发射极、背部钝化、点接触和硼背场 (BSF) 电池。此外,霍尼韦尔的掺杂剂将使 n 型硅基材得到广泛的应用,代替当前占主导地位的 p 型硅,从而消除 p 型硅光致退化效应带来的不良影响。有很多既经济又
部业务总监 Dmitry Shashkov 表示:“霍尼韦尔本着持续创新的精神,不断将成熟的半导体技术和材料应用于光伏行业。霍尼韦尔的新型掺杂剂和电介质材料有助于晶硅光伏电池制造商将低成本、高产量的工业
熟练掌握了光伏电池片生产的全部关键技术,包括自主开发的电池表面微结构处理、电池扩散吸杂、电池体钝化及抗反射、太阳能电池背场、选择性发射极扩散太阳能电池等核心技术;晶体硅电池产品的平均转换率已达17.5
。 大面积碲化镉薄膜太阳能电池组件制造的关键技术 与小面积单元电池相同,硫化镉、碲化镉、复合背接触层等三层薄膜的沉积和后处理是获得高效率的技术关键。不同的是,需要在电池的制备过程中对在
,一般都采用表面织构化、发射区钝化、分区掺杂等技术,开发的电池主要有平面单晶硅电池和刻槽埋栅电极单晶硅电池。提高转化效率主要是靠单晶硅表面微结构处理和分区掺杂工艺。在此方面,德国夫朗霍费费莱堡太阳能系统
研究所保持着世界领先水平。该研究所采用光刻照相技术将电池表面织构化,制成倒金字塔结构。并在表面把一13nm。厚的氧化物钝化层与两层减反射涂层相结合.通过改进了的电镀过程增加栅极的宽度和高度的比率:通过
,Jsc为36.8mA/cm2,FF为0.76。采用了减小单元表面电极的背接触式(Back Contact)结构。该公司表示,如果采用背面钝化结构等,转换效率可超过18%。 (编辑:xiaoyao)
三菱电机宣布,其厚度为100m、面积为15cm见方的多晶硅型太阳能电池单元的光电转换效率达到了18%。这是该公司在新能源产业技术综合开发机构(NEDO)的平成20年度太阳能发电技术开发及相关
技术。设备主要依赖进口。丝网印刷工艺主要分正面和背面金属化工艺。其中正面栅状电极的设计思路主要从有效收集电流、减小遮光面积以及组件焊接方便来考虑;背面金属化的目标是在背面形成一层铝背场钝化层来提高开路
,深入研究绒面、扩散、发射区钝化、减反射、先进吸杂、专用材料等电池课题,以提高转换效率,减少漏电流,减少光衰为目标,优化电池片工艺技术,进一步提高了低成本新型硅太阳能电池的转换效率,迅速将科研成果转变为
背接触电池,这两种电池不同于传统的太阳电池结构,采用了新的设计思路,需要新工艺,新装备,而转换效率也将提高到20%以上,大大超过现有的15-17%的转换效率,CSI 阿特斯将利用工程技术研究中心的条件,展开该方向的研发工作并在三年内实现该高效电池的量产。
SHARP公司、美国的SUNPOWER公司以及欧空局为代表,在空间太阳电池的研究发展方面领先。其中,以发展背表面场(BSF)、背表面反射器(BSR)、双层减反射膜技术为第一代高效硅太阳电池,这种类型的电池典型
氧化层。
物理刻蚀技术废料少,容易和其他工艺环节集成,但是不易获得厚度在10nm~100nm的高质量富碲层,该层对于形成良好欧姆接触特性的背电极是非常关键的
图
1. 集成技术 集成工艺对组件的转换效率具有决定性的影响。实现集成的刻划技术有机械刻划、激光刻划两种。机械刻划的刻划速度比激光
硅电池研究中,人们探索各种各样的电池结构和技术来改进电池性能,如背表面场,浅结,绒面,氧化膜钝化,Ti/Pd金属化电极和减反射
第三个时期。这个时期的主要特征是把表面钝化技术、降低接触复合效应、后处理提高载流子寿命、改进陷光效应引入到电他的制造工艺中。以各种高效电池为代表,电池效率大幅度提高,商业化生产成本进一步降低,应用