缺陷

，巡检回来之后，会产生海量图像和视频，人工很难做鉴别。通过训练出来的AI，可以很快速进行设备识别和缺陷识别。 李宇：物联网最重要的是连接价值 华为技术有限公司物联网解决方案架构师李宇

到17.3%以上的转换效率，现在最高可达18%左右。高效多晶铸锭技术的关键在于降低晶体中的位错和其他缺陷。业界估计至少有十余种方法制作高效多晶，例如使用单晶碎片或多晶碎片作为籽晶，使用特殊坩埚或热场等等
结晶速度和过冷度，从而提高了硅晶体的少子寿命，降低了硅晶体的内部缺陷，提高了多晶硅电池效率。 2.1 大晶粒的制备 大晶粒学名成为准单晶(Monolike)是基于多晶铸锭的工艺，在长晶时通过部分

，电池管理系统、储能变流器(PCS)、能量传输系统之间的协调问题等，长沙电池储能电站一期工程通过首次采用PCS成套设备单体试验、电池舱间对拖试验等方法，有效解决了各环节的缺陷，保障了工程建设顺利进行。

全自动控制; 3.蓝膜涂层材料的缺陷如下： ①非常大的投入，复杂的设备系统和工艺控制系统很难降低成本，有非常明显的技术门槛; ②由于膜层非常薄，且与基材的韧性及热膨胀系数相差较大，在相对恶劣的
致命缺陷，主要是寿命较短，这是由它的特性决定的。铝材通过反复在酸液中电解氧化形成多孔的氧化铝膜后，再在Ni、Sn电解液中交流电解，形成锡镍合金与多孔的氧化铝膜组合成蓝黑色的复合涂层，具有光谱选择性吸收

。 1.引言 在晶棒脱胶完毕后，或在分选硅片时，常会发现硅片胶面呈现边沿发亮，硅层呈线式脱落崩边的情况，其分布位置多为胶面倒角附近，有时也会产生在倒角中间位置。胶面崩边是一种较常见的硅片缺陷，其影响

; 2)熔断器、断路器选型和安装不当，造成直流拉弧; 3)系统设计缺陷，电缆或者开关载流量偏少，选成局部温度过高; 4)施工不当，电气设备螺丝拧得过松，电缆接头压接不牢，选成接头处接触电阻过大;或者

为主，相比同尺寸同PERC工艺下直拉单晶组件低约5Wp。 据张淳介绍，经过不断的改进，目前鑫单晶EL降级比例2.29%，前期低档位中出现明显EL暗纹的情况现在基本消失，目前主要的缺陷是晶界线，占比
，转换成每瓦少耗电0.06度。 设备方面，目前市场上买不到直接可以用的铸锭单晶设备，需要自行改造;对铸造单晶晶棒少子寿命和缺陷检测需要投入少量新的设备，主要是增加端面少子寿命检测和位错检测以及晶花

，PVDF自身难以成膜，必须添加其他材料不低于30%的PMMA，俗称亚克力，固有脆性很强。 添加亚克力之后容易造成PVDF薄膜横向力学性能差的缺陷，主要表现为断裂伸长率低，一般低于30%。 为了弥补
这个缺陷，个别厂家在配方中添加弹性体，使得这类PVDF薄膜在力学性能测试时产生藕断丝连般的效果，以达到更高的测试结果，但对实际的户外耐老化性能毫无帮助。另外，由于PVDF薄膜加工难度和门槛相对较低，每家

。 直流回路在运行中常常受到多种不利因素的影响而造成接地，使得系统不能正常运行。如挤压、电缆制造不良、绝缘材料不合格、绝缘性能低、直流系统绝缘老化、或存在某些损伤缺陷均可引起接地或成为一种接地隐患