碳电极片

不需要换装硅芯、配置碳电极等，这些优点均反映为硅烷法生产多晶硅的现金成本很低。以REC为例，2011年Q4硅烷流化床法生产多晶硅的现金成本已降至14美元/公斤。 查看原图 （REC硅烷流化床法多晶硅的
金属杂质聚集的部分后，将硅锭粗粉碎并清洗，并在等离子体熔解炉中去除硼杂质，然后二次区熔单向凝固成硅锭，再次除去外表部分和金属杂质聚集的部分然后粗粉碎和清洗，最后在电子束熔解炉中除去磷和碳杂质

(800℃左右)，流化床法还有参与反应的硅料表面积大、生产效率高的优点，所以还原电耗低于改良西门子法;另外，硅烷流化床法是一个连续生产的过程，除定期清床之外设备可连续运行，也不需要换装硅芯、配置碳电极
等离子体熔解炉中去除硼杂质，然后二次区熔单向凝固成硅锭，再次除去外表部分和金属杂质聚集的部分然后粗粉碎和清洗，最后在电子束熔解炉中除去磷和碳杂质直接生成太阳能级多晶硅。(冶金法的典型工艺流程，摘自中国

，太阳能热发电极有可能成为中国未来份额最大的主导能源。技术及运营完全可行在槽式CSP项目中，真空集热管是技术含量最高的产品之一。目前，我国已有十余家企业投身真空管生产或技术供应，这些企业有些是从中
，高品质的浮法原片将为公司太阳能反射镜生产提供原料保障。我们还致力于CSP集热场集成技术的研发与利用，立志成为优秀的CSP集热场服务商。据悉，该公司还可生产菲涅尔反射镜，并于近期启动碟式CSP反射镜生产线的

扩散，制成PN+结，结深一般为0.3-0.5um。(5)周边刻蚀：扩散时在硅片周边表面形成的扩散层，会使电池上下电极短路，用掩蔽湿法腐蚀或等离子干法腐蚀去除周边扩散层。(6)去除背面PN+结。常用湿法
腐蚀或磨片法除去背面PN+结。(7)制作上下电极：用真空蒸镀、化学镀镍或铝浆印刷烧结等工艺。先制作下电极，然后制作上电极。铝浆印刷是大量采用的工艺方法。(8)制作减反射膜：为了减少入反射损失，要在硅片

薄薄的金片上，附上一层导电的金属，顶层是导电的有机材料。当光照射在这个假三明治上，蛋白质就会释放电子，传到下一层的金属层形成电流。专注于太阳能开发的美国加州理工学院的刘易斯教授指出，我们希望设计出与
绿叶光合作用尽可能相似的过程。言下之意，就是要实现收集太阳光的功能，但其结构又要尽量简化。2006年，澳大利亚悉尼大学的马克斯.克鲁斯雷教授科研组制造出了一个形状像足球的合成叶绿素分子，是一个由碳、氢

的附着物，使硅片表面洁净，并进行烘干处理；硅片检验：采用电阻率测试仪、寿命仪、氧碳测试仪等测试设备检测电阻率、少子寿命和氧碳含量，对几何尺寸和表面质量进行检验；包装入库：将成品硅片用海绵一隔一叠放后

到添加化学物质，再到制成储能膜，整个过程只需要一天半的时间。只要把储能膜夹在两片导电金属中间，充电后就可储存和释放电能。储能膜每平方厘米的电荷储存量约0.2法拉,为标准电容器的200倍。新储能技术的成本
，这将有效提高能效并减少碳排。未来，混合动力车有望使用来自储能膜技术的电能，这能有效延长汽车蓄电池使用寿命，并减少成本。另外，储能膜也可以运用到太阳能和风机中，用于存储和管理电力。由于太阳能、风能发电

应用水平以提高产品质量、光电转换效率，降低能耗为目标，支持多晶硅、硅锭硅片、晶硅电池片及组件、薄膜电池关键生产设备，以及发电应用设备的研发与产业化，加强国产设备的应用。推动设备企业与光伏产品企业加强
硅片支持高效、低成本、低能耗硅碇生产技术，突破硅片薄片化技术，提高硅片质量。(三)晶硅电池大力发展高转换率(电池转换效率在21%以上)、长寿命晶硅电池技术的研发与产业化。重点发展低反射率的绒面制备技术

晶硅太阳能电池片生产线设备和PECVD等薄膜太阳能电池生产设备。促进光伏生产装备的低能耗、高效率、自动化和生产工艺一体化。(八)配套辅料在关键配套辅料方面，实现坩埚、高纯石墨、高纯石英砂、碳碳复合材料

。? 太阳能利用中的经济问题：? 第一，世界上越来越多的国家认识到一个能够持续发展的社会应该是一个既能满足社会需要，而又不危及后代人前途的社会。因此，尽可能多地用洁净能源代替高含碳量的矿物能源，是
，避免损坏PN结；二是这样的表面会吸收所有波长的光，包括那些光子能量不足以产生电子-空穴对的红外辐射，使太阳电池的温度升高，从而抵消了采用绒面而提高的效率效应；三是电极的制作必须沿着绒面延伸，增加了接触