结晶炉

美元，比起采用传统西门子法每公斤成本30~40美元，以及采用流体床反应炉法每公斤成本约20~30美元，明显具有杀伤力。硅晶圆加工厂指出，冶金级硅若能独当一面，对于严重缺料导致料源成本居高不下的太阳光电
换效率达15%，亦严重威胁正要发展的薄膜太阳能电池，2008年下半将步入量产的诸多薄膜太阳能电池厂，产品转换效率约5~6%，设备资本支出又是传统结晶硅太阳能电池3~4倍，一旦冶金级硅在近几年兴起，薄膜

。用高纯度的多晶硅在单晶炉内拉制而成。 熔融的单质硅在凝固时硅原子以金刚石晶格排列成许多晶核，如果这些晶核长成晶面取向相同的晶粒，则这些晶粒平行结合起来便结晶成单晶硅。 单晶硅具有

精工科技（002006）半年度报告披露，公司最近已经研制成功高新技术产品――太阳能多晶硅结晶炉。记者随后从公司采访获悉，该项目属于浙江省十一五重大科技攻关项目，精工科技的科技人员经过两年多艰苦努力
依赖于西方发达国家，如日本、德国、西班牙、意大利、美国等政府对这一产业的鼓励政策；三是设备在外，我国生产硅晶片的设备如结晶炉、切片机都是进口的。 　　据悉，国内有多家研究机构包括清华大学在内都在

主要设备：CZ生长炉 　　CZ法生长炉的组成元件可分成四部分 　　（1）炉体：包括石英坩埚，石墨坩埚，加热及绝热元件，炉壁 　　（2）晶棒及坩埚拉升旋转机构：包括籽晶夹头，吊线及拉升旋转元件
）加料：将多晶硅原料及杂质放入石英坩埚内，杂质的种类依电阻的N或P型而定。杂质种类有硼，磷，锑，砷。 　　（2）熔化：加完多晶硅原料于石英埚内后，长晶炉必须关闭并抽成真空后充入高纯氩气使之维持一定

，使薄膜的厚度可以很薄，而且薄膜的少数载流子扩散长度也是很容易超过1／，甚至对结晶程度很差或者多子浓度很高的材料，其扩散长度也容易超过V0、Cu1nSe2的光学性质主要取决于材料的元素组份比、各组份的
均匀性、结晶程度、晶格结构及晶界的影响。大量实验表明，材料的元素组份与化学计量比偏离越小，结晶程度好，元素组分均匀性好，温度越低其光学吸收特性越好。具有单一黄铜矿结构的Cu1nSe2薄膜，其吸收特性比

包履石墨为衬底，用快速热化学气相沉积（RTCVD）技术沉积多晶硅薄膜，硅膜经过区熔再结晶（ZMR）后制备太阳电池，两种衬底的电池效率分别达到9．3％和11％。 北京市太阳能研究所自1996年开始
的纯度大部分仍在6N到7N，价格依其品位约在10一20美元／kg。目前半导体工业用的投炉多晶硅料是采用三氯氢硅精馏法（西门子法）生产的，采用改进的西门子法并扩大规模进行生产是未来降低成本的有效措施之一