离子注入系统
芯片研发和规模制造能力。进一步提升先进封装测试产业规模。3．装备和材料。加快研制具有国际一流水平的刻蚀机、清洗机、离子注入机、量测设备等高端产品。开展核心装备关键零部件研发。提升12英寸硅片、先进光刻胶
影响力的人工智能创新发展高地。重点发展：1．智能芯片。重点推动通用计算GPU研发与产业化；面向智能图像识别、智能驾驶等应用，研制深度学习云端定制系统级芯片（SoC）以及芯片+软件平台+服务器的云端智能
)等逆变器关键元器件技术研发及产品化;以高效、智能的光伏发电系统装备为核心，推动光伏产业链向下游系统集成领域延伸。(责任单位：省经济和信息化厅、省发展改革委、相关市人民政府)
加强储能电池
等方面的关键问题，推动光储一体化发展。(责任单位：省经济和信息化厅、省发展改革委、省科技厅、相关市人民政府)
加大系统解决方案开发。支持开发基于云平台的能量管理系统与实时在线仿真软件，规模化提供
工艺最难最复杂，需要是用离子注入工艺提供生产技术门槛;
3) 从成本角度看，PERC产业化最快成本低，TOPCon电池兼容性最高，可从PERC/PERT产线升级，IBC次之，HJT电池完全不兼容现有
术在正反表面制备钝化层和减反射膜;
2)需要增加隧穿氧化制结、离子注入及退火清洗 工艺，超薄氧化层可以使多子电子隧穿进入多晶硅层同时阻挡少子空穴复合，进而电子在 多晶硅层横向传输被金属收集，从而
5月24-26日在中国上海隆重举行。
SNEC光伏展览会是全球最为专业的光伏展，其展出内容包括：光伏生产设备、材料、光伏电池、光伏应用产品和组件，以及光伏工程及系统涵盖了光伏产业链的各个环节。同期
板生产设备： 非晶硅电池、铜铟镓二硒电池CIS/CIGS、镉碲薄膜电池CdTe、染料敏化
电池DSSC生产技术及研究设备
半导体生产设备： 全套生产线、光刻机、刻蚀机、薄膜设备、扩散\离子注入设备、湿法
较大、交叉污染少，但传输系统自动化难度较高，直列式PECVD可再分为串联式和并联式，目前大多PECVD采用更易实现的串联式结构，并联式则以梅耶博格Helia-PECVD为代表。国产厂商中，捷佳伟创
P-N扩散区制备，该步骤为核心工艺，应用技术包括光刻、掩膜(可通过丝网印刷或PECVD实现)、激光、离子注入等，其中光刻、离子注入等方法来自半导体工艺，设备及运行成本很高;4)正面减反射膜沉积，可由
、离子注入、离子清洁等装备
21.高效电机及其控制系统制造(额定功率0.55KW-355KW，额定电压690V及以下的低压三相异步电动机;额定功率355KW-25000KW，额定电压6KV或10KV的
高原畜产品)饲养和深加工
35.互联网、物联网技术服务，工业控制计算机及系统制造、通信系统设备制造
36.IPv6设备和终端产业，IPv6技术创新和应用
37.有机垃圾生物式处理设备和移动式破碎
属接触复合，为N-PERT电池转换效率进一步提升提供了更大的空间。
关于我们
TOPCon电池概念
TOPCon电池的概念由德国弗劳恩霍夫太阳能系统研究所(Fraunhofer-ISE)于
)掺杂形成多晶硅，由于LPCVD沉积过程会带来绕镀问题，使电池性能退化，因此可选择离位掺杂，即LPCVD形成本征多晶后再进行扩散或离子注入掺杂，形成重掺杂的多晶硅;另一种是使用PECVD沉积掺杂非晶硅或微
1975年，Schwartz首次提出背接触式太阳电池，最初应用于高聚光系统中。经过多年的发展，研发出了交叉指式背接触(IBC，Interdigitatedbackcontact)太阳电池。
IBC
转移到光伏工业的技术，离子注入就是其中之一。离子注入的最大优点是可以精确地控制掺杂浓度，从而避免了炉管扩散中存在的扩散死层(高浓度的扩散杂质与硅的晶格失配以及未激活的杂质引起的晶格缺陷使得扩散层表面载流子
先进性介绍》，TopCon 电池片具备以下技术特点：
1) 离子注入掺杂多晶硅钝化技术
通过离子注入进行掺杂，可以控制掺杂原子的剂量和在非晶硅中的分布，避免常规扩散掺杂长时间的高温过程对隧穿氧化层及
perc+se 产线兼容，现有产线可升级改造至 TopCon产能。TopCon 生产流程分为 9 步，分别为硅片制绒清洗、扩散制结、湿法刻蚀、隧道结制备、离子注入、退火和湿化学清洗、ALD 沉积氧化铝
最为专业的光伏展，其展出内容包括：光伏生产设备、材料、光伏电池、光伏应用产品和组件，以及光伏工程及系统、储能、移动能源等，涵盖了光伏产业链的各个环节。
SNEC光伏论坛形式也格外丰富多彩，涉及光伏产业
电池、铜铟镓二硒电池CIS/CIGS、镉碲薄膜电池CdTe、染料敏化
电池DSSC生产技术及研究设备
半导体生产设备： 全套生产线、光刻机、刻蚀机、薄膜设备、扩散\离子注入设备、湿法设备、过程检测等
