薄晶体

a-Si：H膜(膜厚5-l0nm)和背面侧的i-n型a-Si：H膜(膜厚5-l0nm)夹住晶体硅片，在两侧的顶层形成透明的电极和集电极，构成具有对称结构的HIT太阳能电池。 图表1：HIT太阳能电池结构
处理中的性能退化，从而允许采用低品质的晶体硅甚至多晶硅来作衬底。 (2)双面电池HIT是非常好的双面电池，正面和背面基本无颜色差异，且双面率(指电池背面效率与正面效率之比)可达到90%以上，最高可达

PERC技术通过在电池背面附上介质钝化层，可以较大程度减少这种光电损失，从而提升光伏电池1%左右的光电转换效率。与需要在晶体层面突破的另一种电池 - 钙钛矿光伏相比，PERC是电池和组件组装方面的一项创新
通过提高电池在较长波长下捕捉光的能力来提高效率，特别是在清晨、傍晚或多云的情况下。PERC技术在电池和铝层之间添加了一层薄的介电层。任何穿过电池而不产生电子的光都会被这层反射回来 - 因此，这种光有

背面场(Al-BSF)到钝化发射机和背电池(PERC)技术，因为后者能与用于标准技术的现有生产线兼容。不过，依靠氢化非晶硅(a-Si:H)实现优异的晶体硅(c-Si)表面钝化性将使得将硅薄膜生产线
了260MWp，大规模生产的平均电池效率为22.8%。 技术开发 从图1中可以看到，SHJ电池的结构非常简单，并且仅需要6道工艺制造步骤。通常，SHJ电池由n型c-Si硅片制成，该硅片在两侧涂覆有薄的本

之后就进入PVD或RPD设备，沉积透明金属氧化物导电膜TCO。TCO纵向收集载流子并向电极传输。非晶硅层晶体呈长程无序结构，电子与空穴迁移率较低，横向导电性较差，不利于光生载流子的收集，因此需要在正面
薄 硅片的厚度取决于硅片生产工艺和电池加工温度。当前使用金刚线切割工艺的硅片最薄可以做到120微米，再薄成本不降反升。异质结技术产业化后，国内硅片厂完全有能力供应120+微米厚度的N型硅片。但当前

传统PECVD钝化技术，ALD技术使钝化膜更薄，并且大大降低TMA使用量，从而使成本降低。 ALD技术带来4.72%的成本下降空间：经测算，当加工成本自1.97元/片降低至1.72元/片时，非硅成本从
，高效电池成为主流：当前，在领跑者计划和产业转型升级的推动下，各种晶体硅电池生产技术呈现百花齐放发展态势，规模化生产的普通结构铝背场单晶和多晶硅电池的平均转换效率分别达19.8%和18.5%的水平

片、LED 用蓝宝石衬底片等的切割。金刚线规模应用于蓝宝石切割始于2007 年，而应用于晶体硅片的切割2010 年才刚刚开始。从目前金刚石线需求最大的两大下游行业分析，蓝宝石切割与晶体硅切割对金刚石线的技术
规格要求不尽相同。 2. 金刚线切割较传统砂浆切割体现出碾压式优势 光伏制造的切割应用情况。光伏产业链主要包括晶体硅材料制备、晶硅片生产、太阳能电池制造、组件及系统封装与应用

高端光伏幕墙已成为幕墙产业内部转型的方向 随着传统幕墙行业恶性竞争的加剧，行业利润率越来越薄，行业门槛也越来越低，高端光伏幕墙已经成为幕墙产业内部转型的方向。 光伏幕墙是将光伏发电技术与幕墙技术
封装在两层玻璃面板之间形成一种特殊的发电玻璃，有点类似于在夹层玻璃中间夹着光伏电池片，最简单的双玻组件结构原理如下图所示： 目前光伏幕墙的面板材料主要有两种技术路线：一种是晶体硅材料幕墙，一种是非

之前，单晶体PERC和其他单晶技术还有多少改进空间? Meydbray:每种技术的效率曲线都显示出快速增长，然后基本持平。铝背面场(BSF)是最后一种技术，可以达到的最大效率大约是20%或20.5
目前使用量的，这可能是现实的。 记者 那么，你对什么样的电池和组件技术特别感兴趣? Meydbray:从大约2009年到现在，晶体硅电池的效率稳定地以每年大约0.6%的速度增长，这是惊人的。我们

按照光伏电池片的材质，太阳能电池大致可以分为两类，一类是晶体硅太阳能电池，包括单晶硅太阳能电池、多晶硅太阳能电池;另一类是薄膜太阳能电池，主要包括非晶硅太阳能电池、碲化镉太阳能电池以及铜铟镓硒
太阳能电池等。目前，以高纯度硅材料作为主要原材料的晶体硅太阳能电池是主流产品，所占的比例在 80%以上。 在晶体硅太阳能发电系统中，实现光电转换的最核心步骤之一是将晶体硅加工成实现光电转换的电池片的工序

按照光伏电池片的材质，太阳能电池大致可以分为两类，一类是晶体硅太阳能电池，包括单晶硅太阳能电池、多晶硅太阳能电池;另一类是薄膜太阳能电池，主要包括非晶硅太阳能电池、碲化镉太阳能电池以及铜铟镓硒
太阳能电池等。目前，以高纯度硅材料作为主要原材料的晶体硅太阳能电池是主流产品，所占的比例在 80%以上。 在晶体硅太阳能发电系统中，实现光电转换的最核心步骤之一是将晶体硅加工成实现光电转换的电池片的工序