薄晶体
效、廉价且具备通用性的光敏晶体。在过去短短的五年间，钙钛矿的能源转换率增幅明显--从 4% 激升至接近 20%，使其成为光伏行业历史上发展最快的技术，没有之一。早在 2009 年，科学家就已经对钙钛矿进行
普通消费者更能承担得起。2. 多用途： 钙钛矿管具备薄、柔和轻的结构特性，同硅材质厚、重和硬的易脆特性有着天然的优势。因此钙钛矿的用途非常广泛，理论上可以安装至屋顶木瓦、窗户甚至是任意想到的平面。而这
。
钙钛矿是一种比现有硅材料解决方案更高效、廉价且具备通用性的光敏晶体。在过去短短的五年间，钙钛矿的能源转换率增幅明显--从 4% 激升至接近 20%，使其成为光伏行业历史上发展最快的技术，没有
每瓦需要 75 美分，是前者的 3-8 倍，这也让太阳能面板让普通消费者更能承担得起。
2. 多用途： 钙钛矿管具备薄、柔和轻的结构特性，同硅材质厚、重和硬的易脆特性有着天然的优势。因此钙钛矿的用途
具备通用性的光敏晶体。在过去短短的五年间，钙钛矿的能源转换率增幅明显--从 4% 激升至接近 20%，使其成为光伏行业历史上发展最快的技术，没有之一。早在 2009 年，科学家就已经对钙钛矿进行各项
消费者更能承担得起。2. 多用途：钙钛矿管具备薄、柔和轻的结构特性，同硅材质厚、重和硬的易脆特性有着天然的优势。因此钙钛矿的用途非常广泛，理论上可以安装至屋顶木瓦、窗户甚至是任意想到的平面。而这种多用途
事情等等。
2、遗憾与不解：工厂大楼盖好了，项目却终止了
深圳是中国光伏产业最早的发源地之一，晶体硅电池生产企业(大明公司)与非晶硅电池生产企业(宇康公司)都是国内最早建立的光伏企业，但是后来
有一条30 MW的晶体硅电池生产线刚刚开始运行，从硅片清洗直到电池分选归类，完整地集成在一起(图4、图5)。
图3.2002年再次回到德国夫朗霍费太阳能系统研究所(FhG-ISE)访问，与
光电效应，一般的半导体主要结构如下：
图中，正电荷表示硅原子，负电荷表示围绕在硅原子旁边的四个电子。
当硅晶体中掺入其他的杂质(如硼、磷等)，掺入硼时，硅晶体中就会存在着一个空穴，它的
电池(通常是36个)并联或串联起来使用，形成太阳能光电板。
2.硅太阳能电池的生产流程
通常的晶体硅太阳能电池是在厚度350～450m的高质量硅片上制成的， 这种硅片从提拉或浇铸的硅锭上锯割而成
EQE测试曲线。从图7可以看到不同厚度的PERC电池量子效率的差异主要集中在900～1100m波段。这是因为晶体硅对长波的吸收较弱，硅片越薄，长波的吸收损失越明显。电致发光（EL）又称为电场发光。对电池
太阳能光伏发电是新能源的重要组成部分，近年来在国内外受到了高度重视并迅速发展。光伏发电的核心技术晶体硅电池技术也在取得持续进步。钝化发射极及背局域接触电池（PERC）最早是由新南威尔士大学研发的
生明显的电性能衰减。1997年J.Schmidt等证实硼掺杂Cz晶体电池出现光致衰减是由于光照或电流注入导致硅片中的硼和氧形成硼氧复合中心，从而使少子寿命降低，引起电池转换效率下降。2006年
A.Herguth等人发现在一定的温度和光照条件下，可以使硼氧复合体形成复合活性较低的中间态，在一定程度上降低由硼氧复合体复合中心导致的光致衰减。而掺磷的N型晶体硅中硼含量极低，本质上消除了硼氧对的影响，所以
形成完美的晶格结构，从而影响外延的InSb薄膜晶体质量。半个多世纪以来，高质量InSb材料制备一直是困扰科学家们的难题。赵建华团队的潘东等研究人员利用分子束外延技术，首先在Si（111）衬底上生长
晶等缺陷。其长度和宽度达到微米量级（大于10微米）、厚度可薄至10纳米。徐洪起等将这种高质量的二维InSb纳米片制成了场效应器件，器件具有明显的双极性特征，低温下场效应迁移率近20000 cm2
，石墨烯目前是世上最薄却也是最坚硬的纳米材料，常温下其电子迁移率超过15000cm2/Vs，又比纳米碳管或硅晶体高，而电阻率只有10E-8m，比铜或银更低，为世上电阻率最小的材料，应用其优异特性应该是
扩散能力：正负极活性材料都尽量薄，且在活性物质的内部具有足够且均匀的孔隙，以利离子通过。2.提高电解质离子导电率：以加快锂离子在正负极之间往来的速度。3.降低电池内阻。既然如此，我们从系统的角度决定改善
不考虑增发带来的业绩摊薄下，我们预计2015-2017年EPS分别为1.72/2.35/3.06元，同比增长160/37/30%，考虑到公司在光伏电站的储备、集团在电动车领域的规划布局、公司在电改方面
整个晶体硅光伏产业链中技术壁垒最高、投资额最大、建设期最长的一个环节；预计到2015年底，海外巨头的合计产能（含电子级多晶硅）约25万吨，其中美国以外的产能约15万吨；中国对美国多晶硅企业双反，利好
