背接触

近年来，多晶硅原材料的紧缺，已制约了单晶硅或多晶硅的硅光电池的规模生产。高倍聚光电池及系统的规模应用，将缓解对于硅多晶原料的依赖。 技术可行的适合于聚光用的太阳能电池有两种：单晶硅的背接触

量产的使用“背接触单元”的模块，同时公开了其输出功率。此前，该公司也曾展示过太阳能电池单元和模块，不过公开模块输出功率还是首次（参阅本站报道）。“由于输出功率已经达到量产水平，所以公开了数据。本公司在

设备：一台Galaxy印刷机、一台Photon印刷机以及可与他们搭配使用的晶圆处理设备（由CHAD公司提供）。 首先要介绍的是基于Photon印刷机的晶圆背覆印刷方案。DEK提供的资料显示，这套
。”他说。 由CHAD提供的晶圆处理器被放置在上述两台印刷机之间——无论背覆或是植球，这台处理器都能根据制造的要求计算晶圆片数并完成最终的定位。 “晶圆处理器实际上起到的是一个机械手的作用。”沈

官方认证机构——产业技术综合研究所的检验。 京瓷使用“背接触（back-contact）”新型电极构造实现的18.5％，是此前多晶硅太阳能电池单元转换效率的最高值。此次三菱电机表示，使用标准电极
构造也能实现超过使用背接触构造时产生的转换效率。 三菱电机提出了2010年度将年产量提高至500MW的目标。该公司计划在2010年度以后，将实现此次全球最高值的关键技术——“蜂窝构造”用于量产

。 　　京瓷使用“背接触（back-contact）”新型电极构造实现的18.5％，是此前多晶硅太阳能电池单元转换效率的最高值。此次三菱电机表示，使用标准电极构造也能实现超过使用背接触构造时产生的

专门设计并实现的电池接触，并结合以等离子体粗糙处理的表面。 　　大多数适用于多晶硅太阳能电池的高温衬底都是绝缘体，所以必须开发新的金属接触方案以避免使用背接触。考虑到制造模块的低成本性，最

最高数值。优点是可使用现有生产线制造”（该公司）。除三菱电机外，京瓷使用背接触构造将多晶硅单元的转换效率提高到了18.5％。 　　三菱电机曾在2000年的国际会议上发布过将多晶硅单元转换效率提高至

采用背接触结构实现了18.5％。该公司目前量产的模块采用的是转换效率为16.5％的多晶硅单元。 　　此次的模块采用了基于背接触结构的单元。通过为单元背面采用黑色背板，减小布线部分——母线

生产。　　为了进一步降低电池背面复合影响，背面结构则采用背面钝化后开孔形成点接触，即局部背场。这些高效电池典型结构为PERC、PERL、PERT、PERF，其中前种结构的电池已经在空间获得实用。典型的
SHARP公司、美国的SUNPOWER公司以及欧空局为代表，在空间太阳电池的研究发展方面领先。其中，以发展背表面场（BSF）、背表面反射器（BSR）、双层减反射膜技术为第一代高效硅太阳电池，这种类型的电池典型

表面轮廓分析仪测量的刻痕形貌。1064nm激光刻划的刻槽边缘有高达4微米的“脊状峰”，这不利于后续沉积的背电极接触层及金属背电极与透明导电薄膜之间形成连续的具有良好欧姆特性的连接
氧化层。 物理刻蚀技术废料少，容易和其他工艺环节集成，但是不易获得厚度在10nm～100nm的高质量富碲层，该层对于形成良好欧姆接触特性的背电极是非常关键的