结合硒化镉(CdSe)和硫化镉(CdS)两种不同材料的量子点。小型的CdSe核心作为发射核心,而CdS厚壳则扮演集光天线的角色。由于CdS的能隙较CdSe更宽,由CdSe核心发射的光表现出更大的低能
解决这个问题,Klimov与其同事采用斯托克斯位移(Stokes-shift)法,开发出可改变再发射光子波长的量子点。利用19世纪爱尔兰物理学家GeorgeStokes发明的斯托克斯位移法,可设计成为
,可设计成为结合硒化镉(CdSe)和硫化镉(CdS)两种不同材料的量子点。小型的CdSe核心作为发射核心,而CdS厚壳则扮演集光天线的角色。由于CdS的能隙较CdSe更宽,由CdSe核心发射的光表
射光子。为了解决这个问题,Klimov与其同事采用斯托克斯位移(Stokes-shift)法,开发出可改变再发射光子波长的量子点。利用19世纪爱尔兰物理学家George Stokes发明的斯托克斯位移法
吉瓦,并必须提高技术水准及加快产业转型升级。同时,CIGS薄膜电池技术也是国家十二五重点发展项目,提高转换效率、开发真空共蒸法电池制造技术、规模化制造关键工艺是加速CIGS技术发展及产业化的重要
虽然目前西方国家在CIGS(铜铟镓硒)薄膜太阳能电池技术方面具有优势,但我国发展CIGS产业拥有得天独厚的优势。4月8日,在德国Manz集团举行的新闻发布会上,南开大学电子信息与光学工程学院教授孙
》重点发展项目,其中以提高转换效率、开发真空共蒸法电池制造技术、规模化制造关键工艺为宗旨加速CIGS技术发展及产业化,说明了国家将抢占新能源技术至高点决心,依据国家产业指导精神,CIGS势必
4月8日,全球著名的高科技设备制造商德国Manz集团在北京中国大饭店召开新闻发布会,明确将向中国太阳能光伏市场输出整线CIGS(铜铟镓硒)交钥匙工程,包括太阳能薄膜电池生产线设备及生产技术。该技术使
(简称一步法),另一种是溅射后硒化法(简称二步法)。前者要求在特定温度条件,将四种元素均匀雾化后沉淀到玻璃基材上,工艺技术难度大,装备水平要求极高;后者溅射技术较为成熟,但后硒化部分合格率低,导致成本过高
薄膜电池的技术也是《十二五》重点发展项目,其中以提高转换效率、开发真空共蒸法电池制造技术、规模化制造关键工艺为宗旨加速CIGS技术发展及产业化,说明了国家将抢占新能源技术至高点决心,依据国家产业指导精神
技术也是《十二五》重点发展项目,其中以提高转换效率、开发真空共蒸法电池制造技术、规模化制造关键工艺为宗旨加速CIGS技术发展及产业化,说明了国家将抢占新能源技术至高点决心,依据国家产业指导精神
索比光伏网讯:4月8日,全球著名的高科技设备制造商德国Manz集团在北京中国大饭店召开新闻发布会,明确将向中国太阳能光伏市场输出整线CIGS(铜铟镓硒)交钥匙工程,包括太阳能薄膜电池生产线设备及
总投资约350亿元,规划总产能3GW。通过技术并购和自主研发,汉能在共蒸法与溅射法这两种工艺上达到了全球领先水平。量产组件转化率15.5%,汉能的铜铟镓硒光伏组件技术即使在世界范围内的薄膜太阳能技术的
。通过商业化实验室技术和生产工艺,FirstSolar在其2013年第四季度业绩的公告会议上宣布,其最新的生产线实现了14.2%的组件转换效率。
CIGS薄膜电池谁争雄:汉能与Manz公司
的太阳电池,除硅系列外,还有硫化镉、砷化镓、铜铟硒等许多类型的太阳电池,举不胜举,以下介绍几种较常见的硅基太阳电池。单晶硅太阳电池单晶硅太阳电池是当前开发得最快的一种太阳电池,它的构成和生产工艺已定
掺杂和扩散,一般掺杂物为微量的硼、磷、锑等。扩散是在石英管制成的高温扩散炉中进行。这样就在硅片上形成P/N结。然后采用丝网印刷法,将配好的银浆印在硅片上做成栅线,经过烧结,同时制成背电极,并在有栅线的面
硅系列外,还有硫化镉、砷化镓、铜铟硒等许多类型的太阳电池,举不胜举,以下介绍几种较常见的太阳电池。
单晶硅太阳电池
单晶硅太阳电池是当前开发得最快的一种太阳电池,它的构成和生产工艺已定
扩散,一般掺杂物为微量的硼、磷、锑等。扩散是在石英管制成的高温扩散炉中进行。这样就在硅片上形成P/FONTN结。然后采用丝网印刷法,将配好的银浆印在硅片上做成栅线,经过烧结,同时制成背电极,并在有栅线