背钝化技术

背场技术）将带来几亿欧元的收入。centaurus技术：电介质背场钝化以及Local Al-BSFSelective emitter技术能将单晶硅太阳能电池的效率提高0.4%，从而使其效率超过18

Q-Cells在太阳能行业顶级制造商的地位。” 这款名为Q.ANTUM的电池技术采用了180m厚的多晶硅片，金属电极设在电池背表面，电池表面经过了纳米层钝化。电池后表面涂有介电层，并配有局部点接触

仅体现了我们生产高质量产品的决心，还证明了Q-Cells在太阳能行业顶级制造商的地位。这款Q.ANTUM的电池技术采用了180m厚的多晶硅片，金属电极设在电池背表面，电池表面经过了纳米层钝化。电池后表面

校准这些设备是分不开的. 光谱失配对于选择性发射极电池技术的影响,类似的体现在电介质钝化和背场发射工艺带来的电池效率改进上,该项技术有望提高在长波范围内的转化率,并且该提高并未在组件中得到衰减

Center)制作出了转化效率达到20.2%的背接触硅基太阳能电池。在这种被称为MWT-PERC(金属穿孔卷绕-发射极和背面钝化电池)的设计使用了两种不同的手段提高效率，其一是通过金属卷绕降低正面电极遮挡，其二

扩散工艺 采用高浓度浅结扩散工艺技术，有效改善了 P-N 结(电池正负极)，提高了太阳能电 池片对太阳光的吸收率，从而提高了转换率;采用磷吸杂技术，增强了太阳能电池片对蓝光 的响应，使硅片表面易于钝化

产品，该产品利用了新一代金属贯穿式背电极（metal Wrap Through）技术，专供背电极晶硅电池使用。这款新的导电浆料可以使相关制造商的光伏电池转换效率提升0.4%，并且还承担着光伏产业在
2012年将晶硅太阳能电池转换效率提升超过20%目标的部分任务。金属贯穿式（又称缠绕式，以下简称缠绕式）背电极电池最早来自于荷兰能源研究中心，该技术将主栅线从传统的正面转移到背面，正面只保留细金属辅栅线，以

含量控制在了极低的水平上。新型材料的晶硅电池结构包括选择性发射极、背部钝化、点接触和硼背场 (BSF) 电池。此外，掺杂剂将使 n 型硅基材得到广泛的应用，代替当前占主导地位的 p 型硅，消除 p 型硅
光致退化效应带来的不良影响。 　　本着持续创新的精神，不断将成熟的半导体技术和材料应用于光伏行业，霍尼韦尔的新型掺杂剂和电介质材料将有助于晶硅光伏电池制造商将低成本、高产量的工业制造工艺应用到经过研发实验室验证的全新太阳能电池设计中。

标准化前表面技术，同时启用了拥有不同绝缘层的钝化背表面，该结构可实现在使用传统丝网印刷技术制造触点的同时使用了电池局部触点。肖特太阳能北美区首席执行官格里.法恩(Gerry Fine)表示，目前光伏产业

生产的全部关键技术，包括自主开发的电池表面微结构处理、电池扩散吸杂、电池体钝化及抗反射、太阳能电池背场、选择性发射极扩散太阳能电池等核心技术。 　　同时，作为国家高新技术企业，向日葵光能科技承担了