等离子体

实验室中，科研人员已经采用SiO2钝化电池表面，并取得不俗的开路电压和效率。 SiNx：H 第一次进化 90年代，科研机构和制造商开始探索使用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术制备含氢的

。 2.3去边技术 产业化的周边PN结去除方式是等离子体干法刻蚀，该方法技术成熟、产量大，但存在过刻、钻刻及不均匀的现象，不仅影响电池的转换效率，而且导致电池片蹦边、色差与缺角等不良率上升。激光开槽隔离技术
根据PN结深度而在硅片边缘开一物理隔离槽，但与国外情况相反，据国内使用情况来看电池效率反而不及等离子体刻蚀技术，因此该方法有待进一步研究。目前行业出现的另外一种技术化学腐蚀去边与背面腐蚀抛光技术集刻蚀

去边技术 产业化的周边PN结去除方式是等离子体干法刻蚀，该方法技术成熟、产量大，但存在过刻、钻刻及不均匀的现象，不仅影响电池的转换效率，而且导致电池片蹦边、色差与缺角等不良率上升。激光开槽隔离技术
根据PN结深度而在硅片边缘开一物理隔离槽，但与国外情况相反，据国内使用情况来看电池效率反而不及等离子体刻蚀技术，因此该方法有待进一步研究。目前行业出现的另外一种技术化学腐蚀去边与背面腐蚀抛光技术集刻蚀与

化学家发现了一种新的更有效的方法来进行光致反应，提出了另一种可能利用太阳光产生能源的方法。《科学》杂志刊载了这种基于等离子体的新方法等离子体是金属的光学性质中表现出来的一种特别的电子运动
。《科学》杂志刊载了这种基于等离子体的新方法等离子体是金属的光学性质中表现出来的一种特别的电子运动。 我们发现了一种新的未曾料想的方法来利用金属等离子体性质，这在太阳能能量转化中拥有潜在的应用价值

& Rau德国公司从事光伏生产设备的开发与制造，供PERC电池生产的MAiA 技术平台就是其产品之一。 其荷兰公司则从事功能性喷墨、等离子体剥离和用于高科技电子系统制造的沉积系统。更名后

（PECVD法）、低压化学气相沉积法（LPCVD法）。在目前产业上常用的是PECVD法。PECVD法按沉积腔室等离子源与样品的关系上可以分成两种类型：直接法：样品直接接触等离子体，样品或样品的支撑体就是
电极的一部分。间接法：或称离域法。待沉积的样品在等离子区域之外，等离子体不直接打到样品表面，样品或其支撑体也不是电极的一部分。直接法又分成两种：（1）管式PECVD系统：即使用像扩散炉管一样的石英管

SiO2钝化电池表面，并取得不俗的开路电压和效率。SiNx：H 第一次进化90年代，科研机构和制造商开始探索使用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术制备含氢的氮化硅(SiNx：H)薄膜用作电池

，（3）第三类用30nm的氧化铝膜钝化，再用PECVD镀上一层200nm的SiOx膜。ALD氧化铝沉积过程分为两个自限反应，包括三甲基氯和氧气的等离子体。Hoex等人的研究应用了退火工艺，沉积后的退火

硅片上下表面相互绝缘。然后把硅片在HF溶液中完全去除扩散过程中产生的磷硅玻璃（PSG）。 PECVD：通过微波电能使反应气体电离，在局部形成等离子体，在基片上沉积出氢氮化硅薄膜。增强对光的吸收性的

Czochralski P型硅片，电阻率为1.50.5cm，覆盖着用加强等离子体化学蒸汽沉积的介质绝缘层。LCO（d1）可以用丝网印刷蚀刻膏来得到，其中包括的磷酸是一种有效的介质场的腐蚀剂，介质的腐蚀是通过在