缺陷

人员的退出。由于体制性缺陷，一些亏而不倒、僵而不死的发电企业尤其是国有企业，仍然靠发电集团或政府的背书，由银行提供的资金维持运转。企业作为一个自负盈亏的市场主体，应从发电集团或政府背景中剥离出来，通过

上下层之 间的接触面积;CIS/CIGS 层作为光吸收层是电池的最关键部分，要求制备出的半导体薄 膜是 p 型的，且具有很好的黄铜矿结构，晶粒大、缺陷少是制备高效率电池的关键;CdS 作为缓冲层， 不但
位或者结构的缺陷，结晶特性相对较差，最后导致电池效率较低。 共蒸发法制备吸收材料的光电性能优良， 用这种方法制备的小面积电池的转换效率 高达 19. 99%，保持着薄膜太阳能电池的世界纪录。我国

(TPT、EPE)背板等材料进行封装，但电池的切片、辅料、人工、折旧等费用略有增加，组件端成本微增： 外观缺陷电池可再利用，但电池片损耗、组件残次品率升高。由于半片电池将常规电池切半后使用，故外观受损范围
较小的缺陷电池可实现再利用。然而晶体硅电池十分脆弱，切半过程增加电池片损毁;半片电池在组件中的串联过程也更加复杂、精细化、接头更多，电池破裂的概率增加。不过，半切电池成品率约95%，领先的半切公司如

。该仪器利用晶体硅的电致发光原理，利用高分辨率的CCD相机拍摄组件的近红外图像，获取并判定组件的缺陷。EL检测仪能够检测太阳能电池组件有无隐裂、碎片、虚焊、断栅及不同转换效率单片电池异常现象。 组件

的光伏公司而言，风险尤甚。 以上半年大热的动力电池行业为例，自新补贴政策落地后，让前期蹭热度和补贴的动力电池企业技术能力弱的缺陷暴露无遗，从产能结构性过剩到现金流不足，再到企业停工停产，动力电池正在

太阳能电池的重要步骤之一。其关键在于该薄膜不仅减少硅表面反射，还钝化硅材料中大量的杂质和缺陷，并通过改变禁带中能带为价带或导带以提高硅片中的载流子迁移率，延长少子寿命调高光电转化效率的目的。因此如何更好的增强
提前50℃到达。说明氮气退火时的折射率的膜结构改变要早于真空环境的退火状态。可能是在氮气气氛下，N2更多的进入薄膜，高温退火后Si-N和N-H键被破坏，H逸出薄膜表面造成体内缺陷增多，产生不饱合键，故

海南，但是这两个地方也都有一些缺陷，因为海南是一个旅游省，没有大规模土地能够做。黑龙江风电比较多，也容易被限电，这个可能也会影响光伏的发展。 但无论如何，平价上网可能首先出现在东北和华北地区，也就资源