薄膜太阳电池

for Photovoltaics Innovation）。光伏创新研究中心的建立，将在高性能硅基太阳电池技术、低成本薄膜太阳电池技术和第三代高效太阳电池探索研究，在相关关键技术上形成自主的知识产权，并将研究结果产业化

发布《太阳能发电科技发展十二五专项规划》，在太阳能发电规划中，我国将把实现太阳能大规模利用、使其发电成本可以与常规能源竞争作为十二五规划的总体目标。《规划》提出将重点布局晶体硅电池、薄膜电池及新型电池三大
技术研发。到2015年，力争晶硅电池效率达到20%以上，硅基薄膜电池效率达到10%以上，碲化镉、铜铟镓硒薄膜电池实现商业化应用，装机成本达到1.2万元到1.3万元/千瓦，初步实现用户侧并网光伏系统平价上网

上游掌握高端设备制造，中游生产太阳电池能板，下游发电，才能整合产业链。他的自信源于一种行业趋势：在成本高、规模小的多晶硅产品遭受重创的同时，具备规模优势、采用新一代太阳能电池技术的薄膜太阳能企业正持续
建筑物装上太阳能薄膜，其发电量可达1000GW（十亿瓦特），相当于目前中国所有的电力装机量。 在北京总部，汉能集团计划将三栋办公楼装上太阳能薄膜，发电量足够整座楼全天候使用。这种被称为

2020年有望降低到0.05欧元/千瓦时。我国将把实现太阳能大规模利用、使其发电成本可以常规能源竞争作为“十二五”规划的总体目标。 　　《规划》提出将重点布局晶体硅电池、薄膜电池及新型电池三大
技术研发。到2015年，力争晶硅电池效率20%以上，硅基薄膜电池效率10%以上，碲化镉、铜铟镓硒薄膜电池实现商业化应用，装机成本1.2万-1.3万元/千瓦，初步实现用户侧并网光伏系统平价上网，公用

效率20%以上，硅基薄膜电池效率10%以上。　　在关键指标设计上，《规划》明确到2015年，将实现多晶硅材料生产成本降低30%，配套材料国产化率达到50%；晶体硅太阳电池整线成套装备国产化，具备
1 .26G W，在建的太阳能热发电站超过2 .24G W，年平均效率超过12%。　　布局三大技术研发　　《规划》提出将重点布局晶体硅电池、薄膜电池及新型电池三大技术研发。到2015年，力争晶体硅电池

%。　　布局三大技术研发《规划》提出将重点布局晶体硅电池、薄膜电池及新型电池三大技术研发。到2015年，力争晶体硅电池效率20%以上，硅基薄膜电池效率10%以上。在关键指标设计上，《规划》明确到2015
年，将实现多晶硅材料生产成本降低30%，配套材料国产化率达到50%；晶体硅太阳电池整线成套装备国产化，具备自主知识产权的晶硅整线集成交钥匙工程能力；单晶硅电池产业化平均效率突破20%，拥有自主知识产权

材料生产成本降低30%，配套材料国产化率达到50%；晶体硅太阳电池整线成套装备国产化，具备自主知识产权的晶硅整线集成“交钥匙”工程能力；单晶硅电池产业化平均效率突破20%，拥有自主知识产权的非晶硅薄膜
　　《规划》提出将重点布局晶体硅电池、薄膜电池及新型电池三大技术研发。到2015年，力争晶体硅电池效率20%以上，硅基薄膜电池效率10%以上。 　　在关键指标设计上，《规划》明确到2015年，将实现多晶硅

%，配套材料国产化率达到50%；晶体硅太阳电池整线成套装备国产化，具备自主知识产权的晶硅整线集成交钥匙工程能力；单晶硅电池产业化平均效率突破20%，拥有自主知识产权的非晶硅薄膜电池产业化平均效率突破10
晶体硅电池、薄膜电池及新型电池三大技术研发。到2015年，力争晶体硅电池效率20%以上，硅基薄膜电池效率10%以上。 　　在关键指标设计上，《规划》明确到2015年，将实现多晶硅材料生产成本降低30

太阳能技术的保障措施。《专项规划》首先分析了国内外太阳能行业的形式，指出晶体硅太阳电池市场份额超过85%，未来10-20年内仍将是市场主流；薄膜太阳电池市场份额约占15%，技术向着高效率、稳定和长寿命的方向

a-Si膜（i型a-Si膜），通过顶层内的电场来抑制复合电流，这就是HIT构造。通过导入约5nm左右的薄膜i型a-Si层，可看到反向的饱和电流密度降低了约2个数量级。亦即通过导入i型a-Si层，能够
HIT太阳电池的Voc大小相关。所以，通过提高a-Si的钝化性能以提高寿命的方法可以认为对提高HIT太阳电池的输出电压是有效的。　　图三Voc和载流子寿命（us）的关系HIT太阳能光伏电池单晶体硅的表面