空穴

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提升晶硅电池光电转换效率?看低压扩散工艺!来源:光伏领跑者创新论坛 发布时间:2018-11-02 09:05:30

推进至合适深度,就会使硅片浅表面磷浓度过大,引起硅片浅表面电子空穴对复合过快,进而影响太阳电池光电转换效率。优化扩散工艺中的高温推进温度和时间显得尤为重要。 方阻的测试方法:每管选取3片硅片分别为炉口

山西省能源局正式挂牌,晋能王启瑞任首任“掌门” ,九年煤炭厅成“过往”来源:山西资本圈 发布时间:2018-11-01 09:32:47

成立,除专门出席挂牌仪式的山西省副省长贺天才外,还有一个值得关注的人物便是将出任山西省能源局党组书记、局长一职的为晋能集团党委书记、董事长王启瑞。 网传乌龙并非空穴来风 此前曾有多家媒体报道晋能
董事长王启瑞将调任国家能源局副局长的消息,后来不过半天就纷纷证伪辟谣。此次山西能源局挂牌也证实了王启瑞将调任至能源局工作的消息并非空穴来风,只不过不是国家能源局,而是省能源局;不是副局长(正厅级),而是

兰州大学新研究提升太阳能电池转换效率来源:中国科学报 发布时间:2018-10-25 13:50:27

空穴迁移率低、硅接触面性能差,以及存在硅/金属电极接触电阻高等问题,限制了电池转换效率的提高。 针对这些问题,研究人员通过将还原氧化石墨烯引入新型电荷选择性材料薄膜中,使导电性提高、电池材料光吸收

什么原因造成了扩散、镀膜、印刷、烧结中的缺陷?来源:摩尔光伏 发布时间:2018-10-22 16:17:25

包括904nm的激光注入产生电子-空穴对(Fig.2-3a),导致样品的电导率增加,当撤去外界光注入时(Fig.2-3b),电导率随时间指数衰减,这一趋势间接反应少数载流子的衰减趋势,从而通过微波探测
),紧跟着有两个同心圆环形电容电极,激光的频率可以调整。激光注入产生电子空穴,内建电场将电子空穴分离,将产生表面势,表面势反映了SHR信号并且向横向扩散,内外探头获取表面势。硅片的方阻通过在两个电容电极

智能电网为可再生能源配额制“铺路”来源:中国科学报 发布时间:2018-10-11 16:32:29

%。天津大学电气自动化与信息工程学院院长王成山在近期召开的2018中国可再生能源学术大会上对我国电能占终端能源消费比重未来发展趋势进行了大胆的预测。 这一判断并非空穴来风,早在2016年国家能源局发布我国

中科院在高效钙钛矿太阳能电池领域取得新进展来源:中国科学院网站 发布时间:2018-09-25 11:28:31

(p-i-n)两种结构,而反式(p-i-n)平面结构钙钛矿太阳能电池(阳极/空穴传输层/钙钛矿/电子传输层/阴极金属)凭借制备工艺简单、可低温成膜、无明显迟滞效应等优点受到越来越多的关注。但是仍然面临诸多
-电压图 为了解决这些问题,固体所研究人员利用金属钛(Ti)取代有机电子传输层,设计出如图1所示的钙钛矿太阳能电池(ITO(阳极透明导电玻璃)/PTAA(有机空穴传输层)/MAPbI3/Ti

合肥研究院在钙钛矿太阳能电池领域取得新进展来源:中国科学院网站 发布时间:2018-09-21 16:47:54

(p-i-n)两种结构,而反式(p-i-n)平面结构钙钛矿太阳能电池(阳极/空穴传输层/钙钛矿/电子传输层/阴极金属)凭借制备工艺简单、可低温成膜、无明显迟滞效应等优点受到越来越多的关注。但是仍然面临诸多
MAPbI3中的扩散;三是有机电子传输层成本昂贵等。 为了解决这些问题,固体所研究人员利用金属钛(Ti)取代有机电子传输层,设计出如图1所示的钙钛矿太阳能电池(ITO(阳极透明导电玻璃)/PTAA(有机空穴

UCLA杨阳教授团队公布22.4%效率钙钛矿/CIGS叠层太阳能电池来源:PV兔子 发布时间:2018-09-19 09:04:43

Tarula/UCLA 研究人员以钙钛矿电池作为顶电池,CIGS作为底电池。通过纳米尺度的界面工程化处理,控制CIGS的表面粗糙度,应用重度掺杂的有机空穴传输层PTAA,获得了最佳界面,减少了开路

CIGS-CIGS薄膜太阳能电池简介及CIGS薄膜电池制备技术方法来源:电子发烧友网 发布时间:2018-09-18 11:26:46

级(几种薄膜太阳能材料中较 高的)。禁带宽度在室温时是 1. 04eV,电子迁移率和空穴迁移 率分别为 3.2102(cm2/VS) 和 110 (cm2/VS)。现在真 空工艺制备的收层薄膜
,一般 是多晶结构,其迁移率相对较 小,大约是 0. 1 ~20 (cm2 / VS )。空穴浓度在 1014cm-3 和 41020cm-3 之间, 电子浓度 在 51015cm-3 到

光伏组件潜在诱导衰减的研究来源:太阳能杂志 发布时间:2018-09-11 11:27:03

在组件的边框附近。 (二) 抗PID 效应组件的封装 常规组件中的电池片通常在p 型硅片表面扩散三氯氧磷形成p-n 结,则电池片的正表面存在大量电子,少子为空穴。当在组件的输出端和连接电极之间