背膜

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中来股份荣获由教育部颁发的科学技术进步二等奖来源:索比光伏网 发布时间:2018-04-26 15:22:47

近日,由苏州中来光伏新材股份有限公司、江南大学与合作伙伴携手合作,基于太阳能产品性能需求驱动,以贯穿太阳能制造全生命周期的新工艺、新装备、新系统协同创新为技术途径的《太阳能协同制造技术与

应用光伏领跑者中几种高效技术介绍来源:智汇光伏(PV-perspective) 发布时间:2018-04-23 11:31:51

、P型高效电池技术 技术1:PERC技术 1)基本解释 PERC技术:采用Al2O3膜对背表面进行钝化,可以有效的降低背表面复合,提高开路电压,增加背表面反射,提高短路电流,从而提高电池效率

拓日新能2018年第一批组件原材料采购项目及合格供应商入围招标公告来源:索比光伏网 发布时间:2018-04-02 08:47:53

TRZB180401-03 宽990mm,双面含氟厚度0.3MM 公差2mm 平米 1245000 EPE隔离条 0.2*624*75mm 平米 34700 TRZB180401-04
45900 反光膜 宽1.2mm 平米 42350 TRZB180401-06 EVA膜 宽975mm厚0.5,公差+2mm 平米 1200000 EVA膜 宽975mm厚0.65 公差+2mm 高透

6家总营收469.15亿!保利协鑫、中来、横店东磁、易事特、先导智能、科陆企业财报发布(详见财报数据分析表)来源:光伏头条 发布时间:2018-03-19 22:36:06

主营业务包括、电池及组件和光伏系统集成销售。其中,占比最高,占营业收入比重的55.35%;光伏头条统计发现,电池及组件业务较2016年比,业绩尤为抢眼,从2016年的0.73亿元到2017年的

中来光电2018新产品技术鉴定会在泰州圆满落幕来源:索比光伏网 发布时间:2018-02-12 11:00:44

采用多晶硅隧穿电极接触结构,正反两面均由覆盖SiNx减反膜,金属化由丝网印刷完成,由于两面栅线结构都是常规的H型,因此TOPCon电池不仅正面可以吸收光,其背表面也能从吸收散射光从而产生额外电力。基于
,发射极和背表面场呈叉指结构交错排列在电池的背面,电池背面有4对主栅线,且采用悬浮主栅设计,主要有以下特点: 1、由于正面没有栅线遮挡,电池的短路电流较常规电池有大约7%的提升,AM 1.5G条件下其

浙江向日葵光能科技股份有限公司2011年度报告摘要来源: 发布时间:2018-02-02 14:22:04

背场、选择性发射极扩散太阳能电池等核心技术;晶体硅电池产品的平均转换率已超过18%,在国内同行中处于领先水平。报告期内,公司6 inch高效率大规格晶体硅太阳能电池及组件研制项目顺利通过省科技厅验收
太阳能电池多层膜的研究与开发等项目,这些项目已基本完成技术研究开发工作,预计明年将陆续完成各项研究工作。   (九)主要控股公司的经营情况及业绩   1、绍兴向日光电新能源研究有限公司(以下简称向日

中来股份预计2017年一季度净利润同比增长92%至120%来源:世纪新能源网 发布时间:2018-02-02 14:16:39

平均净利润增长率为23.93%。公司表示,1、2017年第一季度公司净利润较去年同期增长的主要原因是募投项目全部建成投产,销售量大幅增加。2、预计本报告期非经常性损益对净利润的影响金额约为66.63万元。

现代产业链下的农业光伏新模式来源:中国农业报 发布时间:2018-02-02 14:15:39

土地综合利用、有效开发;由于大宗资本进入农业光伏大棚项目,助推农业结构调整,改变了农村传统脸朝黄土背朝天的经营方式;光伏大棚除了传统的农业收益外,还可以参照设施农业申请农业扶持资金、光伏可以享受
业、生活废水排放量的总和。而农膜白色污染,全国在反季节蔬菜瓜、果塑料和大棚种植中塑料薄膜用量高达 630 万吨,残膜回收率仅 60%,大量农膜残留在土壤中,这种高分子化合物在自然条件下很难分解,影响土壤

中来纪事:从质疑到10%中的第一来源:pv-tech 发布时间:2018-02-02 14:09:26

索比光伏网讯:2014年9月12日,苏州中来光伏新材股份有限公司登陆中国深交所创业板,这家因专注太阳能电池产品而被视为盘子小的中来股份终于在资本市场站住一个席位,成为国内首家光伏背板上市公司
很多反对的声音,中来作为定位涂覆型生产与销售的企业,也受到各方的质疑。涂覆型背板的开发与兴起跟整个市场局势息息相关,在前几年光伏市场很好的时候,由于国内对光伏背板的需求旺盛,使得氟膜的供应一度紧张

晶龙连续6年荣登全球新能源500强榜单来源:河北日报 发布时间:2018-02-02 14:04:38

钝化和局部铝背场)工艺技术。PERC工艺采用原子层沉积(ALD)或等离子体增强化学气相沉积(PECVD)工艺,在硅片背面形成氧化铝膜层,然后再在该膜基础上生长一层氮化硅膜进行保护。通过在背钝化膜层采用