利的声连接、无

大恒能源张成超:大恒全面屏组件每年可节省清洗运维成本50%左右来源:索比光伏网 发布时间:2024-01-22 16:36:39

来说,如何根据项目特点选择匹配度更高、更加稳定、发电量更低的产品,以此降低BOS成本及度电成本?这一组数据是光伏组件的差异化优势对比,列了单玻组件、双面单玻、防积灰、薄膜及柔性组件。随着行业的发展,现在

鹑火光电蔡冰博士:钙钛矿电池转化率十余年由3%提升到26%以上,发展速度最快来源:索比光伏网 发布时间:2024-01-22 16:16:02

的制备工艺和设备解决方案,这也是鹑火光电公司正在致力于的发展方向。在高质量钙钛矿薄膜及电池制备技术方面,鹑火光电采用超低气流气淬成膜技术和双重后期处理策略,使得器件良品率从50%提高至90%,实现超过
碲化镉、铜铟镓硒等传统的薄膜电池。钙钛矿电池与晶硅叠层电池的效率更达到了33.9%。通过改变钙钛矿的化学组成,可以调变其光学带隙,不仅可以获得SQ极限下最佳的带隙,还可以提升单节电池效率。通过叠层的方法

天合光能再度申请异质结太阳能电池及其制备方法专利来源:SOLARZOOM光储亿家 发布时间:2024-01-22 15:52:39

背面无铟TCO薄膜;利用PVD设备在N型掺杂层上制备正面含铟TCO种子层,并在正面含铟TCO种子层上制备正面无铟TCO薄膜;以及分别制备背面电极、正面电极。在公布该专利的同时,国家知识产权局还同步公告