硒化法

%/℃，而CIGSSe薄膜太阳电池功率温度系数只有晶硅电池的一半左右。孚日光伏项目所采用的溅射后硒化生产工艺，技术先进，设备投资小。硒化炉一次可以放入数十片电池，相比共蒸发法一次一片的生产方式，“溅射金属

的发电成本仍是传统能源发电成倍的8倍左右，完全依靠市场驱动的话，光伏产业将举步维艰，所以政策扶植成为当前推动光伏市场的增长的主要动力。以德国为例，1990年，德国议会批准了《电力购买法》，并启动
1000屋顶计划，德国光伏产业开始起步。2000年，德国议会通过了《可再生能源法》，并于2004年进行了修订，施行购电补偿法，根据不同的太阳能发电形式，政府给予为期20年，0.45-0.62欧元/度的补贴

太阳能必将改变人们的生存方式，最终将人类带出传统的燃火时代”。　　进入21世纪，中国政府也开始出台政策鼓励发展利用太阳能，《可再生能源法》从2006年1月1日起生效，政府宣布其目标是到2020年要使生产
(YingLi solar)、晶澳太阳能（JAsolar）、中电电气(CEEG)、上海太阳能科技(SEC)、上海电气(Topsolar)为代表的具有自主创新能力与较大产业化规模的光伏企业。　　SNEC热忱

替代产品，其中多晶硅薄膜太阳能电池和非晶硅薄膜太阳能电池是较好的选择。 　　制备多晶硅薄膜电池多采用化学气相沉积法，包括低压化学气相沉积(LPCVD)和等离子增强化学气相沉积(PECVD)工艺。多晶硅
；聚合物多层修饰电极型太阳能电池；纳米晶太阳能电池等。多元化合物薄膜太阳能电池主要包括砷化镓III-V族化合物、硫化镉、硫化镉及铜锢硒薄膜电池等。其中，硫化镉、碲化镉多晶薄膜电池的效率较非晶硅薄膜

头尾料，不能满足光伏工业发展的需要。同时硅材料正是构成晶体硅太阳电池组件成本中很难降低的部分，因此为了适应太阳电池高效率、低成本、大规模生产化发展的要求，最有效的办法是不采用由硅原料、硅锭、硅片到
分析，世界薄膜太阳电池市场年增长率为22．5％。BP solar的光伏专家和企业界人士组成的一个研究组研究证明：如果一家具有60MW生产能力的薄膜电池生产厂家，使用硒钢铜薄膜太阳电池、非晶硅太阳电池

多晶硅膜。可以看出，这种ＣＶＤ法制备多晶硅薄膜太阳电池的关键是寻找一种较好的再结晶技术。到目前为止，再结晶技术主要有以下几种： （１）固相晶化（ＬＡＲ）法 （２）区熔再结晶（ＺＭＲ）法 （３
）激光再结晶（ＬＭＣ）法 固相晶化法需对非晶硅薄膜进行整体加热，温度要求达到１４１４℃的硅的熔化点。该法的缺点是整体温度较高，晶粒取向散乱，不易形成柱状结晶。区熔再结晶法需将非晶硅整体加热至一定

％）。 2.4.CulnSe2薄膜生长工艺 Cu1nSe2薄膜的生长方法主要有：真空蒸发法、Cu-In合金膜的硒化处理法（包括电沉积法和化学热还原法）、封闭空间的气相输运法（CsCVT）、喷涂热解法

缓变层。此层的最佳制备方法是交替淀积与氢处理法。（5）低缺陷低氢含量的i层。用精确控制掺杂浓度的梯度掺杂法，使离化杂质形成的空间电荷与光照产生的亚稳空间电荷中和，保持稳定均匀的内建电场。这是从器件结构
材料第一次在光电子器件领域崭露头角是在1950年。当时人们在寻找适用于电视摄像管和复印设备用的光电导材料时找到了无定形硒（a一Se）和无定形三硫化锑（a一SbS3）。当时还不存在非晶材料的概念及有关的

结构自始至终占主导地位，其它结构对太阳电他的发展也有重要影响。 以材料区分，有晶硅电池，非晶硅薄膜电池，铜钢硒（CIS）电池，磅化镐（CdTe）电池，砷化稼电他等，而以晶硅电池为主导，由于硅是

薄膜太阳能电池和非晶硅薄膜太阳能电池是较好的选择。　　制备多晶硅薄膜电池多采用化学气相沉积法，包括低压化学气相沉积（LPCVD）和等离子增强化学气相沉积（PECVD）工艺。多晶硅薄膜电池由于所使用的硅材料
；纳米晶太阳能电池等。多元化合物薄膜太阳能电池主要包括砷化镓III-V族化合物、硫化镉、硫化镉及铜锢硒薄膜电池等。其中，硫化镉、碲化镉多晶薄膜电池的效率较非晶硅薄膜太阳能电池效率高，成本较单晶硅电池低