芯片设计

。 众所周知，目前市场上采用的功率模块的IGBT芯片大多采用硅材料制造，但是业界对硅（Si）材料的性能利用已接近极限。与Si相比，SiC的禁带宽度是Si的3倍，临界击穿电场强度是Si的10倍，电子饱和速率是

，因为这玩意要解决亮点和暗区问题，混光是免不了的，光损失很严重。LED寿命比节能灯长也是理论的，这个和散热设计，芯片质量都有关。LED光衰和亚克力黄变都是缺陷，和格栅各有千秋。 锦绣明天王天才
说明一切的。 锦绣明天王天才：商场如战场，没有战争，没有革命，就没有社会和技术的进步！ 照明行业分工还是比较细的，搞照明的人，并不是搞光源的，做照明灯具设计的人是仅可能发挥光源的特点，搞照明设计

芯片融合问题的前期工作时，发现了这个新现象：硅基集成电路是构建大多数半导体电子器件的基础，如太阳能电池，电脑，手机。他们发现除了可以合成出有着圆型光纤的片状芯片，还可以通过另一种途径合成出比人类头发
还细的新型光学纤维，并且这种纤维带有自己的集成电子组件，从而避免了合成光学芯片的需要。要做到这一点，他们采用高压化学技术，一层一层地直接将半导体材料沉积到光学纤维上微小的孔里。现在，在他们的新研究里

，光伏逆变器不同于一般的电力电子产品，对其设计、生产及质量控制都有特殊的要求。因此，相对来说，逆变器的确算是光伏产业链上较有技术门槛的一个环节。目前市场上有哪些主要的逆变器技术，各自的优势是什么？　　李
基本上没有这方面的专利。国内很多企业，有时候是为了专利而专利，致使很多专利甚至是垃圾专利。另外，从可靠性方面来讲，国际一流品牌企业在产品设计上会比较讲究，首先考虑的是产品性能。比如针对最影响逆变器寿命的

，以及使用环境的限制，光伏逆变器不同于一般的电力电子产品，对其设计、生产及质量控制都有特殊的要求。因此，相对来说，逆变器的确算是光伏产业链上较有技术门槛的一个环节。目前市场上有哪些主要的逆变器技术，各自的
可靠性方面来讲，国际一流品牌企业在产品设计上会比较讲究，首先考虑的是产品性能。比如针对最影响逆变器寿命的散热设计，国外品牌企业基本上都会选择效果最好的方案，成本问题会放在其后考虑。而国内企业由于成本压力

-米切尔与新型太阳能集中器的一个反射镜原型 新型太阳能集中器采用的芯片，呈角度的镜片和冷却管清晰可见 近日，据国外媒体报道，科学家从向日葵身上获取灵感，研制出向日葵形太阳能集中器。他们表示这种
集中器将让太阳能领域发生革命性变化。这种新型太阳能集中器利用数个反射镜将阳光聚焦到转换器芯片上。专家们表示这种太阳能集中器可用于为偏远地区提供电力。 科学家希望这项计划能够研发出具有经济可承受性的

OFweek太阳能光伏网讯：据英国每日邮报报道，目前，IBM研究人员从自然界中获取灵感，最新设计一种花朵太阳能集中器，声称将带来太阳能的革命性变化。最新研制的经济高强度光电热量系统（HCPVT），是
一个巨大的盘面结构，装配着多个镜面，附加的跟踪系统可改变朝向太阳的角度这种新颖装置使用一组镜面聚焦太阳光线至整流芯片，专家称一个花朵太阳能集中器便能为偏远地区提供电能。科学家希望这个项目能够形成一个

宽禁带电力电子器件的光伏逆变器研制及示范应用(前沿技术类，国拨经费控制额800万元，企业牵头)研制碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)电力电子芯片和器件，研究SiC和GaN器件在不同功率等级、电压范围
光伏逆变器的应用特性，掌握基于SiC和GaN器件光伏逆变器设计、制造、试验和运行技术，并在光伏系统中示范应用。科技部要求申报单位需按要求完成网上申报，并通过各推荐主体报送正式文件。为避免集中申报受理造成

生产线。 2. 基于宽禁带电力电子器件的光伏逆变器研制及示范应用（前沿技术类，国拨经费控制额800万元，企业牵头）研制碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）电力电子芯片和器件，研究SiC和GaN器件在不同功率等级
、电压范围光伏逆变器的应用特性，掌握基于SiC和GaN器件光伏逆变器设计、制造、试验和运行技术，并在光伏系统中示范应用。 科技部要求申报单位需按要求完成网上申报，并通过各推荐主体报送正式文件。为