缺陷率

结晶缺陷，改善太阳能电池多的特性，进而提高转换效率。此外，因采用低频、高密度等离子进行高速成膜，使用MCXS生产的晶体硅太阳能电池组件具备高PID耐性，该特性已经获得了日本独立行政法人产业技术综合研究所
SCI-8SM和业内最小尺寸＊2的外观检查装置SCI-8S。此检查装置，对于防止因生产线停止造成的长时间生产中断和提高成品率具有显著效果。岛津希望通过向日益扩大的太阳能电池市场提供上述3个产品，为普及

运行成本，且具有更高PID耐性的减反射膜成膜装置（CVD）MCXS。本装置，通过高密度等离子修复硅片表面和内部存在的结晶缺陷，改善太阳能电池多的特性，进而提高转换效率。 此外，因
外观的复合检查装置SCI-8SM和业内最小尺寸＊2的外观检查装置SCI-8S。 此检查装置，对于防止因生产线停止造成的长时间生产中断和提高成品率具有显著效果。 岛津

。通过退税分批逐年返回，类似在养路费、个人所得税、车船税上采取这种返还或税收优惠的方式。徐晓东对此建议。在徐晓东看来，目前对可再生能源补助政策存在缺陷。补助多数给了供应端，其实补给终端消费者更合
、逆变器等等，发电成本约为2.5美元/瓦。以此为基数，加之计入欧洲平均约1300小时/年的日照、光伏电站约20年的寿命、8%贴现率（将未来支付改变为现值所使用的利率）等因素后，得出综合发电成本约为

澳大利亚新南威尔士大学在1998年创造的。多晶硅电池成本低，转换效率也略低于单晶硅太阳能电池，目前多晶硅电池实验室效率世界记录是20.4%。多晶硅中的各种结晶缺陷和金属杂质是造成电池光电转换率降低的原因
年增长率快速发展，2012年光伏组件的产能为37GW，产量为21.1GW，占全球的54%，其中99%都是晶体硅电池。中国从2007年连续7年成为全球最大的太阳能电池制造国

多晶铸锭技术。使用普通的电池片制作工艺，高效多晶硅片可达到17.3%以上的转换效率，现在最高可达18%左右。高效多晶铸锭技术的关键在于降低晶体中的位错和其他缺陷。业界估计至少有十余种方法制作高效多晶，例如
竞争力，市场占有率不断降低。到2014年，多晶硅片的转换效率预计将提高到18%以上，而成本降至每片0.5美元以下(见方形数据点)，相应的竞争力曲线是右上方的曲线。从图中可看到，几乎所有其他硅片技术此时

1998年创造的。多晶硅电池成本低，转换效率也略低于单晶硅太阳能电池，目前多晶硅电池实验室效率世界记录是20.4%。多晶硅中的各种结晶缺陷和金属杂质是造成电池光电转换率降低的原因。目前，大规模工业化生产的
开始光伏太阳能电池产业迎来了快速发展期。目前全球光伏市场增长最快的分别为德国、中国和美国。中国太阳能电池产量均以100%以上的年增长率快速发展，2012年光伏组件的产能为37GW，产量为21.1GW，占

减反层，折射率就需要控制在2.3左右。SiO2可以有效地减小表面态，减少表面复合，从而起到钝化的作用。但是制备SiO2的时候需要高温条件，长时间的高温条件易使质量较差的单晶及多晶硅衬底产生缺陷，导致
MWT和EWT太阳电池结构的优越性；(4)实现从电池的前结和背结双结共同收集电荷，故有很高的电荷收集率。此外，薄的硅片因为减少了电荷的传输路径，降低了孔电阻，也可以提高电池的填充因子。激光打孔技术应用

得到同样程度的提高。正接触电池片和背接触电池片的区别仔细研究正接触电池片和组件的各种技术概念，你会看到这种技术存在的天然缺陷。在电池片连接成组件的过程中存在着一个两难的问题：为了降低电池片至组件(CTM
横截面电池片连接提供了条件，但工业界一直在寻找一种低成本的方式来同样实现低CTM损耗率。一种新的连接方式 库迈思与菲郎霍弗太阳能系统研究所合作研发了一种新的互联方式，叫做HIP组件(或称高效组件)技术

，但最终的组件效率并没有得到同样程度的提高。 正接触电池片和背接触电池片的区别 仔细研究正接触电池片和组件的各种技术概念，你会看到这种技术存在的天然缺陷。在电池片连接成组件的过程中存在着
，CTM损耗很低，并且没有正面的阴影。虽然导电背板为大横截面电池片连接提供了条件，但工业界一直在寻找一种低成本的方式来同样实现低CTM损耗率。 　一种新的连接方式 库迈思与菲郎霍弗