点。 与晶体硅电池相比,薄膜电池的成本下降潜力要大得多,这主要得益于薄膜电池的技术进步日新月异。薄膜太阳能预计未来的产能可能会达到整个太阳能行业的20%,而2007年只有7.6%。薄膜太阳能要做得薄
大面积生产的成本优势发挥之后,其市场占有率有进一步提升空间。与此相应,继太阳能组件热、多晶硅热之后,薄膜电池又成为国内光伏领域新的投资热点。与晶体硅电池相比,薄膜电池的成本下降潜力要大得多,这主要
得益于薄膜电池的技术进步日新月异。薄膜太阳能预计未来的产能可能会达到整个太阳能行业的20%,而2007年只有7.6%。薄膜太阳能要做得薄,要提高性能指标,有很多物理方法,比如说离子束方法沉积纳米晶硅薄膜这种
开发出厚度仅为5m的晶体硅太阳能电池。随着硅纳米线(Si-nanowires)的提出,EUV光刻、干法刻蚀(dry etching)等半导体制造技术向太阳能光伏领域拓展,太阳能光伏转换效率必将会有大幅
Solarbe光伏网(张松)中国科学院长春应用化学研究所消息:中国科学院长春应用化学研究所杨小牛研究员等科研人员发明的“一种聚合物太阳能电池的制备方法” 专利近日获得了国家知识产权局授权
(专利号:ZL 200710055979.2)。
在目前基于体相异质结结构的聚合物太阳能电池中, 聚(3-己基噻吩) (P3HT)和C60的衍生物PCBM是应用最广泛和最成功的体系之一。在这
产业将从ITO转向氧化锡,而后者中锡的用量显著高于前者,除了这个显著的转变外,另一个驱动力则来自于碲化镉(CdTe)PV模块的迅速增长,一个显而易见的例子就是领先的薄膜太阳能产品供应商First
使用锡材料的类型。传统溅射靶材的消耗将会减少,而ITO墨水用纳米微粒,或用于化学气相沉积(CVD)制作氧化锡的前驱体化合物的用量将会增加。NanoMarkets预计,到2016年印刷和CVD方法将占有
15%到20%的量产效率提升只是晶体硅光伏的短期目标,随着硅纳米线(Si-nanowires)的提出,EUV光刻、干法刻蚀等越来越多的半导体工艺将应用与太阳能光伏产业,从而实现转换效率的大幅提升
时隔两年,又一次来到位于比利时小城鲁汶的IMEC,笔者感受到了25岁的IMEC,在经历半导体跌宕周期的变化后,将更多的More than Moore提上了研发日程。从纳米微缩到千兆瓦项目计划让
20%。争取在2009年使Pluto技术产品的产量达到50MW;(c)以太阳能电池转换效率加倍为目标,使用纳米技术和等离子技术开发未来的超高效率电池。
而此前同样在踏实开展技术开发的中电光伏
gdaoOrient Science & Technology)成为了焦点。在5月的SNEC2009展会上,北方微电子(North NMC)展出了PECVD设备(注13)。而在此之前,中国的晶体型太阳能
从1958年中国开始研制第一片晶体硅光伏电池以来,到现在已走过半个多世纪。光伏专家、上海交通大学太阳能研究所所长崔容强告诉记者:“中国的太阳能电池也经历了从无到有、从空间到地面、由军到民
、有机薄膜电池、纳米结构电池等,这些电池在未来10年将根据其稳定性、效率和成本情况先后进入市场。
我国科学家也一直在进行新型太阳能电池的研发工作并取得一定成果。2004年,中科院等离子体物理研究所
从1958年中国开始研制第一片晶体硅光伏电池以来,到现在已走过半个多世纪。光伏专家、上海交通大学太阳能研究所所长崔容强告诉记者:“中国的太阳能电池也经历了从无到有、从空间到地面、由军到民、由小到大
、新材料、电池薄膜化等方面进行探索,而这当中新近发展的纳米TiO2晶体化学能太阳能电池受到国内外科学家的重视。 自瑞士Gratzel教授研制成功纳米TiO2化学大阳能电池以来,国内一些单位也正在进行这方