等离子体

已经认识到这一点，并在加强自主创新方面有所作为。据理想能源设备（上海）有限公司展台工作人员介绍，由该公司研发制造的国内首台代表国际尖端水平的薄膜太阳能电池关键生产设备等离子体增强型化学气相沉积设备，在

为电池的一个电极。太阳能电池就是以TCO薄膜为衬底生长的，用等离子体增强化学气相沉积法（PECVD）生长的太阳能电池层也称为有效层。有效层包括两个pin串联的双结结构。与TCO薄膜连接的第一结称为顶层

未来发展的趋势。目前，多晶硅薄膜常用的制备方法有等离子体增强化学气相沉积，热丝化学气相沉积，准分子激光晶化，固相晶化，快速热处理等。现有研究采用真空蒸镀法制备非晶薄膜后经铝诱导晶化得到多晶硅薄膜。相比

设备研究室（八室）夏洋研究员带领的研究团队原创性地提出利用等离子体浸没离子注入技术制备黑硅材料。该团队利用自行研制的等离子体浸没离子注入机（国家自然科学基金委、中科院装备项目、方向性项目支持）制备了多种微观

洋研究员带领的研究团队原创性地提出利用等离子体浸没离子注入技术制备黑硅材料。该团队利用自行研制的等离子体浸没离子注入机（国家自然科学基金委、中科院装备项目、方向性项目支持）制备了多种微观结构的黑硅

所微电子设备研究室（八室）夏洋研究员带领的研究团队原创性地提出利用等离子体浸没离子注入技术制备黑硅材料。该团队利用自行研制的等离子体浸没离子注入机（国家自然科学基金委、中科院装备项目、方向性项目支持）制备了

作用。 　　钝化是提高多晶硅质量的有效方法。一种方法是采用氢钝化，钝化硅体内的悬挂键等缺陷。在晶体生长中受应力等影响造成缺陷越多的硅材料，氢钝化的效果越好。氢钝化可采用离子注入或等离子体处理。在多晶硅

硅材料，氢钝化的效果越好。氢钝化可采用离子注入或等离子体处理。在多晶硅太阳电池表面采用pECVD法镀上一层氮化硅减反射膜，由于硅烷分解时产生氢离子，对多晶硅可产生氢钝化的效果。在高效太阳电池上常采用表面

两个表面同时进行清洗、干燥。首先磁控溅射沉积金属和金属氧化层，以增强衬底的反射率。然后采用等离子体化学气相沉积法(PECVD)沉积非晶硅层，以形成叠层太阳电池结构，这是整个制造过程中最关键的工艺步骤

沉积的本征a-Si:H薄膜的缺陷态密度低，掺杂a-Si:H的掺杂效率高且光吸收系数低，最重要的是最终形成的a-Si:H/Si界面的态密度要低。目前，普遍采用的等离子体增强化学气相沉积法（PECVD）沉积
重要方法。在真空状态下给气体施加电场，气体在电场提供的能量下会有气态转变为等离子体状态。其中含有大量的电子、离子、光子和各类自由基等活性粒子。等离子体是部份离子化的气体，与普通气体相比，主要性质发生