薄膜硅太阳电池

技术产业化的先决条件便是原料来源的充足。作为光伏技术基础的半导体材料地壳储量丰富，硅（Si）材料储量丰度约为28%，镓（Ga）约为19ppm，通过现有晶硅和薄膜太阳能技术可满足全人类用电需要。其次
等大半导体分支行业的产业配套不断完善。目前，我国光伏产业已形成从多晶硅提纯、太阳电池制造、组件封装到系统集成的完整产业链体系，辅料、设备等配套产业相对完善，土地、人力等成本较欧美主要光伏国家偏低，且

半导体材料地壳储量丰富，硅（Si）材料储量丰度约为28%，镓（Ga）约为19ppm，通过现有晶硅和薄膜太阳能技术可满足全人类用电需要。其次，光伏技术受益于太阳辐射，不同于水电、风电、核能等其他新能源对资源

Electronic Materials）已确认能用氢氧化纳取代氢氟酸，氢氧化纳虽然也具有腐蚀性，但较容易处理，对操作者而言危险性也较低。薄膜太阳能电池，有重金属问题目前超过90%的太阳能电池使用多晶硅，然而
近几年多晶硅材料出现短缺，使得部分业者转向投入薄膜太阳能电池，它的优势在于制造成本更低，使用的能源与材料更少，未来若转换率能进一步提升，有望与多晶硅相匹敌。除了上述的优点，薄膜太阳能电池可在价格低廉的

，2016年下半年该标准将完成报批稿并最终提交至归口单位。 　　 　　铜铟镓硒薄膜太阳电池是以铜铟镓硒材料为吸收层的薄膜太阳电池，通过将电池沉积在玻璃基板或柔性不锈钢等材料上，封装后形成组件。铜铟镓硒薄膜

硼浓度、用掺镓取代掺硼、使用N型硅晶体、高温热处理、使用同族掺杂硅晶体都可以实现光衰减抑制。余教授特别指出，浙大研究成果表明，第三态的生成能有效控制直拉单晶太阳电池的光衰减效应。 浙江大学

热处理、使用同族掺杂硅晶体都可以实现光衰减抑制。余教授特别指出，浙大研究成果表明，第三态的生成能有效控制直拉单晶太阳电池的光衰减效应。浙江大学硅材料国家重点实验室余学功教授发表演讲《掺硼直拉单晶硅

将完成报批稿并最终提交至归口单位。铜铟镓硒薄膜太阳电池是以铜铟镓硒材料为吸收层的薄膜太阳电池，通过将电池沉积在玻璃基板或柔性不锈钢等材料上，封装后形成组件。铜铟镓硒薄膜太阳电池的弱光性能优势明显，在光线

今后较长一段时间里，会出现薄膜太阳电池与晶硅太阳电池共存的局面，但是薄膜光伏产品将很快会在市场上扩大份额，并快速增长，最终以铜铟镓硒等为代表的薄膜太阳电池技术将成为光伏行业的主流。对于薄膜

太阳电池已成为国际光伏市场发展的新趋势和新热点。 目前已经能进行产业化大规模生产的薄膜电池主要有3种:硅基薄膜太阳能电池、铜铟镓硒薄膜太阳能电池(CIGS)、碲化镉薄膜太阳能电池(CdTe)。 传感器

发展方向。在今后较长一段时间里，会出现薄膜太阳电池与晶硅太阳电池共存的局面，但是薄膜光伏产品将很快会在市场上扩大份额，并快速增长，最终以铜铟镓硒等为代表的薄膜太阳电池技术将成为光伏行业的主流。对于