薄膜太阳电池

造成的。对此，在顶层和结晶Si之间插入高质量a-Si膜(i型a-Si膜)，通过顶层内的电场来抑制复合电流，这就是HIT构造。通过导入约5nm左右的薄膜i型a-Si层，可看到反向的饱和电流密度降低了约2
HIT构造中的a-Si钝化性能的好坏和HIT太阳电池的Voc大小相关。所以，通过提高a-Si的钝化性能以提高寿命的方法可以认为对提高HIT太阳电池的输出电压是有效的。图五Voc和载流子寿命(us)的关系

三方面的优势：作为减反射薄膜;钝化太阳电池表面从而降低表面复合速度;薄膜中丰富的氢可以钝化体内的缺陷态。影响三个优势体现的关键因素之一就是氮化硅中的硅含量。增加硅的含量，折射率n和消光系数k均相
索比光伏网讯:采用等离子体增强气相沉积法制备了双层氮化硅作为多晶硅太阳电池的减反膜，理论模拟了双层氮化硅的光学参数，实际测试情况和理论模拟吻合良好。电池IV参数表明双层氮化硅不但具有更佳的减反射效果

到200um，如果继续减小厚度，电池的性能将会下降。1、提高太阳电池的光电转换效率和降低成本是太阳电池研究的主要方向，薄膜太阳电池能够大幅度降低材料的用量，是降低太阳电池成本最有效的手段。多晶硅太阳能电池在世

索比光伏网讯:HIT是HeterojunctionwithIntrinsicThin-layer的缩写,意为本征薄膜异（膜厚5～10nm）质结.HIT太阳能电池是以光照射侧的p/i型a-Si膜和背面
(Energybandgap)的硅奈米薄膜，表层再沉积透明导电膜，背表面有着背表面电场。通过优化硅的表面织构，可以降低透明导电氧化层（TCO）和a-Si层的光学吸收损耗。HIT太阳能光伏电池抑制了p型、i型

材料生产成本降低30%，配套材料国产化率达到50%；晶体硅太阳电池整线成套装备国产化，具备自主知识产权的晶硅整线集成"交钥匙"工程能力；单晶硅电池产业化平均效率突破20%，拥有自主知识产权的非晶硅薄膜
"规划的总体目标。 　　《规划》提出将重点布局晶体硅电池、薄膜电池及新型电池三大技术研发。到2015年，力争晶硅电池效率20%以上，硅基薄膜电池效率10%以上，碲化镉、铜铟镓硒薄膜电池实现商业化应用

50%；晶体硅太阳电池整线成套装备国产化，具备自主知识产权的晶硅整线集成交钥匙工程能力；单晶硅电池产业化平均效率突破20%，拥有自主知识产权的非晶硅薄膜电池产业化平均效率突破10%。为保证《规划》顺利
。《规划》提出将重点布局晶体硅电池、薄膜电池及新型电池三大技术研发。到2015年，力争晶硅电池效率20%以上，硅基薄膜电池效率10%以上，碲化镉、铜铟镓硒薄膜电池实现商业化应用，装机成本1.2万-1.3

是市场主流；薄膜太阳电池市场份额约占15%，铜铟镓硒薄膜电池商业化最高效率达到13.6%，技术向着高效率、稳定和长寿命的方向发展。得益于产业发展和技术进步，光伏发电成本将持续下降，2015年光
年增长率快速发展，2010年产量8.7GW，占到世界总产量的50%，连续四年产量世界第一，商业化晶体硅太阳电池光电转换效率已接近19%，硅基薄膜电池商业化最高效率达到8%以上,生产设备也已经从过去的全部

索比光伏网讯:AM1.5、1000W/m2、25℃是IEC61646--地面用薄膜型光伏组件设计和定型(GB/T18911-2002)的测试标准。也是GB/T11011-1989--非晶硅太阳电池电
：Path-lengththroughtheatmosphererelativetoverticalthicknessoftheatmosphere，就是光线通过大气的实际距离比上大气的垂直厚度。AM1.5就是光线通过大气的实际距离为大气垂直厚度的1.5倍。1000W/m2是标准测试太阳电池的光线的辐照度。25C就是在

的关键技术。2有机薄膜太阳能电池的发电原理图1有机薄膜太阳电池的断面图及发电机理图1所示为有机薄膜型太阳能电池(OTFSC)的断面。OTFSC主要由承担基本光吸收与空穴输送的-共轭高分子和承担电子输送

对晶体硅太阳电池表面和体内的钝化作用，因为其数值对于膜的折射率、消光系数、致密性都有直接的影响，本文的目的就是研究工艺气体流量对膜性能的影响。一、机理分析1.1气体的输运在CVD系统中，气体的流动处于
黏滞流的状态。气体的输运过程对薄膜的沉积速度、薄膜厚度的均匀性、反应物的利用效率等都有重要的影响。气体在CVD系统中发生两种宏观流动，一是外部压力造成的压力梯度使气体从压力高的地方向压力低的地方流动