空位缺陷

，这近似于衍生品通过结合附近使用一组权重函数值。 科学家指出，克斯特晶体层的各种晶格缺陷，包括空位、间隙和反位缺陷，通常被认为是这些电池低转换效率的原因。 他们特别分析了硫化铜锌锡/硒化物(CZTS

材料。而在这样做的过程中，它就会带走硒，形成新的缺陷，即硒空位。而这些对太阳能电池是不利的。这一见解不仅对我们制造太阳能电池的方式很重要。硒化材料在数据存储、发光和通信方面也有其他应用。这些发现也将与
那些其他呈现类似相界的硒化物或硫化物有关。" 如何打造更好的太阳能电池? "我们现在已经知道了太阳能电池中出现这些破坏性缺陷的根本机制，并且已经发现，一旦这些缺陷形成，通过从外部强行注入过量的硒

离子键，氢键和范德华力)结合，从而提高了钙钛矿材料固有的柔软品质。在光和热的照射下，器件中容易发生离子迁移，这不仅会损害其他层，还会留下诸如卤素空位的缺陷，从而降低了器件的稳定性。另外，外部的水和氧气也
往往会通过晶界侵入钙钛矿，因此也会影响稳定性。作者基于缺陷钝化和势垒构建两个方面总结了提高PSC稳定性的最新研究进展。 3)迄今为止，高效PSC通常使用基于Pb的钙钛矿作为吸收层。还研究了基于Sn

太阳能电池，锡基钙钛矿太阳能电池的开路电压较低，目前性能最好的锡钙钛矿太阳能电池开路电压在0.6 V左右、光电转化效率在10%左右，均远低于铅钙钛矿太阳能电池。限制其性能提升的主要原因是锡钙钛矿较低的空位
形成能导致较多缺陷，二价锡容易被氧化成四价锡造成结构畸变。此外，锡器件的电子传输层能级和锡钙钛矿较浅的能级不匹配也是一个重要的因素。 针对上述问题，在前期的工作中，宁志军课题组引入低维锡钙钛矿来制备锡

。主要有： （1）表面沾污（主要是重金属离子和碱金属离子）引起的表面漏电； （2）Si－SiO2界面的正电荷，如钠离子、氧空位，界面态等引起的表面沟道效应，在p型区形成反型层或耗尽层，造成电路漏电
流偏大； （3）氧化层的缺陷（如针孔等）破坏了氧化层在杂质扩散时的掩蔽作用和氧化层在电路中的绝缘作用而导致漏电； （4）硅片（包括外延层）的缺陷引起杂质扩散时产生管道击穿； （5）隔离再扩散深度和

，改善钙钛矿膜的形貌和质量，还能有效钝化界面阳离子空位缺陷。基于该空穴传输层的p－i－n型大面积钙钛矿电池和模块电池分别获得了17．49％和12．67％的光电转化效率。

浸润性，改善钙钛矿膜的形貌和质量，还能有效钝化界面阳离子空位缺陷。基于该空穴传输层的p-i-n型的大面积钙钛矿电池(1.02 cm2)和模块电池(36 cm2)分别获得了17.49%和12.67%的光电

继续推进。硅太阳能电池目前在市场上占主导地位，但电池的转化效率限制很大。1961年，科学家就发现太阳能电池最明显的缺陷是高能光子会产生不必要的热量。因此，传统的硅太阳能电池只能将30%的太阳能辐射转化成
，涂层顶部沉积着一层并四苯的材料。并四苯层吸收高能光子，产生单重态激子，即电子的束缚状态和具有零自旋(磁矩)的空穴(电子空位)。该单重态激子经过一个单线态裂变的过程后，产生两个三重态激子，呈现出1个自旋的

长寿命。在第一原理密度泛函理论计算的帮助下，我们认为氟离子通过与周围铅和有机阳离子的化学键的独特强化来抑制卤素阴离子和有机阳离子空位的形成，他们在研究。 科学家表示，氟化钙在钙钛矿电池上的作用与其在牙膏
中的行为类似，氟离子在晶体周围形成保护层，防止有害缺陷的扩散。 与其他卤素相比，氟离子的小尺寸和高电负性被认为是其有效改善钙钛矿细胞稳定性的主要原因。 科学家表示，钙钛矿细胞可能需要再过5到10年

抑制。 【成果简介】 近日，中国昆明理工大学的邱建备教授和香港理工大学的 Yu Siu Fung教授(共同通讯作者)采用了湿化学退火工艺，从表面缺陷(即无序、空位和间隙缺陷)中恢复镧系掺杂的
KLu2F7裸露核心的UCNPs。制备出的UCNPs只有几个原子层的均匀厚度，利用像差校正的高角环形暗场扫描透射电子显微镜(HAADF - STEM)在原子尺度上识别表面缺陷。通过热退火方法恢复UCNPs