空位缺陷
的离子迁移途径由于含锡钙钛矿的形成能较低，因此已知在含锡钙钛矿中存在大量的锡空位缺陷，并且这些缺陷的热力学电离水平接近混合铅锡钙钛矿的价带最大值，而纯锡钙钛矿的价带内。因此，通过在前驱体溶液中加入富锡
密度泛函理论，首次揭示了甲脒三碘化铅钙钛矿从α相到δ相的降解途径，并研究了各种缺陷对相变能垒的影响。模拟结果预测，碘空位最有可能引发降解，因为它们明显降低了α-δ相变的能垒，并且在钙钛矿表面具有最低的
缺陷钝化广泛致力于改善甲脒三碘化铅钙钛矿太阳能电池的性能;然而，各种缺陷对α相稳定性的影响仍不清楚。中山大学Pingqi Gao，Jiangsheng Xie以及Shengcai
Zhu等人利用
，通过掺入微量的四氯化钛(TiCl4)可以有效减少柔性氧化锡(SnO2)电子传输层的吸附氧活性位点和氧空位。界面处的有效缺陷消除增加了柔性SnO2层的电子迁移率，调节钙钛矿/SnO2界面的能带排列，诱导
目前n-i-p型PSCs电池常用的电子传输材料。然而，它的体相和表面的缺陷【氧空位（VO）、悬空羟基（-OH）和不饱和配位金属原子】易引起载流子累积和非辐射复合损失。此外，钙钛矿中金属、卤素和有机离子的
高等研究院开发了简单有效的策略，通过在SnO2纳米颗粒中加入草酸甲脒（FOA）来同时抑制SnO2体相和表面缺陷以及钙钛矿埋底界面处FA+/Pb2+相关缺陷，实现了有效的靶向缺陷钝化。相关研究成果以
目前n-i-p型PSCs电池常用的电子传输材料。然而，它的体相和表面的缺陷【氧空位（VO）、悬空羟基（-OH）和不饱和配位金属原子】易引起载流子累积和非辐射复合损失。此外，钙钛矿中金属、卤素和有机离子的
高等研究院开发了简单有效的策略，通过在SnO2纳米颗粒中加入草酸甲脒（FOA）来同时抑制SnO2体相和表面缺陷以及钙钛矿埋底界面处FA+/Pb2+相关缺陷，实现了有效的靶向缺陷钝化。相关研究成果以
径向会产生的生长条纹，其本质是杂质分布的不均匀，会影响电池外观。严重的同心圆现象是氧原子、自间隙缺陷和空位缺陷共同作用形成的环状分布，其出现的原因与CZ拉晶的特点与电池高温制程有明显相关性，不仅影响
。图1 异质结电池结构示意图02、性能优势分析1、开路电压高异质结结构可以改变禁带宽度，改变真空能级差，增加开路电压范围。并且由于本征层的加入，使得晶体硅表面缺陷得到有效钝化，表面少数载流子的复合也
到衬底的薄膜颗粒脱离衬底，薄膜结构遭到损坏，产生大量空位、错位及吸附氧原子，薄膜宏观结构变得疏松。因此较高的氧氩比会导致IWO薄膜透光率降低。02、氧氩比对IWO薄膜方块电阻的影响如图3所示，随着氧氩
了钙钛矿光伏电池的带隙与室内光伏性能之间的关系，发现除了相分离外，钙钛矿光吸收层中的Br空位缺陷也是限制电池开路电压的主要因素之一。使用富碘(I)碱金属小分子材料处理后，可有效解决Br空位问题，提升
限度地减少表面电子-空穴复合并增强电荷提取的方法。由于良好的钙钛矿吸收材料通常表现出弱的p型导电性，因此在表面区域产生I-空位是创建内置电场的首选方法。由于静电吸引，引入带负电荷Py环的分子可以促进
正电荷I-空位的形成。为了在不显著扰动表面区域晶格的情况下允许分子合并，分子最好包含一个FA单元作为其头部。这将允许FA单元并入晶格的A位置，不显示电荷转移的屏障。而Py环单元将被留在外面，以促进附近I
，表面修饰的磷酸根基团和存在的氧缺陷在保持结构稳定性及表面活性方面具有重要作用，其导致了P-Co-NVO具有优异的长循环稳定性。
【结论】通过磷化处理在钒氧化物结构中引入氧空位和磷酸根基团，钒氧化物的
;"Hportant; overflow-wrap: break-word !important;"2O正极材料中引入氧缺陷和磷酸根基团，用于水系锌离子电池正极材料的策略。由于氧缺陷和磷酸根基团引发的局部
