纳米晶

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太阳能电池介绍来源:价值中国 发布时间:2015-09-07 16:06:49

待于进一步研究探索。 4.纳米化学太阳能电池 在太阳能电池中硅系太阳能电池无疑是发展最成熟的,但由于成本居高不下,远不能满足大规模推广应用的要求。为此,人们一直不断在工艺、新材料、电池薄膜化等方面进行
探索,而这当中新近发展的纳米TiO2晶体化学能太阳能电池受到国内外科学家的重视。自瑞士Gratzel教授研制成功纳米TiO2化学大阳能电池以来,国内一些单位也正在进行这方面的研究。纳米化学太阳能电池

【警惕】这些光伏骗局,你了解多少?来源:阳光工匠光伏网 发布时间:2015-08-21 08:43:55

、蜗牛等) 4、家居建材类(彩装膜、纳米彩晶膜、墙纸等) 5、汽车用品类(汽车坐垫等) 6、服装鞋包类(童装、童车、玩具等) 7、网上商城加盟类

光伏组件选型:单晶、多晶的可靠性与经济性比较分析来源:乐叶光伏 发布时间:2015-08-04 08:30:33

微小的单晶的组合,中间有大量的晶界,包含了很多的缺陷,它实际上是一个少子复合中心,因此降低了多晶电池的转换效率。另一方面,单晶硅片的位错密度和金属杂质比多晶硅片小得多,各种因素综合作用使得单晶的少子寿命
区间。 2013-2015年,连续快速拉晶技术和金刚线切片技术的导入使得单晶组件成本与多晶组件成本差距缩小到3%以内,采用单晶组件与采用多晶组件的电站单位投资成本持平。 预计到2016年

单、多晶硅片性能差异与可靠性对比来源:乐叶光伏 发布时间:2015-08-03 23:59:59

决定单晶和多晶系统性能差异的关键。左图是单晶硅片,是一种完整的晶格排列;右图是多晶硅片,它是多个微小的单晶的组合,中间有大量的晶界,包含了很多的缺陷,它实际上是一个少子复合中心,因此降低了多晶电池的
技术的性能和成本区间。2013-2015年,连续快速拉晶技术和金刚线切片技术的导入使得单晶组件成本与多晶组件成本差距缩小到3%以内,采用单晶组件与采用多晶组件的电站单位投资成本持平。预计到2016年

顺风与中科背后潜伏两大资本大鳄 “德隆系”浮出水面来源:能源一号 王佑 发布时间:2015-07-21 08:54:28

所构建的一个大平台亚太资源板块下,有着诸多的清洁能源概念公司:做地源热泵技术并融合合同能源管理的挪宝新能源、电动汽车厂陆地方舟、高性能电池企业波士顿、LED企业晶能光电、海水发电企业纳米碳管、德国

揭秘顺风、中科背后隐藏的两大资本大鳄来源:能源一号作者:王佑 发布时间:2015-07-20 23:59:59

构建的一个大平台亚太资源板块下,有着诸多的清洁能源概念公司:做地源热泵技术并融合合同能源管理的挪宝新能源、电动汽车厂陆地方舟、高性能电池企业波士顿、LED企业晶能光电、海水发电企业纳米碳管、德国逆变器

中科院化学所在太阳能电池材料与器件研究方面取得新进展来源:中科院化学研究所 发布时间:2015-06-23 10:03:07

ITO纳米线芯层与Cu2S纳米壳层组装而成的ITO@Cu2S纳米线阵列,使用这种具有三维导电网络结构的材料制备的量子点敏化太阳能电池表现出优于传统材料的优异性能(NanoLett.
,2014,14,365);通过优选Cu2S纳米壳层的构筑方法,深入研究其组装结构中ITO纳米线芯层与Cu2S纳米壳层间界面对电池性能的影响,进一步提高了电池的转换效率(ACSAppl.Mater.Interfaces

中科院化学所在太阳能电池材料与器件研究方面取得新进展我要分享来源:世纪新能源网 发布时间:2015-06-22 23:59:59

ITO纳米线芯层与Cu2S纳米壳层组装而成的ITO@Cu2S纳米线阵列,使用这种具有三维导电网络结构的材料制备的量子点敏化太阳能电池表现出优于传统材料的优异性能(Nano Lett., 2014, 14

黑科技:纯硅变“黑硅” 可简化太阳能电池制造来源:eet-china 发布时间:2015-06-17 09:17:12

具有比光波长更小的纳米级突起或孔隙形成的高度纹理表面,使其得以在一天中的任何时间有效率地收集来自任何角度的光线。莱斯大学化学教授Andrew Barron表示,他已经和研究团队经过长时间为黑硅的制造进行
金质细线作为电极,而且不必再移除使用过的催化剂粒子。研究人员发现,以化学浴沈积进行蚀刻也发生在距离设定的金属线外之处。Barron表示,这一距离的存在似乎与硅晶的半导体特性有关。Yen-Tien以金质的

黑科技:纯硅变“黑硅”可简化太阳能电池制造来源:eet-china 发布时间:2015-06-17 08:53:37

比光波长更小的纳米级突起或孔隙形成的高度纹理表面,使其得以在一天中的任何时间有效率地收集来自任何角度的光线。莱斯大学化学教授Andrew Barron表示,他已经和研究团队经过长时间为黑硅的制造进行
则可在初期工艺用于设置金质细线作为电极,而且不必再移除使用过的催化剂粒子。 研究人员发现,以化学浴沈积进行蚀刻也发生在距离设定的金属线外之处。Barron表示,这一距离的存在似乎与硅晶的半导体特性有关