纳米晶
5月10日，记者来到徐州经济技术开发区江苏协鑫硅材料科技发展有限公司，见到省双创人才、保利协鑫能源控股有限公司长晶事业部技术副总裁游达博士时，他正指导技术人员进行炉型升级，g6铸锭炉升级为g7新炉型
s4上，除了晶体结构控制，保利协鑫已经开始尝试其他的技术方案。其中，金刚线切多晶匹配湿法黑硅技术是当前研发的重点。保利协鑫的gcl法多晶黑硅片以金属诱导，产生纳米微孔结构，增加对光的吸收，解决了在金刚线
5月10日，记者来到徐州经济技术开发区江苏协鑫硅材料科技发展有限公司，见到省双创人才、保利协鑫能源控股有限公司长晶事业部技术副总裁游达博士时，他正指导技术人员进行炉型升级，g6铸锭炉升级为g7新炉
，保利协鑫已经开始尝试其他的技术方案。其中，金刚线切多晶匹配湿法黑硅技术是当前研发的重点。保利协鑫的gcl法多晶黑硅片以金属诱导，产生纳米微孔结构，增加对光的吸收，解决了在金刚线切多晶硅片的表面制备优质绒
，而且改变了光在硅中的前进方向，延长了光程，增加了光生载流子的产量;曲折的绒面又增加了结面积，从而增加对光生载流子的收集率。对于多晶硅电池而言，由于硅片晶粒晶向的不均匀，无法使用碱制绒。为有效降低绒面
反射率，目前已经有反应离子刻蚀(RIE)或者湿法纳米黑硅技术应用到规模化生产中。RIE通常使用SF6/O2混合工艺气体，在蚀刻过程中，F自由基对硅进行化学蚀刻形成可挥发的SiF，O自由基形成SixOyFz
硅中的前进方向，延长了光程，增加了光生载流子的产量;曲折的绒面又增加了结面积，从而增加对光生载流子的收集率。对于多晶硅电池而言，由于硅片晶粒晶向的不均匀，无法使用碱制绒。为有效降低绒面反射率，目前
已经有反应离子刻蚀(RIE)或者湿法纳米黑硅技术应用到规模化生产中。RIE通常使用SF6/O2混合工艺气体，在蚀刻过程中，F自由基对硅进行化学蚀刻形成可挥发的SiF，O自由基形成SixOyFz对侧墙进行
，延长了光程，增加了光生载流子的产量；曲折的绒面又增加了结面积，从而增加对光生载流子的收集率。对于多晶硅电池而言，由于硅片晶粒晶向的不均匀，无法使用碱制绒。为有效降低绒面反射率，目前已经有反应离子刻蚀
（RIE）或者湿法纳米黑硅技术应用到规模化生产中。RIE通常使用SF6／O2混合工艺气体，在蚀刻过程中，F自由基对硅进行化学蚀刻形成可挥发的SiF，O自由基形成SixOyFz对侧墙进行钝化处理，形成绒面
，Fraunhofer-ISE证实了公司的磊晶生长砷化镓纳米线太阳能电池实现了15.3％的太阳能转换效率的世界纪录。继这讯息之后的最新的里程碑是，这些电池最近由Fraunhofer重新测试，在初步
表面制绒是一种更稳定和有效的减反射方法。在工业生产和实验研究中，单晶硅利用各向异性腐蚀在碱液中制绒，硅片表面形成金字塔状结构可以有效地降低硅片表面的光反射率。但是多晶硅晶向不规则，各向同性，不能在碱液中
表面制备纳米结构，硅片看上去是黑色的，这就是黑硅。Kontermann等人使用飞秒激光脉冲工艺制备出单晶黑硅太阳能电池。Dimitrov和Du采用化学方法在酸性Na2S2O8和AgNO3混合溶液中制作
技股份有限公司，中研非晶主要产品包括非晶纳米晶带材、非晶纳米晶电子元器件及非晶电力设备。产品应用于电力设备和电子设备中。2016年1月14日，登陆新三板挂牌交易，股票代码为835619。 33、珠海派诺
，加快推进鲤城铂阳精工CIG靶材研发及生产、南安阳光中科1200MW太阳能电池、安溪晶安光电二期、泉州台商投资区辉锐纳米碳薄膜太阳能电容电极材料等光电产业重点项目建设。在扶优汰劣方面，支持技术水平
晶等缺陷。其长度和宽度达到微米量级（大于10微米）、厚度可薄至10纳米。徐洪起等将这种高质量的二维InSb纳米片制成了场效应器件，器件具有明显的双极性特征，低温下场效应迁移率近20000 cm2
索比光伏网讯:近日，中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室研究员赵建华团队与合作者北京大学教授徐洪起等在《纳米快报》（Nano Letters）上发表了高质量立式InSb二维单晶纳米片的
