背膜

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南洋科技:太阳能背材膜需求缺口较大来源:世纪新能源网 发布时间:2016-01-07 23:59:59

索比光伏网讯:南洋科技(002389)上周日表示,对于锂电池隔膜项目,公司将在做好目前生产线运营基础上再考虑是否扩大。对于太阳能背材膜,公司表示,根据有关行业分析,市场需求仍有比较大的缺口,公司新建项目产能消化将不成问题。南洋科技的主营业务为电容器专用电子薄膜的制造和销售。

【数读】中国光伏产业亟待解决何种顽疾?来源: 发布时间:2015-12-23 00:01:59

企业的水平,但在高效率电池技术研发方面还存在着差距。而提高硅电池的光电转换效率的主要技术壁垒包括以下几个方面:●减少电池表面栅线遮光率,以增加电池的有效受光面积。●制备良好的绒面和减反射膜以降低电池
表面光反射损失。●在电池背面形成良好的背电场,以降低表面的复合速率。●采用高的发射极方块电阻,以提高电池的短波长光谱效应。光伏系统能否普遍推广运用,取决于光伏并网技术发展的成熟度,所以,必须突破最大功

什么是高效晶硅光伏电池技术?来源:光伏新闻 发布时间:2015-12-10 08:35:41

理解,而光生载流子复合损失是什么呢?光生载流子的复合主要是由于高浓度的扩散层在电池前表面引入大量的复合中心,此外,当少数载流子的扩散长度与硅片的厚度相当或超过硅片厚度时,电池背表面的复合速度对太阳能电池
减反射膜。 在晶体硅表面制作一层具有一定折射率的膜,可以使入射光产生的各级反射相互间进行干涉甚至完全抵消。减反射膜不但可进一步减少光反射损失,还能提高电池的电流密度并起到保护电池、提高电池稳定性的作用

高效晶硅光伏电池技术究竟是什么?来源: 发布时间:2015-12-10 00:03:59

是什么呢?光生载流子的复合主要是由于高浓度的扩散层在电池前表面引入大量的复合中心,此外,当少数载流子的扩散长度与硅片的厚度相当或超过硅片厚度时,电池背表面的复合速度对太阳能电池特性的影响也很明显
结构,虽然此方法能更有效的地降低光反射率,但成本比化学腐蚀制绒法高,因此不适合在生产上大规模使用。  倒置金字塔陷光结构2、制作减反射膜。在晶体硅表面制作一层具有一定折射率的膜,可以使入射光产生的各级

解析:什么是高效晶硅光伏电池技术?来源:光伏新闻 发布时间:2015-12-09 23:59:59

复合损失是什么呢?光生载流子的复合主要是由于高浓度的扩散层在电池前表面引入大量的复合中心,此外,当少数载流子的扩散长度与硅片的厚度相当或超过硅片厚度时,电池背表面的复合速度对太阳能电池特性的影响也
陷光结构,虽然此方法能更有效的地降低光反射率,但成本比化学腐蚀制绒法高,因此不适合在生产上大规模使用。倒置金字塔陷光结构2、制作减反射膜。在晶体硅表面制作一层具有一定折射率的膜,可以使入射光产生的各级

CIGS薄膜太阳能光伏产业发展现状来源:材料导报 发布时间:2015-11-26 10:37:35

。这样高能量光子在宽带隙薄膜表面处被吸收,能量较小的红外光子透过薄膜表面后在带隙极小处被吸收,从而最大限度地提高光子的吸收效率。另外,后偏析V型带隙分布由于在靠近Mo背电极附近的吸收层形成势垒,减少
了光生载流子在Mo背电极的复合,从而可获得更多的电流输出。(6)抗辐射能力强硅基太阳能光伏电池经过较长一段时间使用后,或多或少存在热斑现象,导致发电性能减弱,增加维护费用。CIGS吸收层中的Cu迁移和

【解读】CIGS薄膜太阳能光伏产业发展现状来源: 发布时间:2015-11-26 00:00:59

效率。另外,后偏析V型带隙分布由于在靠近Mo背电极附近的吸收层形成势垒,减少了光生载流子在Mo背电极的复合,从而可获得更多的电流输出。(6)抗辐射能力强硅基太阳能光伏电池经过较长一段时间使用后,或多或少
Solar采用Cu、In、Ga溅射成膜,然后硒化的技术路线,所开发的4Ow电池组件的转化效率为12.1%。Global Solar同样采取溅射硒化的技术路线,研发的900cm。电池组件转化效率达13.2

中来股份与英利能源收购新三板公司来源: 发布时间:2015-11-16 08:53:59

。中来股份在主营业务的同时,向电池片领域延伸,研制出了全球先进的离子注入法制备N型单晶双面高效电池的技术及工艺;英利中国为全球领先的太阳能电池和组件制造企业,拥有多年熊猫电池及组件的制造经验和全球品牌营销

中来携手英利谋划高效单晶生产线来源: 发布时间:2015-11-14 00:07:59

自动化产品分销业务,经过多年的发展,形成了工业自动化电气系统集成领域从业务开拓至系统设计、钣金生产、电气柜生产、现场施工、设备调试、售后跟踪服务等一整套的客户系统解决方案。据了解,中来股份主营业务

【技术】N型黑硅光伏电池知多少?来源: 发布时间:2015-11-12 00:08:59

等离子体加强化学气相沉积(PECVD)的65nm厚的SiNx层。首先在硅片表面制作氧化层掩膜留出2*2cm2的窗口。通过RIE使用SF6/O2在120℃条件下刻蚀硅片窗口位置7分钟制作黑硅。图2a显示
,背面通过PassDop工艺进行钝化。PassDop工艺包括PECVD沉积磷掺杂非晶SiCx:H层,在钝化层表面激光开槽形成接触点。激光开槽后,在接触点位置磷扩散形成局部背表面场。在硅片背面烝镀铝形成背面