薄膜太阳电池

太阳电池生产线技术改造项目》的议案。2011年底建成200MW太阳电池生产线，2012年底完成产品技术升级，最终实现单晶硅电池不低于18.5%和多晶硅电池不低于17.0%的平均转化效率的目标。根据
政治决心和因过度投资和经济下滑带来的产能过剩。同时，光伏三代技术中的多晶硅、薄膜、聚光技术之间存在竞争和博弈关系，其核心在于各自技术的转换效率和生产成本。南洋科技看好公司拓展太阳能背材膜等高端薄膜

教授。1991年以优秀的多晶硅薄膜太阳电池技术获博士学位。2000年，回国创办无锡尚德太阳能电力有限公司，2005年无锡尚德在美国纽交所上市，以23亿美元身家成为中国的新首富，无锡尚德成为中国最大的
4544.1万股股份，占总股份9.90%。 光伏能源事业部是新奥能源可再生能源开发、利用领域的前导企业，立足能源前端市场，整合全球先进技术，聚集全球尖端人才，面向国内外客户提供技术领先的高品质硅基薄膜

、砷化镓（GaAs）等其它半导体材料，以薄膜化或多接面串接来提升转换效率，逐渐进化到强调低成本、制程设备与原料取得容易，且可弯挠的第三代太阳能电池，而其中以「染料敏化太阳能电池」（DSSC）发展最被看好
。1991年第一个能源转换率8%的DSSC染料敏化太阳电池由Graetzel于Nature期刊上发表，其结构上大致是由两片ITO或FTO导电玻璃层内，以奈米尺寸的TiO2二氧化钛颗粒，涂布特制染料分子与

（1974）也是为通讯卫星开发的。其AM0时电池效率15％，AMI时＞18％。这种技术后来被高效电他和工业化电池普遍采用。（4）异质结太阳电池即不同半导体材料在一起形成的太阳电池J瞩SnO／Si，In20
、In2O3、（1n2O3＋SnO2）是许多薄膜电他的重要构成部分，作收集电流和窗口材料用。（5）M1S电池是肖特基（MS）电他的改型，即在金属和半导体之间加入1．5一3．0nm绝缘层，使MS电池

形式，到第二代非晶矽、砷化镓（GaAs）等其它半导体材料，以薄膜化或多接面串接来提升转换效率，逐渐进化到强调低成本、制程设备与原料取得容易，且可弯挠的第三代太阳能电池，而其中以「染料敏化太阳能电池
」（DSSC）发展最被看好。1991年第一个能源转换率8%的DSSC染料敏化太阳电池由Graetzel于Nature期刊上发表，其结构上大致是由两片ITO或FTO导电玻璃层内，以奈米尺寸的TiO2二氧化钛颗粒

晶硅电池在过去20年里有了很大发展，许多新技术的采用和引入使太阳电池效率有了很大提高。在早期的硅电池研究中，人们探索各种各样的电池结构和技术来改进电池性能，如背表面场，浅结，绒面，氧化膜钝化，Ti
硅电池的一个重要进展来自于表面钝化技术的提高。从钝化发射区太阳电池（PESC）的薄氧化层（＜10nm）发展到PCC／PERC／PER1。电池的厚氧化层（110nm）。此外，表面V型槽和倒金字塔技术

结果。近年来硅电池的一个重要进展来自于表面钝化技术的提高。从钝化发射区太阳电池（PESC）的薄氧化层（＜10nm）发展到PCC／PERC／PER1。电池的厚氧化层（110nm）。此外，表面V型槽和倒
Si／c-Si异质pp+结高效电池SHARP公司能源转换实验室的高效光伏电池，前面采用绒面织构化，在SiO2钝化层上沉积SiN为A只乙后面用RF-PECVD掺硼的c一Si薄膜作为背场，用SiN薄膜作为

，将在高性能硅基太阳电池技术、低成本薄膜太阳电池技术和第三代高效太阳电池探索研究，在相关关键技术上形成自主的知识产权，并将研究结果产业化;同时锻炼一批具有较高理论和技术水平的青年工程师和科学家，在太阳电池

。目前，太阳电池发电在航天、通讯及微电子领域已占据了不可替代的位置，但在社会整体能源结构中所占比例很小，主要原因是太阳电池成本较高，要使其真正成为能源体系的组成部分，必须大幅度降低成本。薄膜太阳电池在

增强晶硅光吸收方面取得进展。本次双方进行战略合作并建立光伏创新研究中心，将在高性能硅基太阳电池技术、低成本薄膜太阳电池技术和第三代高效太阳电池探索研究，在相关关键技术上形成自主的知识产权，并将研究结果