包括氮化硅膜,氧化铝膜,二氧化硅膜,非晶硅膜,透明导电膜 等。PERC,TOPcon,HJT,P-IBC 等电池技术通过使用不同的膜层来达到提效 目的。
氮化硅膜:减反作用和钝化作用。减反射膜原理在于
的同时完成了单晶硅的表面钝化,大大降低了表面、界面漏电流,电池效率较传统晶硅电池有较大幅度的提升。
3 工艺步骤:生产工艺决定量产难度
电池结构的复杂程度决定了电池量产的工艺步骤,同时也决定了设备
型单晶硅电池,而TOPCon、异质结、IBC等新型太阳能电池技术主要是指N型单晶硅电池。 三,细分赛道 1.TOPCon电池 TOPCon 电池技术,即隧穿氧化层钝化接触技术,其电池结构为 N
半年,正泰新能源集成印刷优化、正面钝化、LDSE 3.0、新背膜等多项公司研发最新成果,自主开发出Super PERC 3.0 电池技术,减少遮光面积、电学损失,增强钝化效果,降低表面复合,对比Super
钝化。正面无金属接触,背表面的正负电极接触区域也呈叉指状排列。 TBC 电池 通过对传统 IBC 电池的背表面进行优化设计,增加钝化接触结构。即用 p+和 n+的 POLY-Si 作 为
眼光,主要聚焦在TOPCon和HJT这两种钝化接触技术路线。高效晶硅电池技术演进的逻辑是,用更低成本的规模化工艺手段,减少电池载流子的复合,从而提高开路电压和转换效率。PERC电池胜出BSF铝背场电池
28.7%,高于HJT的27.5%,但前提是实现双面多晶硅钝化,而这一步很难跨过去,目前实验室层面的效率也仅22.5%,更别提量产效率了。而背表面钝化技术TOPCon电池的理论效率极限只有27.1
载流子输运机制 市场上另外一种主流N型技术HIT也采用了背钝化技术,但使用了非晶硅膜层,电池制造工艺中需要制备多层非晶硅膜层,制备工艺比较复杂,导致HIT太阳电池的制造成本偏高,降低了整体的性价比
采用硼扩散的发射极,背表面为SiOx/n+ poly钝化接触结构,采用LPCVD沉积本征poly-Si,然后采用离子注入进行掺杂,前表面和背表面均为H型栅线电极,可双面发电,此技术路线称之为
。 值得一提的是,该电池采用了基于等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术制备的新型多晶硅化物薄膜,可显著增强表面钝化、降低中长波段寄生吸收,同时兼顾载流子选择性收集,能够全面提升填充因子、短路电流及开路
采用PERC背钝化接触技术后,由于AL2O3/SiNx均为介质绝缘膜,为实现电学接触,需对介质膜进行局域开孔,由此造成载流子需通过二维输运才能被金属电极收集,造成横向电阻输运损耗,FF随着金属接触