组件封装
Through 金属穿透)技术是在硅片上利用激光穿孔技术结合金属浆料穿透工艺将电池片正面的电极引到背面从而实现降低正面遮光提高电池转换效率的目的。同时由于该技术的组件封装特点，组件的串联电阻低
金属箔还可起到隔绝水汽和增强散热的作用，在高温高辐照度区实际发电量优势更为明显。
据了解，日托光伏的标杆Benchmark 系列MWT高效组件改变了传统组件封装工艺、适合产业化生产，并拥有
成本，更多发电量；独特的电池结构设计，有效降低组件封装中的功率损耗；造型美观，用途广泛，可用于农业大棚、渔光互补、光伏建筑一体化。亮点三 战略协议签订仪式本次盛会将和众多光伏龙头企业签订战略合作
转换效率可达19.52%，在PERC电池工艺下可达20.85%，与同样工艺的直拉单晶效率相差不超过0.5个百分点。与同样边长的直拉单晶硅片相比，整锭单晶硅片面积更大，组件封装损失更小。普通电池工艺的
吸光，正面光电转换效率 大于21%，背面光电转换效率 大于15%，更高效率，更低成本，更多发电量;独特的电池结构设计，有效降低组件封装中的功率损耗;造型美观，用途广泛，可用于农业大棚、渔光互补
%，与同样工艺的直拉单晶硅片效率相差不超过0.5个百分点。与同样边长的直拉单晶硅片相比，整锭单晶硅片面积更大，组件封装损失更小。普通单晶电池工艺的G3硅片60片组件功率可达到280~285瓦，应用
。与同样边长的直拉单晶硅片相比，整锭单晶硅片面积更大，组件封装损失更小。普通电池工艺的G3硅片60片组件功率达到280-285瓦，应用PERC工艺可达295-300瓦。不仅如此，G3硅片还继承了铸锭技术
0.5个百分点。与同样边长的直拉单晶硅片相比，整锭单晶硅片面积更大，组件封装损失更小。普通电池工艺的G3硅片60片组件功率达到280-285瓦，应用PERC工艺可达295-300瓦。 不仅如此，G3硅片
不超过0.5个百分点。与同样边长的直拉单晶硅片相比，整锭单晶硅片面积更大，组件封装损失更小。普通单晶电池工艺的G3硅片60片组件功率达到280-285瓦，应用PERC工艺可达295-300瓦。不仅如此
单晶，融合了单晶完美的晶体结构和表面特性、多晶的低成本等优势，G3新产品无论是外观还是位错密度都可媲美直拉单晶。而且，铸锭鑫单晶硅片光衰更低、组件封装损失小且更容易扩大尺寸，全寿命周期的实际输出功率更高
生产材料的创新，大部分都是国内厂商在生产，尤其是在浆料、EVA、背板、组件封装等材料的创新度还需要加强。第二点，伴随着单晶PERC技术的升级、多晶黑硅技术大面积的应用，带来的问题是设备厂商对设备的研发
