碳化硅晶圆

浇铸法，加上更低成本的切片方法，可生长出接近单晶的类单晶硅晶圆，已验证的平均效率在17.5%以上，甚至最高可达18.04%。 　VirtusWafer能将一般多晶电池的平均电池转换效率从16.5
自行开发的金刚线来做切割，相较传统的碳化硅(SIC)方法，可大幅度减少硅晶片生产过程中COD(处理单位污水所需的耗氧量)排放，预计可达80-90%。 　 以能耗及产出对单晶、多晶及类单晶三者进行

　　稀土战争也可能影响到太阳能产业，太阳能硅晶圆切片时所需的碳化硅SiliconCarbide受控于中国，业者评估，若中国一旦将此稀土进行管制，全球切片业者恐都将无法生存，台厂中除了绿能(3519
切割技术的成熟度。　　　　绿能于15日下午召开上市后罕见的公开法人说明会，除了因日前CB金融评价损失的情况释疑外，也将对未来的展望作出说明。　　　　为了解决碳化硅被受控的限制，国内硅晶圆大厂中美晶、绿能

　　新日本制铁（新日铁）着手开展作为新一代功率半导体底板材料的SiC（碳化硅）晶圆业务。将从2009年4月1日起通过子公司新日铁材料开始销售直径2～4英寸（50～100mm）的SiC晶圆。此前新日铁
）。 “不同于硅晶圆” 　　新日铁并不是首次开展半导体晶圆业务。该公司此前曾开展过硅晶圆业务，不过03年退出了该业务。此次，关于开展SiC晶圆业务的理由，该公司例举了两点。“第一，与硅晶圆时期

太阳能硅晶圆端切晶耗材之一的碳化硅(Silicon Carbide)供货持续吃紧，价格从2007年中每公斤约新台币100元（约合人民币25元），逐步上扬至目前约每公斤150~200元，由于
中国内地为碳化硅最大产地，但中国已明定碳化硅为限额出口产品，太阳能硅晶圆业者预期2009年碳化硅持续缺货机率高. 太阳能硅晶圆业者表示，包括日本、台湾等地太阳能硅晶圆切晶厂，都面临相关耗材碳化硅短缺