优质产品,具备国内认证的产品。选用 ABB 断路器,菲尼克斯防雷器等高品质器件。框架断路器自带智能保护单元配置 ; 保护单元具有完善的三段式保护、上下级配合功能。馈线塑壳断路器应采用电子式脱扣器或热磁式
檩条上。紧固件采用不锈钢材质。支架设计抗风能力30米 / 秒,保证户外长期使用的要求。
1)材质及性能要求:
a. 材质要求:所选用钢结构主材材质为Q235B,焊条为E43系列焊条。
b.力学性能
性能退化有关。其中紫外光的照射时导致组件主材性能退化的主要原因。紫外线的长期照射,使得EVA及背板(TPE结构)发生老化黄变现象,导致组件透光率下降,进而引起功率下降。
这就要求组件厂商在选择EVA及
超出客户所能接受的范围。其实直拉单晶工艺是很成熟的,只要我们把好用料质量关,按正规拉棒工艺生产,硅棒的质量是可以得到较好控制的。
B、利用磁控直拉硅单晶工艺(MCZ)改进单晶硅棒产品质量
此工艺
,如后续新品开发和降本增效推进顺利,极有可能成为公司除装备制造之外另一大重要利润来源。公司传统磁材、蓝宝石、装备制造等领域今年仍将维持稳健的利润成长,预计公司2016-2018年净利润分别为1.1亿元
性,成为公司新的业务增长极。天通在LT/LN领域的布局是产业链的自然延伸,在物联网与无线终端的蓬勃发展的时代背景下,射频器件市场供不应求已是常态,而目前实现稳定高品质量产的国内公司少之又少,天通在该领域的
要求:所选用钢结构主材材质为Q235B,焊条为E43系列焊条。
2)力学性能要求:所选用钢结构主材的抗拉强度、伸长率、屈服点、冷弯试验等各项力学性能要求须符合《碳素结构钢》(GB/T700-2007)的
相关规定。
3)化学成分要求:所选用钢结构主材的碳、硫、磷等化学元素的含量须符合《碳素结构钢》(GB/T700-2007)的相关规定。
除锈方法及除锈等级要求:
1)钢构件须进行表面处理,除锈
老化衰减是指在长期使用中出现的极缓慢的功率下降,产生的主要原因与电池缓慢衰减有关,也与封装材料的性能退化有关。其中紫外光的照射时导致组件主材性能退化的主要原因。紫外线的长期照射,使得EVA及背板(TPE
棒工艺生产,硅棒的质量是可以得到较好控制的。
B、利用磁控直拉硅单晶工艺(MCZ)改进单晶硅棒产品质量
此工艺不仅能控制单晶中的氧浓度,也使硅单晶纵向、径向电阻率均匀性得到改善这种工艺已在国内
老化衰减
老化衰减是指在长期使用中出现的极缓慢的功率下降,产生的主要原因与电池缓慢衰减有关,也与封装材料的性能退化有关。其中紫外光的照射时导致组件主材性能退化的主要原因。紫外线的长期照射,使得EVA及
料质量关,按正规拉棒工艺生产,硅棒的质量是可以得到较好控制的。
B、利用磁控直拉硅单晶工艺(MCZ)改进单晶硅棒产品质量
此工艺不仅能控制单晶中的氧浓度,也使硅单晶纵向、径向电阻率均匀性得到改善这种
中出现的极缓慢的功率下降,产生的主要原因与电池缓慢衰减有关,也与封装材料的性能退化有关。其中紫外光的照射时导致组件主材性能退化的主要原因。紫外线的长期照射,使得EVA及背板(TPE结构)发生老化黄变现
、利用磁控直拉硅单晶工艺(MCZ)改进单晶硅棒产品质量此工艺不仅能控制单晶中的氧浓度,也使硅单晶纵向、径向电阻率均匀性得到改善这种工艺已在国内部分拉棒公司开始试用。C、利用区熔单晶硅工艺(FZ)改进
指在长期使用中出现的极缓慢的功率下降,产生的主要原因与电池缓慢衰减有关,也与封装材料的性能退化有关。其中紫外光的照射时导致组件主材性能退化的主要原因。紫外线的长期照射,使得EVA及背板(TPE结构)发生
攀戀爀攀愀欀崀B、利用磁控直拉硅单晶工艺(MCZ)改进单晶硅棒产品质量此工艺不仅能控制单晶中的氧浓度,也使硅单晶纵向、径向电阻率均匀性得到改善这种工艺已在国内部分拉棒公司开始试用。C、利用区熔单晶硅
、安泰科技、深圳可立克、佛山中研、雅玛西、创晨电子、苏州冠达、中德电子、湖州科达、惠州佳扬、阿诺德、深圳铭昱达、海光电子、瑞德磁材、广州回天、安博磁、艾德克斯、锐源仪器等企业均已报名参展。光伏逆变器
在该点之外运行将不会导致其大小显著减小。频率一定时,Vitroperm500F 可在所有材料中实现最佳性能。图 2. 用作频率函数的不同芯材的电感器大小,以及与 Vitroperm 和铁氧体磁芯的大小
最近,碳化硅 (SiC) 的使用为 BJT 赋予了新的生命,生产出一款可实现更高功率密度、更低系统成本且设计更简易的器件。SiC BJT 运用在ink"光伏电源转换器中时,可实现良好效率,并且(也许