等离子体

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双层氮化硅减反膜对多晶硅太阳能光伏电池的影响来源: 发布时间:2012-04-25 17:03:43

索比光伏网讯:采用等离子体增强气相沉积法制备了双层氮化硅作为多晶硅太阳电池的减反膜,理论模拟了双层氮化硅的光学参数,实际测试情况和理论模拟吻合良好。电池IV参数表明双层氮化硅不但具有更佳的减反射效果

过程工程所在非晶态纳米材料与无容器制备技术的研究获得进展来源: 发布时间:2012-04-24 23:59:59

文章(Feature Articles)。该论文首先提出了一种制备亚稳态纳米材料的普适性方法无接触相变方法。使用廉价的微米级颗粒作为原料,采用等离子体、火焰等高温束流加热并完全蒸发微米颗粒,蒸气在无接触

管式PECVD流量对太阳能电池氮化硅膜影响的工艺研究来源: 发布时间:2012-04-19 13:51:18

层流状态。1.2PECVD过程中的微观过程(1)气体分子与等离子体中的电子发生碰撞,产生出活性基团和离子。其中,形成离子的几率要低得多,因为分子离化过程所需的能量较高。(2)活性基团可以直接扩散到衬底
工艺气体总流量的增加,折射率缓慢增加。在用等离子体形成的氮化硅膜的折射率与致密性没有必然的联系,并不是折射率越高致密性就一定高。这点与用LPCVD所形成的氮化硅膜是有差异的。随着工艺气体总流量的增加

多晶硅研究系列1:三大生产工艺的比较来源:雪球财经 发布时间:2012-04-15 23:59:59

金属杂质聚集的部分后,将硅锭粗粉碎并清洗,并在等离子体熔解炉中去除硼杂质,然后二次区熔单向凝固成硅锭,再次除去外表部分和金属杂质聚集的部分然后粗粉碎和清洗,最后在电子束熔解炉中除去磷和碳杂质

多晶硅的三大生产工艺之比较来源: 发布时间:2012-04-13 17:09:49

等离子体熔解炉中去除硼杂质,然后二次区熔单向凝固成硅锭,再次除去外表部分和金属杂质聚集的部分然后粗粉碎和清洗,最后在电子束熔解炉中除去磷和碳杂质直接生成太阳能级多晶硅。(冶金法的典型工艺流程,摘自中国

设备进口免税 利好政策促进泉州光伏企业设备更新换代来源:泉州晚报 发布时间:2012-04-11 08:39:10

机等。 而LED生产设备则新增3类设备,分别为金属有机化学气相沉积设备、等离子体刻蚀机台、氧化铟锡溅射台。此外,按照《通知》规定,4月1日起,凡符合规定条件的国内企业为生产该三类装备或产品,而确有

东方日立大功率光伏逆变器通过金太阳认证来源: 发布时间:2012-04-04 23:59:59

。东方日立以电力电子技术为基础,研制和推广高效工业化节能变频产品;为风力、太阳能发电设备配套开发变流控制装置;为电网稳定运行开发动态无功补偿装置;为节能环保工程提供系统化技术服务等。现主要产品为:高压大功率变频器、风力发电机电力变流器、等离子体炬专用电源等。

多晶硅提纯技术和工艺类型来源: 发布时间:2012-03-31 10:56:09

适合生产价廉的太阳能级多晶硅。3 冶金法物理法等离子体法据资料报导,日本川崎制铁公司采用冶金法制得的多晶硅已在世界上最大的太阳能电池厂(SHARP公司)应用,现已形成800吨/年的生产能力,全量供给
SHARP公司。主要工艺是:选择纯度较好的工业硅(即冶金硅)进行水平区熔单向凝固成硅锭,去除硅锭中金属杂质聚集的部分和外表部分后,进行粗粉碎与清洗,在等离子体融解炉中去除硼杂质,再进行第二次水平区熔单向

有关多晶硅技术详解来源: 发布时间:2012-03-27 16:21:43

外表部分后,进行粗粉碎与清洗,在等离子体融解炉中去除硼杂质,再进行第二次水平区熔单向凝固成硅锭,去除第二次区熔硅锭中金属杂质聚集的部分和外表部分,经粗粉碎与清洗后,在电子束融解炉中去除磷和碳杂质,直接

日氟荣niflon推出光伏组件用ETFE薄膜及PVDF薄膜产品来源: 发布时间:2012-03-26 23:59:59

氟塑料的这种性质)。因此只能通过真空等离子体处理(真空放电),可以在不损害基材本体优良性能,不降低透光性的同时在其一个表面引入极性基团,提高表面能和浸润性,实现与EVA的良好粘结。与强酸强碱、强氧化剂
处理、火焰处理、机械磨砂等表面处理等方法相比,等离子体处理是唯一的可行办法。同时朝向大气的一面不被处理,保留其强疏水性,这样落下的雨滴在表面停留不住,很快滚落下去,不会在表面留下水痕。同时由于从大气中